[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810475934.9 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110504167A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王学良;刘建华;郎金荣;闵亚能 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 31283 上海弼兴律师事务所 | 代理人： | 薛琦;邓忠红<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，其中绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括以下步骤：从绝缘栅双极型晶体管的衬底的背面向衬底内注入氢离子，或铝离子，或镓离子，以形成反向导通二极管的n型重掺杂层，反向导通二极管为绝缘栅双极型晶体管内置的反向导通二极管。本发明的制造方法和获得的绝缘栅双极型晶体管在反向导通二极管的n+结中形成复合中心，从而加速该内置的反向导通二极管的反向恢复速度，缩短其反向恢复时间，提高该绝缘栅双极型晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘栅双极型晶体管 二极管 反向导通 反向恢复 衬底 内置 氢离子 制造 复合中心 铝离子 镓离子 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n从所述绝缘栅双极型晶体管的衬底的背面向所述衬底内注入氢离子，或铝离子，或镓离子，以形成所述绝缘栅双极型晶体管的反向导通二极管的n型重掺杂层。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
