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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]全彩微显示器件及其制备方法-CN202310231383.2在审
发明人：孙小卫;马精瑞;李德鹏;李诚诚;贾思琪;王恺 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K59/70 文献下载
摘要：本发明公开了全彩微显示器件及其制备方法，其中，全彩微显示器件包括硅基驱动芯片和设置在硅基驱动芯片的像素区域，像素区域包括蓝色像素位置、红色像素位置和绿色像素位置，在蓝色像素位置设置有蓝色Micro‑LED器件，在红色像素位置设置有红色QLED器件，在绿色像素位置设置有绿色QLED器件，蓝色Micro‑LED器件、红色QLED器件和绿色QLED器件共用电极；硅基驱动芯片用于驱动蓝色Micro‑LED器件、红色QLED器件和绿色QLED器件。基于此，全彩微显示器件能够利用蓝色Micro‑LED实现蓝色像素，QLED实现红色和绿色像素，二者结合实现三基色，从而实现全彩显示。
全彩显示器件及其制备方法

[发明专利]一种量子点发光层的制备方法-CN202110379088.2有效
发明人：孙小卫;王恺;贾思琪;马精瑞;刘湃;高丹鹏 -专利权人：深圳扑浪创新科技有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K71/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子点发光层的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将聚合物涂覆于基板上，形成聚合物阻挡层，再将量子点墨水根据像素化图案在所述聚合物阻挡层上打印，得到所述量子点发光层；所述量子点墨水包括量子点材料和有机溶剂的组合。本发明所述制备方法不仅工艺简单，还可以大面积制备像素化量子点发光层，所述量子点发光层形成的显示器件具有较高的电流效率和光学膜片L70寿命。
一种量子发光制备方法

[发明专利]纳米贝塞尔激光光束发射器及其制备方法-CN202210230168.6在审
发明人：孙小卫;乐思;唐浩东;刘湃;刘一凡;马精瑞 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米贝塞尔激光光束发射器及其制备方法，本申请的纳米贝塞尔激光光束发射器包括第一布拉格反射层、发光层和第二布拉格反射层，第一布拉格反射层开设有柱形通孔；发光层设置于第一布拉格反射层表面，用于产生光束；第二布拉格反射层设置于发光层远离第一布拉格反射层的一侧。本申请的纳米贝塞尔激光光束发射器通过在第一布拉格反射层上开设柱形通孔，使得光束经过第一布拉格反射层和第二布拉格反射层的多次反射后，得到纳米级别发光光斑的贝塞尔光束，提高了贝塞尔光束的尺寸稳定性，同时该纳米贝塞尔激光光束发射器结构简单、体积小，能够实现小型化光源的集成化。
纳米贝塞尔激光光束发射器及其制备方法

[发明专利]一种量子点墨水、QLED器件及其制备方法和应用-CN202110513230.8在审
发明人：孙小卫;王恺;贾思琪;唐浩东;马精瑞;刘湃 -专利权人：深圳扑浪创新科技有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C09D11/03 文献下载
摘要：本发明提供一种量子点墨水、QLED器件及其制备方法和应用；所述量子点墨水包括量子点材料、烷烃类主溶剂、醇类粘度调节剂和酯类调和剂的组合；采用多组份的溶剂体系溶解量子点材料，使得到的量子点墨水更适用于打印技术，进而可以使打印得到的量子点发光层更加均匀稳定，包括所述量子点发光层的QLED器件的发光效率更高、更加稳定，且使用寿命更长久，具有重要的研究意义。
一种量子墨水 qled 器件及其制备方法应用

[发明专利]静电防护器件及半导体器件-CN201910831219.9在审
发明人： 马精瑞;许杞安;马燕春;江文涌 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电防护器件和半导体器件。该静电防护器件包括有源区，所述有源区呈矩形且设有至少一列接触孔，每列的多个所述接触孔沿第一方向间隔分布，所述第一方向平行于所述有源区的一侧边，各列所述接触孔沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔分布；其中，每列的多个所述接触孔中，位于两端的两个所述接触孔的面积小于其余所述接触孔的面积。本发明中的静电防护器件补偿了由热导不均匀导致的温度分布的差异，有效提高了静电防护器件的静电防护能力，避免器件在浅沟槽拐角处失效。
静电防护器件半导体器件

