[发明专利]折叠空间电荷区肖特基二极管的制备方法在审

申请号：	201910631910.2	申请日：	2019-07-12
公开（公告）号：	CN110504166A	公开（公告）日：	2019-11-26
发明（设计）人：	岳庆冬;王娅	申请（专利权）人：	西安科锐盛创新科技有限公司
主分类号：	H01L21/329	分类号：	H01L21/329;H01L29/06;H01L29/872
代理公司：	61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	刘长春;闫家伟<国际申请>=<国际公布>
地址：	710065 陕西省西安市高新区高新路86号***	国省代码：	陕西;61
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摘要：	本发明涉及一种折叠空间电荷区肖特基二极管的制备方法，包括步骤：选取Si衬底；在Si衬底的表面形成绝缘层；在绝缘层的表面形成第一外延层；在第一外延层的表面形成第二外延层；第一外延层和第二外延层之间形成二维电子气；对第二外延层进行离子掺杂；在第二外延层的表面形成第三外延层；在第三外延层上刻蚀形成第一凹槽，并填充；在第三外延层上，且在第一凹槽的两侧形成第一金属电极和第二金属电极。本发明通过在第三外延层上设置第一凹槽，可以降低肖特基二极管的结电容，进而提升能量转换效率；同时，通过在第一外延层和第二外延层之间形成二维电子气，可以获得较高的电子迁移率，减少串联电阻，进一步提升能量转换效率。
搜索关键词：	外延层表面形成能量转换效率肖特基二极管二维电子气金属电极衬底绝缘层表面形成绝缘层电子迁移率空间电荷区串联电阻离子掺杂结电容折叠刻蚀填充制备
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【主权项】：

1.一种折叠空间电荷区肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n选取Si衬底；/n在所述Si衬底的上表面形成绝缘层；/n在所述绝缘层的上表面形成第一外延层；/n对所述第一外延层进行离子掺杂；/n在所述第一外延层的表面形成第二外延层；所述第一外延层和所述第二外延层之间形成二维电子气；/n在所述第二外延层的上表面形成第三外延层；/n在所述第三外延层上形成第一凹槽，并填充；/n在所述第三外延层上，且在所述第一凹槽的一侧形成第一金属电极；在所述第一凹槽的另一侧形成第二金属电极。/n

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摘要：本发明公开了一种砷化镓基的二极管器件结构及制作方法，其中方法包括如下步骤：在逐层外延生长的N+型砷化镓、I型砷化镓和P+型砷化镓的衬底上制作P型欧姆接触金属、P型台面、N型欧姆接触金属和N型台面；沉积第一氮化物层并蚀刻出通孔；制作P型连接金属、N型连接金属和下极板；沉积第二氮化物层并蚀刻出通孔，覆盖下极板的第二氮化物层作为介电层；制作聚酰亚胺层并蚀刻出通孔作为空气桥结构的桥墩；在介电层和P型连接金属的位置制作空气桥结构。本发明采用聚酰亚胺层对二极管器件进行保护，聚酰亚胺层的存在加大了器件间的隔离度，增大电容结构的击穿电压，降低了器件的高低差，使后续的空气桥制程变得稳定。

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摘要：本发明涉及一种基于横向多沟道结构的PiN二极管及其制备方法。其中，制备方法包括：选取衬底材料；刻蚀衬底分别形成多层沟槽的第一沟槽区和第二沟槽区；在第一沟槽区淀积P型Si形成P区；在第二沟槽区淀积N型Si形成N区；光刻引线以完成PiN二极管的制备。本发明通过在SOI衬底上制备多层有源区沟道，利用高浓度载流子的叠加作用使得整个本征区内载流子浓度达到均匀，从而提高了横向多沟道结构的PiN二极管的功率密度，增强了PiN二极管的固态等离子体特性。

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摘要：本发明提供一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管，其中快恢复二极管的制造方法包括：提供一衬底，在衬底的表面上形成N型区域层，在N型区域层上形成P型区域层，在P型区域层上形成铂结构，在衬底的底面形成用于吸收铂的硼磷硅玻璃，对P型区域层上形成的铂结构进行加热处理，去除P型区域层上残留的铂以及衬底的底面形成的硼磷硅玻璃，在去除残留的铂后的P型区域层上形成第一电极，并在去除硼磷硅玻璃后的衬底的底面形成第二电极。本发明快恢复二极管的制造方法，在扩铂的同时使用硼磷硅玻璃对铂进行吸收，能在保证N型区域内铂浓度不变的情况下，减少衬底区的铂浓度，进而减少器件反向恢复时间，降低器件正向压降。

