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[发明专利]一种机器人探测器-CN202310541708.7在审
发明人：王利明;韩钊;胡霁亭;苗田;张宁宁;胡辉勇 -专利权人：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B25J11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种机器人探测器，涉及微电子技术领域，包括：主体；多个支腿，与主体固定连接，支腿包括活动连接的第一支部和第二支部，且第一支部与第二支部之间的夹角不为0，每个支腿为一个独立的弹簧悬挂系统；辅助支腿，与主体固定连接，辅助支腿不受压力作用；辅助支腿包括电阻式压力传感器；光探测器阵列，与主体固定连接，光探测器阵列包括多个光探测器；电阻式压力传感器与光探测器阵列集成于同一电路，通过电阻式压力传感器探测凹陷，通过光探测器阵列识别障碍物。本发明能够降低处理器对数据处理的复杂度，提高了机器人探测器的可靠性。
一种机器人探测器

[发明专利]GeSn波导型单行载流子光探测器结构及其制备方法-CN202111118652.1有效
发明人：舒斌;朱佳迪;张二同;胡辉勇;王利明;李婉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供的一种GeSn波导型单行载流子光探测器结构及其制备方法，将GeSn材料、单行载流子光电探测器和Ge基波导型光电探测器结合在一起，适合单片光电集成，可以满足高光响应度、高响应速度与波段的器件性能要求。且本发明的光探测器工艺简单，通过楔形结构用于提高光波导与探测器之间的光耦合效率，以及锥形结构减小光探测器入射波导的光反射。因此本发明的光电探测器可以提高效率、光响应度以及响应速度。本发明所设计的GeSn波导型光探测器在1.55μm处的光响应度为1.25A/w，3dB带宽最大为160GHz。相比现有技术，本发明光探测器的光响应度和响应带宽方面均有很大的提升。
gesn 波导单行载流子探测器结构及其制备方法

[发明专利]一种基于SiN应力的阶梯状结构GeSn激光器及制备方法-CN202310652986.X在审
发明人：舒斌;孙昕阳;张二同;朱佳迪;付子杰;胡辉勇;王利明;张宁宁;苗田 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SiN应力的阶梯状结构GeSn激光器及制备方法，激光器包括：衬底层；设置在衬底层上的缓冲层；设置在缓冲层上的N型Ge层；分别设置在N型Ge层两端的DBR反射镜和DBR反射镜；设置在N型Ge层上的阶梯状结构；设置在阶梯状结构上的P型Ge层；设置在P型Ge层内的P型重掺杂欧姆接触区；设置在阶梯状结构上和N型Ge层上的Si3N4应力层；设置在贯通Si3N4应力层的第一沟槽内和P型重掺杂欧姆接触区之上的电极；设置在金属电极之下且在N型Ge层内的N型重掺杂欧姆接触区。本发明能够有效提高Ge激光器的发光效率、降低Ge激光器的阈值电流密度，为高效的Ⅳ族材料集成光源提供了一种可行方案。
一种基于 sin 应力阶梯结构 gesn 激光器制备方法

[发明专利]光栅耦合型Ge系近红外波导探测器及其制备方法-CN202111118658.9有效
发明人：舒斌;张二同;朱佳迪;胡辉勇;王利明;景文龙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供的一种光栅耦合型Ge系近红外波导探测器及其制备方法，通过生长Si层和SiO2层，使得Si层与SiO2层构成布拉格反射镜结构提高耦合效率，在P型Si材料层刻蚀形成的聚焦型非均匀光栅结构，在P型Si材料层与GeSn合金材料之间生长一层较薄的掺杂浓度低于P型Si材料层Ge材料缓冲层，降低晶格失配的影响以及减少俄歇复合产生的光损耗，生成的本征Ge0.94Sn0.06材料层可以减少光吸收层的长度并且可以将光探测范围扩展到更长。因此本发明的光栅耦合型Ge系近红外波导探测器不仅可以解决传统探测器耦合效率低、光响应低等问题还可以满足近红外光谱探测，具有高速、高响应及易与硅基集成的特点，具有较高的光电转换效率和光稳定性。
光栅耦合 ge 红外波导探测器及其制备方法

