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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200710308389.6无效
发明人：郑宇荣 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的微细图案的方法，包括：在半导体衬底上方形成蚀刻目标层、硬掩模层、底部抗反射涂(BARC)层和第一光刻胶图案。在第一光刻胶图案的表面上形成有机层。在BARC层和有机层上方形成第二光刻胶层。实施蚀刻过程，使得第二光刻胶层保留在第一光刻胶图案之间的BARC层上，并且成为第二光刻胶图案。移除在第一光刻胶图案上和在第一与第二光刻胶图案之间的有机层。移除在有机层下方形成的BARC层。使用第一和第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻硬掩模层。使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻蚀刻目标层。
半导体器件制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板-CN201810717745.8在审
发明人：苏同上;王东方;赵策;周斌;闫梁臣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜晶体管，包括：衬底基板、布置在衬底基板上的有源层和源漏极以及直接布置在有源层上且与源漏极电连接的导电层，其中有源层和导电层的外边缘在同一个刻蚀步骤中形成。本公开还提供一种制作薄膜晶体管的方法，包括：形成有源材料层，并在有源材料层上形成导电材料层；在导电材料层上涂布光刻胶；利用半色调掩模对光刻胶进行曝光显影，使得光刻胶形成光刻胶完全去除区、光刻胶完全保留区和光刻胶部分保留区；利用同一刻蚀工艺移除光刻胶完全去除区对应的有源材料层和导电材料层，以形成有源层与图案化的导电材料层的叠层；部分移除光刻胶完全保留区的光刻胶，并完全移除光刻胶部分保留区的光刻胶；以及，移除光刻胶部分保留区对应的所述导电材料层，以形成导电层。
光刻胶导电材料层保留区移除源层薄膜晶体管导电层源材料衬底基板去除区源漏极半色调掩模刻蚀步骤曝光显影显示面板阵列基板电连接图案化外边缘叠层制作

[发明专利]电互连结构的形成方法-CN201210429412.8有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：电互连结构的形成方法，包括：半导体衬底表面具有介质层，介质层内具有贯穿其厚度的第一开口；在介质层表面以及第一开口的侧壁和底部表面形成种子层；在种子层表面形成第二光刻胶层，第二光刻胶层的材料为导电光刻胶，且第二光刻胶层内具有贯穿其厚度的第三开口，第三开口的底部暴露出第一开口；在第二光刻胶层表面形成第一光刻胶层，第一光刻胶层的材料为非导电光刻胶，且第一光刻胶层内具有贯穿其厚度的第二开口，且第二开口与第三开口贯通；采用电镀工艺在第一开口和第三开口底部的种子层表面形成导电结构，导电结构的顶部表面低于或等于第一光刻胶层的顶部表面；在形成导电结构后，去除第二光刻胶层和第一光刻胶层。
互连结构形成方法

[发明专利]半导体器件和栅极的形成方法-CN201310616514.5在审
发明人：隋运奇;孟晓莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在半导体器件形成方法中，在光刻胶层经图案化形成光刻胶图案后，对光刻胶图案进行软化处理工艺，降低光刻胶图案表面粗糙度；之后，采用Ar等离子气体处理光刻胶图案，去除在软化处理工艺中，由光刻胶图案侧壁滑落的部分光刻胶而形成于光刻胶侧壁底部的堆叠；之后再对光刻胶图案进行固化处理，强化光刻胶图案结构，并在光刻胶图案的表面形成修饰层，以进一步提高光刻胶图案的表面平整度，优化光刻胶图案结构，确保光刻胶图案的精确度，和后续以该光刻胶图案为掩膜刻蚀硬掩膜层后获得的硬掩膜图案的精确度，以及之后以硬掩膜图案为掩膜刻蚀待刻蚀材料层后，形成的半导体器件的结构精确度。
半导体器件栅极形成方法

