[发明专利]LED外延层生长方法及LED外延层有效
申请号: | 201410165324.0 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN103952684A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 张宇;林传强;农民涛;周佐华 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;H01L33/00;H01L33/14 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;郑隽 |
地址: | 423038 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种提高P层Mg激活效率的LED外延层生长方法及制得的LED外延层,生长方法中的生长P型GaN层步骤为:在温度930-950℃,压力200-600mbar的反应室内,重复间隔性地通入A、B两组原料,直至P型GaN层的厚度为100-300nm;A组原料为NH3、TMGa和Cp2Mg源,生成5-20nmnm的GaN:Mg层;B组原料为NH3、TMGa、Cp2Mg和SiH4,生成5-10nm的掺Mg和Si的GaN层。本发明通过调整P型GaN层生长方式,将高温P型GaN层设计为GaN:Mg和GaN:Mg/Si层超晶格,改善空穴迁移率,降低驱动电压,提高空穴对发光层的注入,增加器件的发光效率。 | ||
搜索关键词: | led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】:
一种LED外延层生长方法,依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有缘层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤,其特征在于,所述生长P型GaN层步骤为:在温度为950‑1100℃,反应腔压力在200‑600mbar的反应室内,重复间隔性地通入A、B两组原料,直至P型GaN层的厚度为100‑300nm;其中,A组原料为50000‑60000sccm的NH3、20‑40sccm的TMGa源、1500‑2500sccm的Cp2Mg源,生成厚度为5‑20nm的GaN层;B组原料为50000‑60000sccm的NH3、20‑40sccm的TMGa、1500‑2500sccm的Cp2Mg源、5‑15sccm的SiH4,生成厚度为5‑10nm的掺Mg和Si的GaN层,Mg的掺杂浓度为1E+19‑1E+20atom/cm3,Si的掺杂浓度1E+17‑1E+18atom/cm3。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的