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[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN202210816846.7在审
发明人：李承哲;唐树澍;庄智强 -专利权人：强茂股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其中，半导体装置的制造方法包括：提供半导体基板，半导体基板具有前侧及背侧；在背侧内形成收集层；对背侧执行第一氢离子植入制程以形成N型区，且以第一退火温度烘烤N型区以形成场截止缓冲层；对背侧执行第二氢离子植入制程以形成寿命控制区域，且以第二退火温度烘烤寿命控制区域以形成缺陷层，其中，第二退火温度低于第一退火温度；以及在背侧形成金属层。该方案不仅可以增加半导体装置切换性能的可控性，还可以使半导体装置具有更快的切换速度，并且可以降低半导体装置的制造成本及制程的变异性。
半导体装置制造方法

[发明专利]沟槽式功率晶体管制法-CN201810329443.3有效
发明人：林靖璋;唐树澍 -专利权人：璟茂科技股份有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明为一种沟槽式功率晶体管制法，利用一般的光罩工艺对形成在基材上的一预留层进行显影刻蚀后，该预留层的所在位置于决定了导电柱沟槽(contact)及基材中的栅极沟槽的位置，该多个位置不会受到后续制作步骤影响而产生偏移问题，达到精准控制导电柱与栅极的位置；在使用非高端机台的情况下，以低成本的制作流程实现高密度的元件排列，还可确保功率晶体管的良品率及稳定性。
沟槽功率晶体管制法

[发明专利]功率整流二极管的制法-CN201610070027.7有效
发明人： 唐树澍 -专利权人：璟茂科技股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种功率整流二极管的制法，包含提供一第一导电型的基板，该基板具有一主动区与一终端区；在该基板上形成一层氧化层；搭配同一道光罩蚀刻该氧化层，以形成一第一开口与一第二开口；形成一多晶硅层与一第一阻挡层；于该基板对应于该第一开口处进行掺杂制程以形成一第二导电型的场环区；形成一第二阻挡层；于该基板对应于该第二开口处进行掺杂制程以形成一第二导电型的主体区；移除位于该主动区上的该第一阻挡层；形成电极。通过改变功率整流二极管的制作过程，可以减化光罩数量，降低制作成本。
功率整流二极管制法

[发明专利]可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法-CN201110388527.2有效
发明人： 唐树澍 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法，通过在衬底上形成同衬底掺杂类型相同的阱区以及位于漂移区内STI上之栅极来最佳化漂移区的掺杂浓度和电场分布(RESURF)，即可控制器件具备不同的电性特征，从而在不改变工艺流程、工艺参数及版图设计的情况下，通过扩展或缩小f区域的宽度即可线性预测器件的电性特性，得到不同电性特征的器件，而无需为了得到不同电性特征的器件针对每种需要的器件重新设计版图、工艺参数或工艺流程。
升级横向扩散金属氧化物半导体晶体管制造方法

[发明专利]LDMOS场效应晶体管及其制作方法-CN201210165384.3有效
发明人：吴小利;唐树澍;苟鸿雁 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS场效应晶体管及其制作方法，所述LDMOS场效应晶体管的制作方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成开口；在所述半导体衬底上形成掩模图形，所述掩模图形至少暴露所述开口；以所述掩模图形作为掩模，进行离子注入，以在所述开口处形成漏极缓变掺杂区，所述漏极缓变掺杂区环绕所述开口，包括位于所述开口两侧的侧部及位于所述开口下方的凸出部；在所述漏极缓变掺杂区内形成漏区。本发明的LDMOS场效应晶体管漏极和栅极之间的漏极缓变区为一个往衬底较深处具有凸出部的掺杂区域，使得漂移区的电势沿着凸出部变化，从而增大了击穿电压。而其制作方法不增加新的光刻掩膜版，没有大幅度的增加工艺成本。
ldmos 场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]齐纳二极管的制备方法-CN201110028615.1有效
发明人：刘正超;唐树澍;沈亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种半导体技术领域的齐纳二极管的制备方法，至少包括：在P型衬底内形成N型漂移区域，且进行第一次退火处理；在所述N型漂移区域内进行1次或多次N型离子注入，所述N型漂移区域和所述N型离子注入共同形成N型掺杂区域，所述N型离子注入包括PMOS势阱的离子注入。本发明通过选择PMOS势阱离子掺杂的次数和PMOS势阱离子掺杂的工作电压，可得到具有不同击穿电压的齐纳二极管，且齐纳二极管的击穿电压比较大；采用现有技术中制备NGRD和PMOS势阱的方法来完成N型掺杂区域的注入，降低了生产成本。
齐纳二极管制备方法