[发明专利]具有深槽结构的MEMS器件的表面图形制备方法-CN202310947083.4在审
发明人：王飞飞;李健飞;徐宝盈 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：该制备方法包括：提供一表面具有深槽的半导体基底；在半导体基底表面形成第一光刻胶层，以使得深槽内填充第一光刻胶层；去除位于深槽外的第一光刻胶层；在半导体基底表面及深槽内的第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行图形化处理，以在第二光刻胶层上形成所需图形；以第二光刻胶层为掩膜，对半导体基底进行刻蚀，以在半导体基底的表面形成所需图形；去除第一光刻胶层和第二光刻胶层。该制备方法解决了在具有深槽结构的MEMS器件的表面形成图形的过程中，光刻胶涂覆困难的问题。
具有结构 mems 器件表面图形制备方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202211621183.X有效
发明人：张祥平;林士程;古哲安;李海峰 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底，且于所述基底上形成金属层；于所述金属层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽；对形成有凹槽的光刻胶层进行刻蚀，去除凹槽底部光刻胶，形成图形化光刻胶，所述图形化光刻胶具有开口，开口暴露所述金属层；基于所述图形化光刻胶，对金属层进行刻蚀，以形成金属垫。在光刻胶层内形成凹槽使得凹槽底部的光刻胶被保留，此时，被保留的光刻胶可以有效保护金属层不与显影液反应，进而保护金属垫不产生杂质残渣。
半导体结构制备方法

[发明专利]光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法-CN201810615532.4在审
发明人：潘冬 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法。该光刻胶层重做的方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有至少一层初始硬掩模层，在初始硬掩模层上形成有初始光刻胶层；清除初始光刻胶层以及初始硬掩模层；以及在半导体衬底上形成至少一层返工硬掩模层，并在返工硬掩模层上形成图形化的返工光刻胶层本发明通过在清除初始光刻胶层的同时清除初始硬掩模层，再形成返工光刻胶层和至少一层返工硬掩模层，以提高重做后光刻胶层与硬掩模层之间的粘附性，避免了图形化的光刻胶层在重做后出现的光刻线条倾斜或剥落的问题，从而提高产品的良率
光刻胶层硬掩模层返工重做衬底半导体图形化粘附性剥落光刻良率线条

[发明专利]光刻胶涂覆方法-CN200910049796.9无效
发明人：于世瑞;李黎明;王健鹏;陈蕾 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提出一种在晶片上光刻胶的涂覆方法，包括步骤：在晶片上涂覆第一层光刻胶；对该第一层光刻胶进行烘烤定型；在已经烘烤定型的第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶；对该第二层光刻胶进行烘烤定型。利用本发明提供的涂覆方法，能够在光刻胶的厚度不变的前提下，将晶片凸点部分的光刻胶厚度增加，在后续的工艺中，光刻胶能够更好地保护其下方的镜片部分。
光刻胶涂覆方法

[发明专利]半导体器件和栅极的形成方法-CN201310617880.2在审
发明人：隋运奇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和栅极的形成方法，所述半导体器件的形成方法中，在硬掩膜层上方的光刻胶层经图案化，形成光刻胶图案后，对光刻胶图案进行软化处理工艺，从而有效降低光刻胶图案表面粗糙度，之后，先以光刻胶图案为掩膜刻蚀部分所述硬掩膜层，去除光刻胶图案侧壁底部的光刻胶残留，之后对所述光刻胶图案进行紧致化处理工艺，固化光刻胶图案同时，在光刻胶图案表面形成修饰层，提高所述光刻胶图案侧壁表面的平整度，以提高后续以所述光刻胶图案为掩膜刻蚀所述硬掩膜层后，获得的硬掩膜图案的质量，进而提高后续以硬掩膜图案为掩膜刻蚀所述待刻蚀材料层后，获得的半导体器件的结构精度，从而优化半导体器件的性能。
半导体器件栅极形成方法

[发明专利]剥离工艺制备叉指电极的方法-CN202310325290.6有效
发明人：赵淄红 -专利权人：北京中科飞鸿科技股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：具体包括如下步骤：（a）在基片表面涂覆正性光刻胶形成第一光刻胶层，然后进行烘烤、曝光、显影，得到正性光刻胶图形；（b）继续涂覆负性光刻胶形成第二光刻胶层，然后进行烘烤、曝光，再去除正性光刻胶图形，得到负性光刻胶图形；（c）在基片表面沉积金属层，然后去除负性光刻胶图形，得到叉指电极；其中，第二光刻胶层的厚度小于第一光刻胶层的厚度；正性光刻胶图形的侧面为正梯形形状。本发明利用正性光刻胶曝光显影后形成的正梯形的互补结构，得到倒梯形形状的负胶，既克服了正胶剥离残留的困难，也克服了负胶分辨率低的问题，能够得到质量高的叉指电极。
剥离工艺制备电极方法

