[发明专利]一种快速恢复二极管的制备方法及快速恢复二极管有效
| 申请号： | 201810758780.4 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108807173B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 孙德瑞;侯新祥;柳鸿亮 | 申请（专利权）人： | 苏州达亚电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 31297 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种快速恢复二极管的制备方法及快速恢复二极管，该制备方法包括：在硅衬底上表面形成掩膜图形；通过掩膜图形刻蚀硅衬底，形成沟槽；在沟槽的底部沉积一层石墨烯层；沟槽中形成一层含有Au、Pt或Pd离子的溶胶层，溶胶层覆盖整个沟槽；向沟槽中进行p型离子注入；并将硅衬底放入密闭的腔室中，使用红外激光退火，使Au、Pt或Pd离子向沟槽内部的硅中扩散，形成深能级掺杂区，以及使p型注入离子扩散均匀形成PN结；使用有机溶剂将溶胶层去除；去沟槽中的石墨烯层和掩膜；在沟槽中，所述深能级掺杂区域上方形成第一电极；在沟槽内部和硅衬底上表面形成钝化层；步在硅衬底下表面形成第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 快速恢复 二级管 硅衬底 溶胶层 制备 石墨烯层 掩膜图形 上表面 深能级 离子 退火 扩散 表面形成 掺杂区域 第二电极 第一电极 红外激光 有机溶剂 注入离子 掺杂区 钝化层 密闭 放入 硅衬 刻蚀 腔室 掩膜 沉积 去除 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种快速恢复二极管的制备方法，其特征在于：所述方法包括：步骤1）提供n型硅衬底；步骤2）在所述硅衬底上表面形成掩膜图形；步骤3）通过掩膜图形刻蚀所述硅衬底，形成沟槽；步骤4）所述沟槽的底部沉积一层石墨烯层；步骤5）在沟槽中形成一层含有Au、Pt或Pd离子的溶胶层，所述溶胶层覆盖整个沟槽；步骤6）向沟槽中进行p型离子注入；步骤7）将经过步骤6）的硅衬底放入密闭的腔室中，使用红外激光退火，使Au、Pt或Pd离子向沟槽内部的硅中扩散，形成深能级掺杂区，以及使p型注入离子扩散均匀形成PN结；步骤8）使用有机溶剂将溶胶层去除；步骤9）去除沟槽中的石墨烯层和掩膜图形；步骤10）在沟槽中，所述深能级掺杂区域上方形成第一电极；步骤11）在所述沟槽内部和硅衬底上表面形成钝化层；步骤12）在硅衬底下表面形成第二电极。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