[发明专利]高压MOS晶体管结构及其制造方法-CN201210577054.5有效
发明人： 唐树澍 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：高压MOS晶体管结构及其制造方法。栅极多晶硅布置在第一轻掺杂区和第二轻掺杂区之间位置处，栅极多晶硅通过栅极氧化物与中部阱区隔开；第一电位连接阱区邻接第一侧部，第二电位连接阱区邻接第二侧部；第一深阱、第一隔离阱区和第二隔离阱区、及第一轻掺杂区和第二轻掺杂区具有第一掺杂类型；中部阱区、第一侧部区、第二侧部区、第一和第二电位连接阱区具有第二掺杂类型；第一电位连接阱区与第一轻掺杂区通过第一氧化物隔离区隔开；第二电位连接阱区和第二轻掺杂区通过第二氧化物隔离区隔开；第一隔离阱区与第一电位连接阱区邻接，第二隔离阱区与第二电位连接阱区邻接；第一隔离阱区和第二隔离阱区上部分别布置第三氧化物隔离区和第四氧化物隔离区。
高压 mos 晶体管结构及其制造方法

[发明专利]耗尽型MOS晶体管及其形成方法-CN201310095671.6有效
发明人： 唐树澍 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种耗尽型MOS晶体管及其形成方法，由于位于源极和漏极之间的栅极中，部分栅极覆盖阱区，另一部分栅极覆盖掺杂区，故增加了晶体管沟道的等效电阻，从而减小了耗尽型MOS晶体管的开态电流及关态电流。通过调节晶体管中掺杂区的厚度及掺杂浓度、位于源极和漏极之间的栅极所覆盖所有掺杂区的宽度总和与源极或漏极宽度之比，可以使耗尽型MOS晶体管的沟道等效电阻的增大量保持适中，从而使耗尽型MOS晶体管的关态电流减小幅度大于开态电流减小幅度，进而在减少晶体管功耗的同时提高耗尽型MOS晶体管的开关电流比。
耗尽 mos 晶体管及其形成方法

[发明专利]肖特基二极管及其形成方法-CN201210301607.4有效
发明人：苟鸿雁;唐树澍 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种肖特基二极管及其形成方法，所述肖特基二极管的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底内形成若干沟槽；对所述半导体衬底进行倾斜P型离子注入，在所述靠近半导体衬底表面、沟槽侧壁和底部表面的半导体衬底内形成第一P型掺杂区；将多晶硅材料填充满所述沟槽；在靠近表面的半导体衬底和多晶硅材料内反型形成N型掺杂区；在所述半导体衬底表面和多晶硅材料表面形成肖特基金属层。由于相邻沟槽的两个第一P型掺杂区之间的间距小于相邻沟槽之间的间距，当在肖特基二极管两端施加有反向电压时，所述肖特基二极管中相邻沟槽的两个第一P型掺杂区之间的半导体衬底更容易被耗尽区夹断，从而可以提高肖特基二极管的反向击穿电压。
肖特基二极管及其形成方法