[发明专利]一种紫外、可见与红外宽谱光电探测器及其制备方法-CN202010733216.4有效
发明人：王利明;尤杰;孙浩;张一弛;元磊;胡辉勇;王斌;韩本光;舒斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外、可见与红外宽谱光电探测器及其制备方法，该制备方法包括：选取清洗完成的玻璃衬底；在所述玻璃衬底上制备电极阵列，所述电极阵列包括若干间隔排列的金属电极；将纳米纤维喷在制备有所述电极阵列的所述玻璃衬底上，以制备覆盖所述电极阵列的ZnO纳米线薄膜；将Ge量子点旋涂在所述ZnO纳米线薄膜上，以制备Ge量子点薄膜；在所述玻璃衬底的背面制备金属薄膜。本发明所制备的光电探测器具有ZnO纳米线与Ge量子点复合的结构，可以将两种材料的优势相结合，本发明采用低成本的方法实现了宽谱的探测。
一种紫外可见红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有埋层结构的n型TFET器件及其制备方法-CN202010537107.5有效
发明人：王斌;陈睿;罗昭;蔺孝堃;陈瑶;胡辉勇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有埋层结构的n型TFET器件及其制备方法，所述n型TFET器件包括：衬底；衬底表面设有源区、漏区以及沟道区；其中，源区和漏区分别位于沟道区的两端；沟道区下方设置有埋层，埋层起始于沟道区与源区的交界处，且埋层的长度小于沟道区的长度；沟道区上方设有栅极结构；栅极结构包括栅电极以及位于栅电极和沟道区之间的栅介质层；源区和漏区上分别对应设有源电极和漏电极。本发明提供的n型TFET器件降低了对栅极金属功函数的要求，使器件阈值电压得到降低，GIDL效应得到抑制；同时，由于衬底隧穿结的引入，增大了器件的隧穿面积，提升了开态电流，提高了器件性能。
一种具有结构 tfet 器件及其制备方法

[发明专利]近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法-CN202110240656.0有效
发明人：王利明;魏颖;孙浩;胡辉勇;张一驰;王博;张蓓;邵际芳;苑西西;王斌;舒斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括本征Si衬底层，位于本征Si衬底层上方的绝缘反射层，位于绝缘反射层上方的本征Ge衬底层，位于本征Ge衬底层表面两侧的金属电极，以及位于金属电极之间的复合纳米结构阵列，其中，每个复合纳米结构阵列单元包括Ge纳米结构和位于Ge纳米结构上方的金属纳米结构。本发明通过在本征Ge衬底层上形成包括Ge纳米结构和金属纳米结构复合纳米结构阵列，实现了Ge材料的本征吸收以及Ge上金属内部电子热吸收的双吸收机制，扩大了吸收范围，提高了探测效率；同时可通过调整结构参数实现红外通信波段的不同双波段响应。
红外波段等离子体 ge 光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种FinFET CMOS结构及其制备方法-CN202010988350.9有效
发明人： 胡辉勇;王斌;王利明;舒斌;韩本光;孟令尧;陈睿;宣荣喜;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET CMOS结构及其制备方法，该FinFET CMOS结构包括nFinFET和pFinFET，所述nFinFET包括在半导体衬底上设置的若干第一鳍部和第一栅电极，所述pFinFET包括在半导体衬底上设置的若干第二鳍部和第二栅电极，其中，所述第一鳍部与所述第二鳍部由相同导电类型的半导体材料形成；所述第一栅电极与所述第二栅电极由相同功函数的导电材料形成。本发明的FinFET CMOS减少了制备FinFET CMOS的工艺步骤，缩减了工艺过程，从而可以降低工艺难度和制备成本，由此还有益于提升FinFET CMOS及其集成电路的性能与可靠性。
一种 finfet cmos 结构及其制备方法

[发明专利]波导耦合等离增强型Ge基红外光电探测器及其制备方法-CN202110241681.0有效
发明人：王利明;景文龙;张一驰;孙浩;王博;韩钊;张峻岷;胡辉勇;王斌;舒斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种波导耦合等离增强型Ge基红外光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括SOI衬底，SOI衬底自下而上依次包括Si衬底层、SiO2层和顶部Si层；其中，顶部Si层上表面一侧设有Ge吸收层，Ge吸收层与顶部Si层相接触的一面设有若干金属光栅结构；顶部Si层和Ge吸收层上均设有金属电极，以与Ge吸收层、SOI衬底形成Ge基探测器主体；顶部Si层的另一侧还形成有波导结构，波导结构与探测器主体通过一锥形模斑转换结构连接。本发明采用波导结构和金属光栅实现了Ge吸收层的本征吸收以及金属光栅中热电子吸收的双吸收机制，扩大了吸收范围，提高了探测效率，同时扩展了探测器的探测范围。
波导耦合增强 ge 红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种可见光与红外双波段光输运管探测器及其制备方法-CN202010699949.0有效
发明人：王利明;孟令尧;孙浩;尤杰;胡辉勇;王斌;韩本光;舒斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，包括：在水表面制备金属纳米球阵列；将Ge衬底置于水中，并提取承载有金属纳米球阵列的Ge衬底；对承载有金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理，得到层叠设置的Ge衬底和金属纳米球阵列；在具有金属纳米球阵列的Ge衬底的一面生长SiO2材料得到SiO2层；在SiO2层上制备MoS2层；在MoS2层上制备第一正面电极和第二正面电极；在Ge衬底下表面制备背面电极。本发明具有红外探测响应度增强、低功率红外探测能力增强、红光波段吸收能力增强、纳米球转移工艺简单等优点，从而能够有效提高红外波段的响应度，降低制造难度，降低制造成本。
一种可见光红外波段输运探测器及其制备方法

