[发明专利]一种太阳能能量转换器件在审
| 申请号： | 201811534674.4 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109859998A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 郝广辉;邵文生;张珂 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J1/36;H01J9/12;H01J9/18 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能能量转换器件，该光电转换器件包括：至少一个光透射窗、阴极引出电极和阳极引出电极、以及多个绝缘环，共同提供具有真空腔的结构，设置在真空腔内的阴极组件、阳极组件及其间的绝缘子，所述阴极引出电极电接触阴极组件，所述阳极引出电极电接触阳极组件；以及提供在能量转换器件中的激活原子，其中所述阴极组件中形成有多个贯穿其中的阴极通道，且所述阴极组件与所述真空腔内壁之间存在空隙。本发明提供的太阳能能量转换器件可有效地改善激活原子的运动路径，促进激活原子在阴极表面动态吸附，有效地提高了太阳能能量转换效率。与其它真空型太阳能能量转换器件相比，该太阳能能量转换器件中新型结构可以有效地提高阴极表面激活原子的吸附效率，具有更高的能量转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能能量 转换器件 阴极组件 有效地 真空腔 激活 阳极引出电极 阴极引出电极 阳极组件 阴极表面 电接触 绝缘子 光电转换器件 能量转换器件 能量转换效率 动态吸附 光透射窗 吸附效率 阴极通道 运动路径 转换效率 绝缘环 真空型 内壁 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种真空型太阳能能量转换器件，其特征在于，该光电转换器件包括：至少一个光透射窗、阴极引出电极和阳极引出电极、以及多个绝缘环，共同提供具有真空腔的结构，设置在真空腔内的阴极组件、阳极组件及其间的绝缘子，所述阴极引出电极电接触阴极组件，所述阳极引出电极电接触阳极组件；以及提供在能量转换器件中的激活原子，其中所述阴极组件中形成有多个贯穿其中的阴极通道，且所述阴极组件与所述真空腔内壁之间存在空隙。
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- 2014-11-03 - 2015-03-25 - H01J1/34
- 本发明公开了一种石墨烯光阴极及其制备方法；该石墨烯光阴极由光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜组成；该石墨烯光阴极的制备方法具体包括如下步骤：S1：采用化学气相沉积法在一定厚度的镍片上生长石墨烯；S2：利用腐蚀液溶解制备石墨烯后的镍片，留下石墨烯；S3：将石墨烯平铺至光阴极底座；S4：利用真空蒸镀法向第3步得到的光阴极底座蒸镀一层碘化铯薄膜；S5：利用磁控溅射法向第4步得到的光阴极底座溅射一层金膜制得石墨烯光阴极。由于石墨烯具有优越的导电性、超高的透光率、良好的光电转换效应以及较强的机械强度，从而极大提高光阴极的透光性、稳定性、光电转换效率、导电性、结构强度、光阴极灵敏度以及宽频带响应平整度。
- 基于对数掺杂变In组分反射式结构GaAs光电阴极-201410010132.2
- 陈亮;沈洋;周占春;郭海龙;金尚忠;张淑琴;杨润光;沈为民;常本康;钱芸生;周木春 - 中国计量学院
- 2014-01-03 - 2014-04-23 - H01J1/34
- 本发明公开了一种基于对数掺杂变In组分负电子亲和势GaAs光电阴极，该光电阴极是由高质量P型GaAs衬底、过渡层、p-GaAlAs缓冲层、p型GaAs发射层以及Cs／O激活层组成，其中连接衬底层和p-GaAlAs缓冲层之间的过渡层由m个变In的外延材料构成的单元层组成，m的取值范围为1≤m≤20；对于p型GaAs发射层采用电场减少型的对数掺杂结构，发射层的掺杂浓度按照N(x)＝N0logaAx，(0＜a＜1)规律变化；发射层厚度选择为8μm，梯度浓度从1×1021cm-3到1×1016cm-3渐变。该阴极的优点在于通过过渡层以及缓冲层的变In结构对阴极进行界面修饰，然后自然过渡到发射层，提高了其量子效率；另一方面对数掺杂提高了阴极中电子的平均输运距离，从而也提高了其量子效率。
- 一种高灵敏度锑碱光电阴极和光电倍增管-201310742762.4
- 徐向晏;安迎波;孙巧霞;刘虎林;曹希斌;卢裕;田进寿;董改云 - 中国科学院西安光学精密机械研究所
- 2013-12-27 - 2014-04-09 - H01J1/34
- 一种高灵敏度锑碱光电阴极和光电倍增管，该光电阴极灵敏度相对传统光电阴极有显著提升。该高灵敏度锑碱光电阴极包括光电阴极衬底，光电阴极衬底上设置有阴极增透层，阴极增透层上设置有锑碱光电阴极发射层。其中阴极增透层的折射率在2.3-2.6之间，可以大幅降低入射光损失，并可在一定程度将行进方向与入射光方向相反的电子反向，提高光电阴极量子效率。
- 一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法-201310580290.7
- 邹继军;郭栋;朱志甫;彭新村;邓文娟;王炜路;冯林;张益军;常本康 - 东华理工大学
- 2013-11-19 - 2014-02-19 - H01J1/34
- 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光阴极，GaAs纳米线材料激活成光阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。
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