[发明专利]耗尽型MOS晶体管-CN201210191269.3有效
发明人：吴小利;唐树澍;苟鸿雁 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种耗尽型MOS晶体管。根据本发明的耗尽型MOS晶体管包括：布置在衬底中的源极和漏极，源极和漏极中的一个的上方布置了轻掺杂区，源极和漏极中的另一个的上方未布置轻掺杂区；布置在衬底上方源极和漏极之间的栅极；布置在衬底中的栅极下方的第一导电沟道；以及布置在衬底中的源极和漏极之间的第二导电沟道；其中，所述第一导电沟道邻接所述栅极，并且所述第二导电沟道与所述第一导电沟道邻接，此外，所述第二导电沟道邻接所述源极和所述漏极中的所述另一个。所述第一导电沟道的掺杂浓度大于所述第二导电沟道的掺杂浓度。
耗尽 mos 晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201210163198.6在审
发明人：苟鸿雁;唐树澍 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。所述绝缘栅双极型晶体管包括：缓冲层；位于缓冲层上的漂移层；位于漂移层上的发射极层和源极层，所述发射极层与源极层通过发射极金属电极相连；位于漂移层和发射极层上的绝缘栅极层，所述绝缘栅极层与漂移层和发射极层通过栅极氧化层相互隔离；位于绝缘栅极层和源极层上的绝缘层，所述绝缘栅极层和发射极金属电极通过绝缘层相互隔离；位于缓冲层内的集电极层，所述集电极层包括至少一个掺杂区，所述掺杂区与缓冲层的掺杂类型相反；位于缓冲层下的集电极金属电极，所述集电极金属电极与所述缓冲层、所述集电极层的掺杂区均相互接触。本发明可以提高绝缘栅双极型晶体管的关断速度并降低其关断损耗。
绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201210093547.1在审
发明人：苟鸿雁;唐树澍 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：根据本发明提供的绝缘栅双极型晶体管包括：集电极、漂移区、缓冲区、发射极以及栅极，其中所述发射区与所述漂移区之间形成了第一个PN结，所述漂移区与所述集电区之间形成了第二个PN结，所述发射区与所述场效应晶体管的源区之间形成了第三个PN结；并且其中，所述缓冲区包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，其中所述第一掺杂区域的掺杂浓度小于所述第二掺杂区域的掺杂浓度，并且所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域在所述缓冲区中交错布置。本发明提供了一种能够在保证关态的击穿电压特性以及导通压降特性不会退化的情况下改善切换速度的绝缘栅双极型晶体管。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]高压LDMOS器件-CN201110035585.7有效
发明人：吴小利;唐树澍;许丹;高超;李冰寒 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了高压LDMOS器件，属于半导体技术领域，包括半导体衬底、源掺杂区、漏掺杂区、多晶硅栅极、漂移扩散区、第一阱区，第二阱区，第三阱区、第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构。本发明通过在高压LDMOS器件的漂移扩散区增加第一浅沟槽隔离结构，并限定第一浅沟槽隔离结构的位置，使得器件表面击穿电压增加，从而解决eFlash在HV应用中器件表面击穿电压低的问题，同时在流片过程中不需要额外定制掩模板，制作成本较低。
高压 ldmos 器件

[发明专利]MOS器件制备方法-CN201110035584.2有效
发明人： 唐树澍 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种MOS器件制备方法，属于半导体制造技术领域，具体步骤包括：(1)提供一半导体衬底，以STI定义有源器件区域并进行阱区离子注入；(2)制备多晶硅栅及第一侧墙；(3)旋涂光刻胶并图形化暴露出需进行离子注入的区域；(4)进行源/漏区域的离子注入；(5)去除第一侧墙并进行LDD离子注入；(6)去除光刻胶，制备多晶硅栅第二侧墙。MOS器件源/漏区域的离子注入与LDD离子注入共用一块掩膜版、进行一次光刻完成，具有较低的工艺成本和更简单的工艺步骤，能够有效降低热载流子效应，并防止栅致漏极泄漏的发生，进一步保证MOS器件的稳定性和可靠性。
mos 器件制备方法

[发明专利]串联晶体管型一次可编程存储器的读取方法-CN201210030427.7在审
发明人：吴小利;令海阳;唐树澍 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种串联晶体管型一次可编程存储器的读取方法。串联晶体管型一次可编程存储器由两个晶体管串联组成；其中第一个晶体管的漏极与第二个晶体管的源极共用，第一个晶体管作的栅极为控制栅极；第二个晶体管作的栅极为浮栅。在对所述串联晶体管型一次可编程存储器单元进行读取时，所述第一个晶体管的源极电压Vs＝-Vdd，所述第一个晶体管的控制栅极电压Vg＝-Vdd，衬底偏置电压Vb＝0，所述第二个晶体管的漏极电压Vd＝0。
串联晶体管一次可编程存储器读取方法

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