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[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体处理系统-CN201810648614.9有效
发明人：陈裕凯;钟佳宏;高克斌;叶书佑;吴立仁;柯智佑;林明鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在光刻工具中的衬底上形成光刻胶层。使光刻胶层在光刻工具中曝光以形成曝光光刻胶层。通过使用显影剂使曝光光刻胶层显影以在光刻工具中形成图案化光刻胶层。将显影剂的氨气副产物从光刻工具中移除。
半导体器件制造方法以及半导体处理系统

[发明专利]一种剥离方法-CN202211025740.1在审
发明人：王伟远;李利;成磊;梅石磊;陈宇星;刘浩伟 -专利权人：晋城市光机电产业协调服务中心（晋城市光机电产业研究院）
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种剥离方法，包括步骤如下：提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区；在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区；在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层；在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层
一种剥离方法

[发明专利]微纳米结构的制备方法-CN201611093544.2有效
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种微纳米结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一第一基板，所述第一基板的表面上设置有一光刻胶层；将一光刻掩模板覆盖至所述光刻胶层的表面，所述光刻掩模板包括一第二基板和设置于该第二基板的表面上的一复合层；采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得该紫外光穿过所述第二基板及复合层入射至该光刻胶层上，对该光刻胶层进行曝光；从所述光刻胶层的表面上移除所述光刻掩模板，对曝光后的光刻胶层进行显影处理，得到一图案化的光刻胶微纳米结构
光刻胶层掩模板光刻微纳米结构第二基板第一基板复合层制备紫外光照射显影处理紫外光曝光光刻胶图案化入射上移穿过覆盖

[发明专利]金属网格导电膜的制备方法、金属网格导电膜及触控屏-CN202211727046.4在审
发明人：王钧;冯旭平;李阳;石家乐;江建国 -专利权人：浙江鑫柔科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：该制备方法包括如下步骤：提供光引发剂并预设光引发剂的曝光波段，光引发剂选自肟酯类光引发剂，获取光引发剂在光刻胶组合物中的质量占比范围c；按照获取的质量占比范围提供光刻胶组合物；在衬底上涂布光刻胶组合物，去除光刻胶组合物中的溶剂，形成光刻胶层；在光刻胶层上形成催化剂层；对光刻胶层进行曝光、显影，使光刻胶层和催化剂层形成图案化层；将衬底置于化学镀液中，在图案层上制备金属网格图案。该制备方法中，形成的光刻胶层在化学镀液中的溶胀率会得到降低，金属线条沿光刻胶层向两侧生长的量较少，因此金属线条的线宽增量能够得到显著降低。
金属网格导电制备方法触控屏

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法-CN201710239930.6在审
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;肖小阳;张金;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面设置一栅极，在该栅极的表面设置一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层的表面设置一半导体层；在该半导体层的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，该纳米线结构夹于第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；在该第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，使得该凹槽对应的半导体层的表面暴露，该纳米线的两端均夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；以悬空的纳米线作掩模，向暴露的半导体层表面沉积一导电薄膜层，该导电薄膜层具有纳米级沟道，且被该纳米级沟道分隔为两区域，即一源极、一漏极；去除该第一光刻胶层、第二光刻胶层及纳米线结构。
光刻胶层纳米线结构半导体层表面设置薄膜晶体管导电薄膜层纳米级沟道栅极绝缘层纳米线基底制备半导体层表面表面暴露层叠设置沉积分隔漏极去除掩模源极悬空暴露

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法-CN201710240264.8在审
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;肖小阳;张金;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面设置一栅极，在该栅极的表面设置一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层的表面设置一半导体层；在该半导体层的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，该纳米线结构夹于第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；在该第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，使得该凹槽对应的半导体层的表面暴露，该纳米线的两端均夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；以悬空的纳米线作掩模，向暴露的半导体层表面沉积一导电薄膜层，该导电薄膜层具有纳米级沟道，且被该纳米级沟道分隔为两区域，即一源极、一漏极；去除该第一光刻胶层、第二光刻胶层及纳米线结构。
光刻胶层纳米线结构半导体层表面设置薄膜晶体管导电薄膜层纳米级沟道栅极绝缘层纳米线基底制备半导体层表面表面暴露层叠设置沉积分隔漏极去除掩模源极悬空暴露

[发明专利]铝刻蚀方法-CN200910196425.3有效
发明人：张海洋;符雅丽;孙武 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了铝刻蚀方法，包括：在铝层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光，显影并刻蚀所述光刻胶层，使其形成开口为T型的光刻胶图案；以所述开口为T型的光刻胶图案为掩膜，对铝进行刻蚀。本发明增大了显影后的光刻胶层的剖面面积，从而增加了铝刻蚀过程中生成的聚合物，降低了腐蚀生成物对铝的腐蚀。
刻蚀方法

[发明专利]一种高可靠性发光二极管的制备方法-CN201610939357.5在审
发明人：兰叶;顾小云;黄龙杰;赵鸿悅;马双彪;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述制备方法形成P型电极和N型电极的过程包括在透明导电层和N型半导体层上涂覆第一正性光刻胶；在第一正性光刻胶上涂覆第二正性光刻胶，第二正性光刻胶的感光灵敏性比第一正性光刻胶的感光灵敏性弱；采用光刻技术对P型电极和N型电极所在区域的第一正性光刻胶和第二正性光刻胶进行曝光和显影，第一正性光刻胶和第二正性光刻胶内形成圆台状的通孔；在第二正性光刻胶、以及通过孔露出的透明导电层和N型半导体层上形成金属层；剥离第一正性光刻胶和第二正性光刻胶
一种可靠性发光二极管制备方法

