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[发明专利]一种FinFET CMOS结构及其制备方法-CN202010988350.9有效
发明人：胡辉勇;王斌;王利明;舒斌;韩本光;孟令尧;陈睿;宣荣喜;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET CMOS结构及其制备方法，该FinFET CMOS结构包括nFinFET和pFinFET，所述nFinFET包括在半导体衬底上设置的若干第一鳍部和第一栅电极，所述pFinFET包括在半导体衬底上设置的若干第二鳍部和第二栅电极，其中，所述第一鳍部与所述第二鳍部由相同导电类型的半导体材料形成；所述第一栅电极与所述第二栅电极由相同功函数的导电材料形成。本发明的FinFET CMOS减少了制备FinFET CMOS的工艺步骤，缩减了工艺过程，从而可以降低工艺难度和制备成本，由此还有益于提升FinFET CMOS及其集成电路的性能与可靠性。
一种 finfet cmos 结构及其制备方法

[发明专利]基于多量子阱的GaN横向LED制备方法-CN201711383273.9有效
发明人：王斌;黄博;胡辉勇;舒斌;宋建军;宣荣喜 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多量子阱的GaN横向LED器件的制备方法。该制备方法包括：选取蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上制备包括GaN的多量子阱蓝光材料；刻蚀所述蓝光材料形成黄光灯芯槽；在所述黄光灯芯槽中制备包括GaN的多量子阱黄光材料；制备第一电极、第二电极和第三电极，以完成所述基于多量子阱的横向LED器件的制备；其中，所述第一电极为整个器件的负电极，所述第二电极为所述蓝光材料的正电极，所述第三电极为所述黄光材料的正电极。本发明通过将多种色彩的材料制备在同一LED器件中，产生多种颜色的光，可以解决现有技术中LED封装器件涂覆荧光粉导致LED器件发光效率低、集成度低的缺陷。
基于多量 gan 横向 led 制备方法

[发明专利]一种FD CMOS结构及其制备方法-CN202011435233.6在审
发明人：王利明;胡辉勇;王斌;舒斌;孟令尧;杨茂龙;史鑫龙;陈睿;宣荣喜;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种FD CMOS结构及其制备方法，该FD CMOS结构包括nMOS和pMOS，所述nMOS包括由半导体衬底的顶层半导体形成的第一沟道区和设置在所述第一沟道区上的第一栅电极，所述pMOS包括由半导体衬底的顶层半导体形成的第二沟道区和设置在所述第二沟道区上的第二栅电极，且所述半导体衬底还包括埋氧化层，所述顶层半导体位于所述埋氧化层之上，其中，所述第一沟道区与所述第二沟道区由相同导电类型的顶层半导体材料形成；所述第一栅电极与所述第二栅电极由相同功函数的导电材料形成。本发明的FD CMOS减少了制备FD CMOS的工艺步骤，缩减了工艺过程，从而可以降低工艺难度和制备成本，由此还有益于提升FD CMOS及其集成电路的性能与可靠性。
一种 fd cmos 结构及其制备方法

[发明专利]基于沟道晶向选择的压应变Si PMOS器件及其制备方法-CN201610420932.0有效
发明人：赵新燕;宋建军;苗渊浩;胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于沟道晶向选择的压应变Si PMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取晶面为(001)的单晶Si衬底；在单晶Si衬底表面生长弛豫SiC外延层；在弛豫SiC外延层表面生长应变Si层；在应变Si层表面连续生长栅介质层和栅极层，并利用刻蚀工艺刻蚀栅极层和栅介质层形成栅极；利用自对准工艺在异于栅极区的器件表面进行P型离子注入形成源极和漏极；在器件表面进行钝化处理后形成基于沟道晶向选择的压应变SiPMOS器件。本发明解决了传统弛豫Si1‑xGex衬底致双轴应变Si材料空穴迁移率增强效果差的问题。同时，采用低电导率有效质量的[110]晶向作为双轴应Si/(001)Si1‑xCx PMOS沟道晶向，显著提升双轴应变Si/(001)Si1‑xCx材料的迁移率以及器件的性能。
基于沟道选择应变 si pmos 器件及其制备方法

[发明专利]一种LED芯片的制造方法及LED芯片-CN201711382462.4有效
发明人：胡辉勇;杨佳音;苗渊浩;舒斌;王斌;宋建军;宣荣喜 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片的制造方法及LED芯片，其中，LED芯片的制造方法包括：步骤1、选取衬底(11)；步骤2、在衬底(11)上生长蓝光外延层；步骤3、制备红光灯芯槽；步骤4、在红光灯芯槽内生长红光外延层；步骤5、制备绿光灯芯槽；步骤6、在绿光灯芯槽内生长绿光外延层；步骤7、在蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜；步骤8、制备电极。本发明实施例通过将蓝光外延层、红光外延层以及绿光外延层生长在一个衬底上，可以直接混合发出白光，提高了出光效率，而且将三色外延层直接继承在一个衬底上，提高了芯片集成度，而无需将多个芯片集成在一起，降低了产品生产成本，而且也降低了芯片封装的难度。
一种 led 芯片制造方法

