[发明专利]具有超级接口的功率晶体管组件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210016205.X | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103137680A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 林永发;徐守一;吴孟韦;张家豪 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超级接口的功率晶体管组件，其包括一基底、一第一外延层、一第二外延层以及一第三外延层。第一外延层设于基底上，并具有多个沟槽。第二外延层填满沟槽，且第二外延层的上表面高于第一外延层的上表面。第二外延层具有多个穿孔，贯穿第二外延层并位于第一外延层上，其中第二外延层与第一外延层具有不同导电类型。第三外延层填满穿孔，并与第一外延层相接触，其中第三外延层与第一外延层具有相同导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超级 接口 功率 晶体管 组件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有超级接口的功率晶体管组件，其特征在于，包括：一基底，具有一第一导电类型；一第一外延层，设于所述基底上，且具有多个沟槽；一第二外延层，填满所述沟槽，所述第二外延层的上表面高于所述第一外延层的上表面，且所述第二外延层具有多个穿孔，贯穿所述第二外延层并位于所述第一外延层上，其中所述第二外延层与所述第一外延层具有不同导电类型；以及一第三外延层，填满所述穿孔，并与所述第一外延层相接触，其中所述第三外延层与所述第一外延层具有相同导电类型。
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