[发明专利]一种光刻胶图形化方法及双层光刻胶剥离方法-CN202010010237.3在审
发明人：李天慧;赵珂;梁慧;于星;张振振 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶图形化方法及双层光刻胶剥离方法；所述方法包括：在衬底上依次形成第一光刻胶层及第二光刻胶层；利用掩膜版对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层同时进行曝光处理；采用正显影液对曝光后的所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层进行正显影，分别在所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层中形成宽度相等的第一开口和第二开口；采用负显影液对所述第一光刻胶层进行负显影，增大所述第一开口的宽度，使得所述第一开口的宽度大于所述第二开口的宽度。本发明采用正光刻胶的负显影工艺，利用非曝光区的正性光刻胶溶于负显影液的特性，可以精确控制图形形状达到倒T型图形，避免对所需图案的二次曝光，保证了图案的高分辨率。
一种光刻图形方法双层剥离

[发明专利]一种光刻胶图案制备方法和阵列基板制备方法-CN201910786427.1有效
发明人：路天;王中来 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光刻胶图案的制备方法和阵列基板的制备方法。该光刻胶图案的制备方法包括：提供基底，基底包括曝光区和非曝光区；在基底的曝光区内设置反射结构，反射结构包括反射面，反射面位于反射结构的侧壁上；在基底上形成光刻胶层，光刻胶层覆盖曝光区和非曝光区；对曝光区内的光刻胶层曝光，以使被曝光的光刻胶改性，反射结构的反射面对入射到其上的光线进行反射，以增加靠近基底处发生改性的光刻胶的体积；对光刻胶层显影，以形成光刻胶图案。本发明实施例可以改善底层光刻胶的感光，解决现有曝光过程中光刻胶底层感光较弱而使光刻胶图案存在误差的问题，保证了光刻胶图案的准确性，有助于提升光刻质量。
一种光刻图案制备方法阵列

[发明专利]一种金属纳米结构的制备方法-CN201210539491.8有效
发明人：李俊杰;孙旺宁;顾长志;金爱子;夏晓翔;杨海方;全宝刚;李无暇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属纳米结构的制备方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层，并利用纳米压印法在所述第一光刻胶层中形成纳米结构，其中所述第一光刻胶层具有第一玻璃化温度；在所述具有纳米图案的第一光刻胶层上沉积金属材料层；在转移衬底上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有高于第一玻璃化温度的第二玻璃化温度；将所述转移衬底上的所述第二光刻胶层与所述金属材料层粘结，并使所述第二光刻胶层固化；加热到所述第一玻璃化温度与所述第二玻璃化温度之间的温度，使所述第一光刻胶层进入粘流态，同时所述第二光刻胶层处于玻璃态；将所述金属材料层与所述第一光刻胶层机械分离，在金属材料层表面得到纳米结构。
一种金属纳米结构制备方法

[发明专利]临界尺寸减小及粗糙度控制-CN200680018775.5有效
发明人：李尚宪;崔大汉;金智洙;彼得·西里格利亚诺;黄志松;罗伯特·沙拉安;S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供了一种用于在蚀刻层形成特征的方法。光刻胶层在蚀刻层上形成。光刻胶层被图案化，以形成带有光刻胶侧壁的光刻胶特征。控制层在光刻胶层以及光刻胶特征底部上形成。共形层沉积在光刻胶特征的侧壁以及控制层上，以减小光刻胶特征的临界尺寸。利用控制层突破化学成分，在控制层打开开口。利用蚀刻化学成分将特征蚀刻入蚀刻层中，该蚀刻化学成分不同于控制层突破化学成分，其中，控制层比共形层更加抗蚀利用蚀刻化学成分的蚀刻。
临界尺寸减小粗糙控制

[发明专利]采用单次曝光限定多层图案的方法-CN201310456172.5在审
发明人：卢彦丞;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行光刻曝光工艺，由此在第一光刻层内形成第一潜在部件，并且在第二光刻胶层内形成第二潜在部件
采用曝光限定多层图案方法