[发明专利]基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法-CN201611188578.X有效
发明人：王斌;杨佳音;张鹤鸣;郝敏如;胡辉勇;宋建军;舒斌;宣荣喜;苏汉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；(e)在所述多晶Si材料表面制作引线并光刻PAD以形成所述固态等离子体PiN二极管。本发明实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管。
基于有源固态等离子体 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]应变GeSn NMOS器件及其制备方法-CN201711112559.3有效
发明人：张洁;宋建军;任远;胡辉勇;宣荣喜;舒斌;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种应变GeSn NMOS器件及其制备方法。该NMOS器件包括：单晶Si衬底、第一Ge籽晶层、第二Ge主体层及应变GeSn层。本发明的NMOS器件具有很高的空穴和电子迁移率，可显著提升晶体管的速度与频率特性。
应变 gesn nmos 器件及其制备方法

[发明专利]InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法-CN201710074260.7有效
发明人：蒋道福;宋建军;任远;宣荣喜;胡辉勇;舒斌;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法。该方法包括：选取Si衬底；生长第一Ge籽晶层；生长第二Ge主体层；加热整个衬底，并利用激光工艺对整个衬底进行晶化，激光工艺参数：波长为808nm，光斑尺寸10mm×1mm，功率为1.5kW/cm2，移动速度为25mm/s；冷却后在Ge/Si虚衬底材料上生长InGaAs材料。本发明采用激光再晶化(Laser Re‑Crystallization，简称LRC)工艺可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度，提高后续生长的InGaAs材料质量。同时，激光再晶化工艺时间短、热预算低，可提升Si衬底上制备InGaAs材料整个工艺的效率。另外，InGaAs材料作为沟道的NMOS器件、InGaAs作为N沟道，Ge及应变GeSn作为P沟道的CMOS器件具有很高的电子和空穴迁移率，可显著提升晶体管的速度与频率特性，并降低电路整体的功耗。
ingaas 材料基于作为沟道 mos 器件及其制备方法

[发明专利]一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法-CN201611187763.7有效
发明人：王斌;苏汉;张鹤鸣;王禹;胡辉勇;舒斌;宋建军;宣荣喜;苗渊浩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底形成隔离槽，填充隔离槽形成隔离区，隔离槽的深度大于等于SOI衬底的顶层硅的厚度；刻蚀SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；以及在SOI衬底上形成引线，以完成固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能固态等离子体PiN二极管。
一种固态等离子体 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法-CN201611187942.0有效
发明人：胡辉勇;苏汉;卢少锋;张鹤鸣;舒斌;宋建军;宣荣喜;王禹 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取某一晶向的SiGeOI衬底，在SiGeOI衬底上设置隔离区；刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层SiGe的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在衬底上形成引线，以完成SiGe基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能SiGe基固态等离子体PiN二极管。
一种 sige 固态等离子体 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]SiGe-Si-SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件-CN201611188525.8有效
发明人：王斌;苏汉;康海燕;胡辉勇;杨佳音;张鹤鸣;宋建军;舒斌;宣荣喜;郝敏如 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiGe‑Si‑SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)在所述GeOI衬底内设置隔离区；(c)利用光刻工艺在所述GeOI衬底内形成P型沟槽和N型沟槽；(d)利用离子注入工艺，在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；(e)光刻引线孔并钝化处理以完成所述异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基固态等离子体PiN二极管。
sige si 异质 ge 固态等离子体 pin 二极管制备方法及其器件

[发明专利]AlAs-Ge-AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法-CN201611188557.8有效
发明人：王斌;陶春阳;阎毅强;宣荣喜;张鹤鸣;宋建军;舒斌;康海燕 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种AlAs‑Ge‑AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：选取GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在所述P型沟槽和所述N型沟槽内淀积AlAs材料，并在所述P型沟槽和所述N型沟槽内的AlAs材料进行离子注入形成P型有源区和N型有源区；在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线，以完成所述AlAs‑Ge‑AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基固态等离子体PiN二极管。
alas ge 结构固态等离子体 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]异质SiGe基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件-CN201611188527.7有效
发明人：胡辉勇;苗渊浩;崔诗敏;张鹤鸣;宋建军;舒斌;宣荣喜;苏汉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质SiGe基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，该制备方法包括：选取某一晶向的SiGeOI衬底，在SiGeOI衬底上设置隔离区；刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层SiGe的厚度；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在衬底的顶层SiGe内形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成引线，以完成异质SiGe基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能异质SiGe基固态等离子体PiN二极管。
异质 sige 固态等离子体 pin 二极管制备方法及其器件

[发明专利]基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法-CN201610488045.7有效
发明人：蒋道福;宋建军;苗渊浩;胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取单晶Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层；利用选择性刻蚀工艺刻蚀指定区域的栅介质层和栅极层形成栅极；在栅极表面形成牺牲保护层；利用刻蚀工艺对第二Ge层进行刻蚀在栅极位置处形成Ge台阶；在第二Ge层表面生长SiGe层；去除牺牲保护层以形成PMOS器件。本发明将直接带隙Ge材料作为PMOS器件的沟道，能显著提高空穴迁移率和器件驱动电流。而且，直接带隙Ge材料还可应用于光子器件有源层，因此，本发明提出的直接带隙Ge PMOS还具备单片光电集成的优势。
基于直接改性 ge 沟道 pmos 器件及其制备方法

[发明专利]一种Ge基固态等离子体PiN二极管及其制备方法-CN201611187742.5有效
发明人：胡辉勇;苏汉;王策;张鹤鸣;王斌;舒斌;宋建军;宣荣喜;朱翔宇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ge基固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在GeOI衬底的顶层Ge内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在GeOI衬底上形成引线，以完成Ge基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基固态等离子体PiN二极管。
一种 ge 固态等离子体 pin 二极管及其制备方法

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