[发明专利]SONOS存储器的光刻返工方法-CN202210614756.X在审
发明人：周家民;陈冬;刘政红;齐瑞生;黄冠群;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种SONOS存储器的光刻返工方法，包括：提供衬底，所述衬底具有存储区及非存储区，所述衬底上依次形成遂穿氧化层、氮化层及待返工的第一光刻胶层；除去所述第一光刻胶层；在所述氮化层上形成阻挡氧化层；在所述阻挡氧化层上形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜除去所述非存储区上的所述阻挡氧化层及所述氮化层；除去所述第二光刻胶层；同步除去剩余的所述阻挡氧化层及所述非存储区上的遂穿氧化层。在所述第二光刻胶形成之前在所述氮化层上形成所述阻挡氧化层，解决光刻返工后氮化层与第二光刻胶层之间粘附性差的问题，避免后续刻蚀过程中光刻胶剥落对氮化层造成的侧向钻蚀。
sonos 存储器光刻返工方法

[发明专利]过孔和显示基板的制作方法-CN201510025463.8有效
发明人：陈善韬 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：薄膜的过孔制作方法中，分两次形成光刻胶。在先形成的第一光刻胶层中形成位于过孔制作区上的开口。在第一光刻胶层中形成开口后，形成第二光刻胶层，至少去除第二光刻胶层的位于所述开口所在区域的部分，暴露过孔制作区，通过所述开口刻蚀所述薄膜，形成过孔。由于第一光刻胶层厚度较薄，界定的过孔孔径较小。通过设置第二光刻胶层的感光度大于第一光刻胶层的感光度，可以保证在薄膜中形成过孔的孔径尺寸精度，提高了过孔质量。同时，光刻胶可以保护非过孔制作区的薄膜不被刻蚀，保证了产品的良率和性能。
光刻胶层薄膜制作开口显示基板感光度光刻胶刻蚀半导体器件制造所在区域界定良率去除保证暴露

[发明专利]光刻胶去除方法和光刻工艺的返工方法-CN201410531606.8有效
发明人：袁文勋;陈杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶的去除方法和光刻工艺的返工方法，通过首先使晶圆高速旋转，同时使用光刻胶稀释剂RRC溶解掉所述晶圆表面的部分厚度的光刻胶层，在溶解所述部分厚度光刻胶层的同时，所述光刻胶稀释剂RRC将光刻胶层中的比较大的颗粒缺陷冲走；然后再使用氧气等离子体去除剩余的光刻胶层，接着使用湿法清洗所述晶圆的表面，可以有效地完全去除所述光刻胶内的颗粒缺陷，减少了后续刻蚀工艺中出现图形失真缺陷的概率，提高了产品的良率。
光刻去除方法工艺返工

[发明专利]用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器-CN202310101494.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于制作声表面波滤波器的方法，包括：在预设的衬底上淀积第一光刻胶层；刻蚀第一光刻胶层形成通孔；在暴露出的衬底和刻蚀后的第一光刻胶层上依次淀积第一金属层和第一温度补偿层；在第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层；去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层，获得被第一温度补偿层覆盖的叉指电极结构，且第一温度补偿层的待设置区域形成金属凸起。这样，通过设置第一光刻胶层、第二光刻胶层和第二金属层，并去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层的方式形成金属凸起。金属凸起与叉指电极结构的电极指的末端边缘垂直对齐，从而提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。
用于制作表面波滤波器方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器的形成方法-CN202311007631.1在审
发明人：陈世锐;龚汉红;丁俊毅;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞红外探测器的形成方法，包括：提供碲镉汞半导体基底；去除碲镉汞半导体基底表面自然氧化形成的氧化层；在碲镉汞半导体基底的表面形成光刻胶层；光刻光刻胶层，使得剩余的光刻胶层为多个大小和形状均相同的点阵形状；在光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面和光刻胶层的表面均形成钝化层；去除光刻胶层以及光刻胶层的表面的钝化层，以在钝化层内形成开孔。本发明线通过图案化的光刻胶定义开孔的位置和形状，再在图案化的光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面形成钝化层。在钝化层中形成了比较一致的多个开孔，没有腐蚀过多的钝化层，使得开孔之间的钝化层的横截面面积达标，减小了钝化层的表面出现漏电的几率。
碲镉汞红外探测器形成方法

[发明专利]双大马士革结构成形方法-CN202011355394.4在审
发明人：南兑浩;李大烨;贺晓彬;丁明正;刘强;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供的涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种双大马士革结构成形方法，包括如下步骤：在介质层上设置一层光刻胶层，在该光刻胶层上设置阻挡层，在该阻挡层上设置另一层光刻胶层，两层所述光刻胶层采用不同的显影技术；对其中一层所述光刻胶层曝光处理，并在曝光后的该光刻胶层和所述阻挡层上显影成像；对另一层所述光刻胶层曝光处理，并在曝光后的该另一层光刻胶层上显影成像。在上述技术方案中，该双大马士革结构成形方法是连续进行两次光刻工艺，光刻工艺后仅需要在进行一次刻蚀工艺即可，减少了操作的步骤，有效降低了产出和设备投资费用，降低了成本。
大马士革结构成形方法

[发明专利]一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法-CN201711052745.2有效
发明人：邢磊 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法，OLED阳极的制备方法包括下述步骤：在基板上形成阳极膜层，阳极膜层的材料为ITO材料；在阳极膜层上形成光刻胶膜层；图形化光刻胶膜层，得到光刻胶掩膜图案，光刻胶掩膜图案包括：光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域；对阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案；去除光刻胶半保留区域；采用第一气体对阳极图案上位于光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体；去除所述光刻胶掩膜图案。本发明可以提高有机发光层上厚度较小部分的亮度，补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均，提高显示质量。
一种 oled 阳极制备方法显示装置