[发明专利]使用外延阻止层的选择性外延有效
| 申请号： | 201610141028.6 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105977142B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 郑政玮;金志焕;J.A.奥特;D.K.萨达纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军;赵国荣 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成外延结构的方法，包括：在晶体半导体材料上设置二维材料，并打开该二维材料的一部分以暴露该晶体半导体材料。在该晶体半导体材料于打开的部分中外延生长一结构，使得该外延生长相对于该二维材料对暴露的所述晶体半导体材料具有选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 外延 阻止 选择性 | ||
【主权项】：
1.一种形成外延结构的方法，包括：在晶体半导体材料上提供二维材料；打开该二维材料的一部分以暴露该晶体半导体材料；以及在该晶体半导体材料于打开的部分中外延生长一结构，使得该外延生长相对于该二维材料对暴露的所述晶体半导体材料具有选择性，其中该二维材料包括MoS2或WS2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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