[发明专利]PIN二极管及其形成方法、静电保护结构-CN201910661101.6在审
发明人： 马精瑞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种PIN二极管及其形成方法、静电保护结构，其中所述PIN二极管，包括位于所述基底上的依次层叠的至少两层堆叠结构，每一层堆叠结构均包括：第一半导体层，所述第一半导体层中掺杂有第一类型的掺杂离子；位于所述第一半导体层上的第一本征层；位于所述第一本征层上的第二半导体层，所述第二半导体层中掺杂有第二类型的掺杂离子，第一类型与第二类型不同；位于第二半导体层上的第二本征层。使得相同的基底面积上使得形成的PIN二极管具有更大的结面积，使得结散热与导流能力有效增强，同时降低寄生电容。
pin 二极管及其形成方法静电保护结构

[发明专利]一种量子点色彩转换膜及其制备方法和显示面板-CN202010866344.6在审
发明人：孙小卫;王恺;马精瑞;刘晨曦;刘湃;唐静 -专利权人：深圳扑浪创新科技有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种量子点色彩转换膜及其制备方法和显示面板。量子点色彩转换膜包括：基底；量子点粘附层，位于所述基底的一侧；量子点层，位于所述量子点粘附层远离所述基底的一侧；保护层，位于所述量子点层远离所述基底的一侧并覆盖所述量子点层。本发明实施例的方案保证量子点色彩转换膜具有高分辨率的同时降低量子点色彩转换膜的制备工艺难度。
一种量子色彩转换及其制备方法显示面板

[发明专利]一种发光器件及其制作方法-CN202010342261.7在审
发明人：孙小卫;陈树明;王恺;刘湃;马精瑞;徐冰 -专利权人：深圳扑浪创新科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种发光器件及其制作方法，该发光器件包括：阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极；所述发光层位于所述空穴传输层和所述电子传输层之间，所述空穴传输层位于所述发光层与所述阳极之间；所述电子传输层位于所述发光层和所述阴极之间，所述电子传输层采用铟镓锌氧化物制作形成。本发明所提出的发光器件，采用铟镓锌氧化物制作电子传输层，有效提高电子迁移率，提高电子注入效率，改善电致发光器件中载流子的传输效率低的问题，并且铟镓锌氧化物化学活性稳定，可靠性高。
一种发光器件及其制作方法

[实用新型]静电防护器件及半导体器件-CN201921459776.4有效
发明人： 马精瑞;许杞安;马燕春;江文涌 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种静电防护器件和半导体器件。该静电防护器件包括有源区，所述有源区呈矩形且设有至少一列接触孔，每列的多个所述接触孔沿第一方向间隔分布，所述第一方向平行于所述有源区的一侧边，各列所述接触孔沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔分布；其中，每列的多个所述接触孔中，位于两端的两个所述接触孔的面积小于其余所述接触孔的面积。本实用新型中的静电防护器件补偿了由热导不均匀导致的温度分布的差异，有效提高了静电防护器件的静电防护能力，避免器件在浅沟槽拐角处失效。
静电防护器件半导体器件

[实用新型]PIN二极管和静电保护结构-CN201921152036.6有效
发明人： 马精瑞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种PIN二极管和静电保护结构，其中所述PIN二极管，包括位于所述基底上的依次层叠的至少两层堆叠结构，每一层堆叠结构均包括：第一半导体层，所述第一半导体层中掺杂有第一类型的掺杂离子；位于所述第一半导体层上的第一本征层；位于所述第一本征层上的第二半导体层，所述第二半导体层中掺杂有第二类型的掺杂离子，第一类型与第二类型不同；位于第二半导体层上的第二本征层。使得相同的基底面积上使得形成的PIN二极管具有更大的结面积，使得结散热与导流能力有效增强，同时降低寄生电容。
半导体层本征层掺杂离子基底掺杂静电保护结构导流能力堆叠结构寄生电容依次层叠层堆叠散热两层

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