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摘要：本发明提供一种氮化镓二极管的制备方法和氮化镓三极管的制备方法。本发明提供的氮化镓二极管和氮化镓三极管的制备方法是通过在对钝化层进行刻蚀的过程中保留不合格岛对应位置的钝化层，使合格岛上方的钝化层窗口打开，而不合格岛上方的钝化层窗口保持封闭，然后在刻蚀后的钝化层上覆盖第三金属层，最终使合格岛上的第一金属层与第三金属层相连，而不合格岛上的第一金属层与第三金属层绝缘，达到将不合格岛剔除的目的，避免了钝化层窗口全部打开后重新封闭绝缘的步骤，简化了工艺，降低了成本。

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摘要：本发明公开了一种漂移阶跃恢复二极管的制备方法及其产品，采用外延法，在掺砷N

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摘要：本发明涉及一种用于环形天线的GaAs/Ge/GaAs异质SPiN二极管的制备方法，该制备方法包括：选取GeOI衬底；刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPIN二极管。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能基于GaAs/Ge/GaAs异质SPIN二极管。

应用于可重构环形天线的GaAs固态等离子pin二极管制备方法-201611184751.9
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申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/329
摘要：本发明涉及一种应用于可重构环形天线的GaAs固态等离子pin二极管制备方法，该方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，在GeOI衬底上淀积GaAs层并设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层GaAs的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在衬底的顶层GaAs内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在衬底上形成引线，以完成GaAs固态等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能GaAs固态等离子pin二极管。

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摘要：本发明公开了一种基于再生长和离子注入的GaN凹槽阳极肖特基二极管制备方法，主要解决现有方法制作的GaN肖特基二极管欧姆接触电阻较大的问题。其实现方案为：1)在清洗后的外延片上淀积SiN；2)在淀积有SiN的外延片上进行欧姆区离子注入，并将其清洗后进行热退火处理；3)在离子注入后的外延片上淀积SiO₂；4)在淀积有SiO₂的外延片上依次进行源漏区凹槽光刻和凹槽刻蚀，并进行清洗；5)在清洗后的外延片上生长n⁺‑GaN，并去除生长有n⁺‑GaN外延片上的剩余SiO₂层，再进行阴极金属淀积，并热退火；6)在退火后的外延片上刻蚀出阳极凹槽并进行阳极制作。本发明的欧姆接触电阻低，刻蚀工艺简单，可用于制作电力电子器件。

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摘要：本发明涉及一种可重构多层全息天线中的异质Ge基pin二极管串制备方法，该制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；在GeOI衬底上形成引线，以完成异质Ge基等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基等离子pin二极管。

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申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/329
摘要：本发明公开了一种碳化硅PiN二极管的结终端结构的制造方法，首先在晶圆上生长衬垫氧化层和衬垫氮化硅；然后利用光刻和腐蚀工艺定义需要生长氧化层的区域；再利用衬垫氧化层和衬垫氮化硅作为阻挡层生长氧化层；最后通过湿法腐蚀的方式去除衬垫氮化硅和衬垫氧化硅。通过这种方法能够避免在获得碳化硅PiN二极管的结终端结构的过程中由于刻蚀造成的损伤，通过由于进行了氧化，提高了载流子的寿命，从而改善了器件的性能。

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摘要：本发明公开了一种超结功率器件耐压层的制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过多次光刻、刻蚀沟槽和外延填充分批次制作半导体柱以及通过多次半导体材料外延并在每一外延层进行上述分批次制作半导体柱，保证了在每一次光刻、沟槽刻蚀、外延填充时都能够保证刻蚀或者填充的沟槽之间具有大的间隔，进而避免了沟槽密度较大时由于存在刻蚀负载效应以及刻蚀气体的消耗而造成沟槽刻蚀速率慢和沟槽填充速率慢甚至无法填充的缺陷，同时，也避免了在半导体基片上制作高密度沟槽所引起的基片翘曲、变形甚至碎片的问题。本发明能够实现高性能的高压超结功率器件的制备，并广泛用于超结二极管、超结MOSFET、超结IGBT等超结器件的制作。

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摘要：本发明涉及一种折叠空间电荷区肖特基二极管的制备方法，包括步骤：选取Si衬底；在Si衬底的表面形成绝缘层；在绝缘层的表面形成第一外延层；在第一外延层的表面形成第二外延层；第一外延层和第二外延层之间形成二维电子气；对第二外延层进行离子掺杂；在第二外延层的表面形成第三外延层；在第三外延层上刻蚀形成第一凹槽，并填充；在第三外延层上，且在第一凹槽的两侧形成第一金属电极和第二金属电极。本发明通过在第三外延层上设置第一凹槽，可以降低肖特基二极管的结电容，进而提升能量转换效率；同时，通过在第一外延层和第二外延层之间形成二维电子气，可以获得较高的电子迁移率，减少串联电阻，进一步提升能量转换效率。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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