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[实用新型]晶圆检测系统-CN202320680500.9有效
发明人： 姚树歆;沈俊然 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆检测系统，包括：触觉传感单元和判断单元，触觉传感单元设置于晶圆承载单元的承载面上或者与承载面相连的侧面上，判断单元与触觉传感单元电性连接，触觉传感单元在与放置的晶圆接触时向判断单元发送检测信号，判断单元获取检测信号，以检测晶圆承载单元放置的晶圆的数量。本实用新型中利用触觉传感单元与晶圆接触以检测所述晶圆承载单元放置的晶圆的数量，能够提高系统的检测精度。
检测系统

[发明专利]基于原子力显微镜的图形化装置及方法-CN202310226813.1在审
发明人：张政;彭晓曼;姚树歆;刘澄溦;王梦知 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于原子力显微镜的图形化装置及方法，用于制备石墨烯图案，所述图形化方法包括：提供氧化石墨烯层；提供原子力显微镜及紫外激光器，原子力显微镜具有探针，探针的尖端设有二氧化钛层；探针上的二氧化钛层与紫外激光器发射的紫外光束同时作用于同一区域的氧化石墨烯层，以使区域的氧化石墨烯还原为石墨烯，并以此形成石墨烯图案。本发明中采用二氧化钛紫外光催化作用对氧化石墨烯进行高效还原，利用二氧化钛材料成本低且制备简单的特点，可将设有二氧化钛层的探针作为耗材，应用于由氧化石墨烯层制备石墨烯图案的工业量产，具有较佳的实用价值。
基于原子显微镜图形化装方法

[发明专利]含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法-CN201611269995.7有效
发明人： 姚树歆;周炜捷 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法，包括提供一个半导体衬底，在半导体衬底上淀积双重图形第二硬掩膜层；在双重图形第二硬掩膜层上覆盖一层含硅的有机硬掩膜层作为双重图形第一硬掩膜层；在双重图形第一硬掩膜层上覆盖一层含碳的有机平坦化层；在有机平坦化层覆盖一层抗反射层；在抗反射层上覆盖一层形成光刻胶层；采用非含氮刻蚀剂进行双重图形的刻蚀工艺。因此，本发明通过采用含有硅的有机旋涂物质作为光刻胶底部的抗反射层和蚀刻传递层，实现了工艺简单易行和成本减低，且精准控制工艺流程的目的。
无机物有机反射层双重图形硬掩模工艺方法

[发明专利]一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法-CN201710190898.7有效
发明人： 姚树歆;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法,首先通过测量得到无吸附力时的硅片下表面高低形貌分布，而后在光刻工件台上施加吸附力，并在模拟计算出硅片上表面的高低形貌分布后对该分布进行检查，以确保吸附后的硅片上表面的高低形貌均处在工件台调焦范围内，尽可能的形成理想平面，这一方法减小了由光刻工件台吸附导致硅片形变,从而减小吸附力产生的在工件台平面上的套刻误差，提高了产品良率。
一种减小光刻工件吸附导致硅片形变方法

[发明专利]一种测量双重图像套刻精度的方法-CN201510627068.7有效
发明人： 姚树歆 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，公开了一种测量双重图像套刻精度的方法，首先提供一枚硅片，硅片从上往下依次具有第一掩膜层、第二掩膜层以及衬底；然后刻蚀第一掩膜层以形成第一图形；接着刻蚀第二掩膜层以形成第二图形；再接着判断第一图形与第二图形之间是否存在套刻偏差，如形成对准标记层，则存在套刻偏差；最后对对准标记层进行测量，得出套刻偏移量。本发明尤其适用于在同一层衬底上形成的双重图形的套刻精度测量，本发明中的对准标记层易于采集，大大增强对准标记的信号强度，可在短时间内方便准确的获得双重图像的套刻偏移量。
一种测量双重图像精度方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法-CN201410554615.9在审
发明人：曾绍海;李铭;易春艳;姚树歆 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成硬掩膜层，硬掩膜层具有第一图形；接着在硬掩膜层上涂布光刻平坦化层，并对硬掩膜层刻蚀以形成第二图形；再接着去除光刻平坦化层，并在硬掩膜层的侧壁形成侧墙；然后以侧墙为掩膜，对半导体衬底进行第一刻蚀，以形成由上往下逐渐变窄的沟槽；随后，在沟槽内填入二氧化硅，而后去除沟槽内的部分二氧化硅，并保留部分高度的二氧化硅；最后，去除侧墙，以硬掩膜层为掩膜对沟槽进行第二刻蚀并去除所述硬掩膜层，以得到鳍式场效应晶体管的鳍部。本发明使得沟槽之间形成的鳍部的高度易于控制；同时，通过双重曝光工艺形成硬掩膜层，缩小了鳍部之间的距离，提高了器件的集成度。
一种场效应晶体管制作方法

