[发明专利]两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法

摘要

本发明公开了一种两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法，包括在基片上形成的第一光刻胶层，其厚度大于需要沉积的金属图形的厚度；对所述第一光刻胶层进行第一次光刻曝光，于所述第一光刻胶层内形成第一图形区域；于所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行第二次光刻曝光，于所述第二光刻胶层内形成第二图形区域，所述第二图形区域的面积小于第一图形区域的面积；对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理，于第一光刻胶层和第二光刻胶层内形成具有倒角结构的凹槽；在所述基片上沉积形成金属层；剥离处理所述基片，使基片上余留所需的金属图形。本发明可以控制所述倒角结构的深度，使得所述金属顺利剥离。

主权项

一种两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法，其特征在于包括：在基片上均匀涂覆第一光刻胶，且使形成的第一光刻胶层的厚度大于需要沉积的金属图形的厚度；使用第一光刻版对所述第一光刻胶层进行第一次光刻曝光，于所述第一光刻胶层内形成第一图形区域；于所述第一光刻胶层上均匀涂覆第二光刻胶而形成第二光刻胶层；使用第二光刻版对所述第二光刻胶层进行第二次光刻曝光，于所述第二光刻胶层内形成第二图形区域，所述第二图形区域的形状与需要沉积的金属图形的形状一致，但所述第二图形区域的面积小于第一图形区域的面积；对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理，从而于第一光刻胶层和第二光刻胶层内形成具有倒角结构的凹槽；在所述基片上沉积形成金属层；剥离所述第一光刻胶层、第二光刻胶层和沉积在第一光刻胶层及第二光刻胶层上的金属层，使基片上余留所需的金属图形。