[发明专利]一种光刻工艺的显影方法-CN201310079009.1在审
发明人： 姚树歆 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻工艺的显影方法，其包括在半导体晶片上，涂布光刻胶层；曝光并烘焙光刻胶层；向光刻胶层喷洒正性TMAH溶液，以去除被完全曝光的光刻胶层；高温烘焙该正性TMAH溶液，以形成第一图形化光刻胶；再向第一图形化光刻胶喷洒负性TMAH溶液，以去除未被曝光的光刻胶层，以及保留被部分曝光的光刻胶层。因此，通过本发明的方法，先利用正性显影液去除被完全曝光的光刻胶层，并高温烘焙以形成第一图形化光刻胶。然后再利用负性显影液去除未被曝光的光刻胶层以及保留被部分曝光的光刻胶层，以形成第二图形化光刻胶，即形成了更小线宽的光刻图形，进而提高了半导体晶片的工艺精度尤其是线宽尺寸的工艺精度。
一种光刻工艺显影方法

[发明专利]半导体表面结构侧壁表征方法-CN201210545603.0在审
发明人： 姚树歆;李铭;储佳 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种半导体表面结构侧壁倾角表征方法，通过测量和提取半导体表面结构图形化区域顶部线宽、底部线宽及半导体表面结构介质层厚度，实现对其侧壁倾角的表征。本方法中所需的各种测量均为自上而下俯视进行的线宽测量，且所述半导体表面结构介质层厚度经由设计参数直接提取、或通过膜厚仪等测量设备以非接触性的光学测量方法测得，在表征过程中无需对待测晶圆进行切片，不进行断面扫描，根据上述各测量数据直接计算得到半导体表面结构侧壁表征结果，能够直观反映各种特征尺寸、各种深宽比范围的半导体表面图形化结构侧壁准直性。
半导体表面结构侧壁表征方法

[发明专利]光刻胶形貌表征方法-CN201210448991.0有效
发明人： 姚树歆;戴峻;储佳 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种光刻胶形貌表征方法，测定光刻胶曝光区域侧壁斜率变化的拐点，并根据所述拐点将光刻胶侧壁划分为若干区间，通过测量每一区间顶部线宽、底部线宽及区间深度，计算得到该区间侧壁倾角，拟合各所述区间的侧壁倾角、区间深度得到所述光刻胶形貌。该方法所需的各种测量均为自上而下俯视进行的线宽测量，在表征过程中无需对待测晶圆进行切片，不进行断面扫描，能够实现对光刻胶侧壁形貌的精准表征、且不带来任何不可恢复性损伤，不仅可用于对光刻胶工艺能力的改善、验证，还适用于生产工艺过程中的质量控制，能够进一步保证光刻质量，有效提高器件集成度及工业成品率。
光刻形貌表征方法

[发明专利]一种MOM电容的制造方法-CN201210404981.7在审
发明人：王全;全冯溪;姚树歆 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种MOM电容的制造方法，其包括提供一半导体基底；在所述半导体基底上沉积绝缘介质层；通过两次图形化工艺，在所述绝缘介质层中分别形成代表第一电极图形的第一沟槽和代表第二电极图形的第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽中填充金属，形成第一电极与第二电极。通过本发明的方法，可以得到小于光刻工艺约束的图形间距，大大减少了相邻两个电极指状极板之间的距离，从而在提高MOM电容容量的同时又可以减小电容所占芯片面积。
一种 mom 电容制造方法

[发明专利]用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构-CN201110459697.5有效
发明人：袁超;姚树歆 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，包括：多根金属线，所述多根金属线呈回形折线状；介质层，所述介质层位于所述多根金属线之间，使得所述多根金属线之间相互隔离。通过该用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构可进行集成电路后段工艺中金属互连线的可靠性检测；进行OPC修正结果的验证；亦可作为MEMS热成像仪中的兼具热吸收功能的电极层，在获得大的吸热面积的同时又不至于发生短路。
用于集成电路金属互连可靠性测试 mems 电极结构

[发明专利]光刻胶的涂布方法-CN201110064194.8有效
发明人： 姚树歆;胡红梅 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶的涂布方法，包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片的正面喷洒TMAH溶液；在所述半导体晶片的正面涂布光刻胶层。通过本发明提供的光刻胶的涂布方法，能中和半导体晶片正面的酸性，从而避免后续进行光刻胶的曝光显影等工艺后，光刻胶出现底部切角的问题，进一步地，提高了半导体晶片的工艺精度。
光刻方法

[发明专利]一种双重图形曝光工艺-CN200810039408.4有效
发明人：胡红梅;姚树歆 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重图形曝光工艺，涉及集成电路工艺技术领域。该工艺使用一种可溶于显影液的填充材料，采用多次涂布和烘烤来实现沟槽的填充，并且依靠多次显影工艺移除表面多余的填充材料。与现有技术相比，本发明提供的利用可显影填充材料的双重图形曝光工艺，提高了光刻胶涂布后硅片的平坦度，减轻了沟槽填充步骤对后续光刻工艺中套刻精度和焦深等带来的不良影响。
一种双重图形曝光工艺

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