[实用新型]一种游戏转盘加工用磨边装置-CN202222776139.8有效
发明人：吴镇海;郭雁群;陈克胜;胡辉勇;袁锦国;林海明 -专利权人：惠州永泰工艺有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B24B9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及游戏转盘加工技术领域，特别是涉及一种游戏转盘加工用磨边装置，包括加工台，加工台上端部开设有T形滑槽，T形滑槽内部滑动安装有T形滑块，T形滑块上端部固定安装有连接杆，连接杆侧壁上对称固定安装有横杆，两个横杆之间转动安装有打磨片，固定机构包括U形架，两个U形架均与加工台固定连接，两个U形架之间对称固定安装有固定盘，两个固定盘相对端上均固定安装有固定架，两个固定架内部均开设有限位槽，两个限位槽每内部均转动安装有限位环，两个限位环内部均固定安装有转柱，使得该设备在使用时可对游戏转盘进行有效夹持固定，且可对游戏转盘的磨边位置进行调节，确保了加工的稳固性，加强了加工的效果。
一种游戏转盘工用磨边装置

[实用新型]一种刮刮卡覆膜印制贴标机-CN202222382549.4有效
发明人：吴镇海;郭雁群;程云;雷声北;李梦裴;胡辉勇 -专利权人：惠州永泰工艺有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B65H31/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及贴标机技术领域，特别是涉及一种刮刮卡覆膜印制贴标机，包括贴标机本体，所述贴标机本体右侧端固定安装有下料盒，所述下料盒形状为凹形，所述下料盒两端部均固定安装有压板，两个所述压板与下料盒内壁底部之间均固定安装有固定杆，两个所述固定杆圆周表面均转动安装有挡板，两个所述挡板上端右侧均贯穿开设有螺纹槽。本实用新型通过将两个挡板的一端与固定杆进行转动，使得该刮刮卡覆膜印制贴标机能够根据刮刮卡的大小进行调节，使得刮刮卡在下料时，能够处于一个方向的下料，大大的提高了下料之后的整齐性，再将两个挡板的另一端螺纹安装上螺纹杆使得能够在调节完挡板后将其固定。
一种刮刮卡覆膜印制贴标机

[发明专利]一种基于金属微流道的制冷型LTCC微系统及其制备方法-CN202010790503.9有效
发明人：王斌;蔺孝堃;史鑫龙;陈睿;王坤;宋宇祥;胡辉勇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属微流道的制冷型LTCC微系统及其制备方法，包括：LTCC基板、带有若干微流道的金属块、热源芯片、若干TEC芯片、若干器件、围框、盖板、若干管脚。本发明的TEC芯片的冷端冷量用于给热源芯片降温同时保证上层的密闭空间内温度可达到一个低温状态。本发明的TEC芯片的热端产生的热量通过其下大面积的金属块传递到金属块内微流道中的冷却液，冷却液通过微流道7将热量带到LTCC基板外部实现散热目的。
一种基于金属微流道制冷 ltcc 系统及其制备方法

[发明专利]红外光电探测器及其制作方法-CN202110548026.X有效
发明人：王利明;张蓓;胡辉勇;张一驰;张宁宁;孙浩;韩钊;苑西西;舒斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0312 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外光电探测器，涉及光电技术领域，红外光电探测器包括本征衬底层、以及位于本征衬底层一侧的纳米线、金属线和电极，由于本征衬底层和纳米线均包括锗锡材料，因此不仅增强了半导体材料本征吸收，也能够扩展中红外探测器的光响应截止波长；同时，金属线结构与纳米线结构的引入可有效提高光电探测器在红外通信波段的响应度，拓宽光电探测器的探测范围。此外，纳米线包括多条第一纳米线和多条第二纳米线、且多条第一纳米线与多条第二纳米线垂直，此种设计方式可使红外光电探测器呈对称结构，当入射光在0到360°之间变化时，红外光电探测器的光吸收性能基本上不发生变化，保证了红外光电探测器的可靠性。
红外光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种面向线性APD阵列非均匀性的自适应校正电路-CN202110512876.4有效
发明人：王斌;樊碧莹;王立新;韩本光;胡辉勇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01J1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向线性APD阵列非均匀性的自适应校正电路，该自适应校正电路包括APD参考单元、APD工作单元、电容反馈式跨阻放大器CTIA1、电容反馈式跨阻放大器CTIA2、比较器Comp、翻转检测器、反相器F1、开关驱动寄存器、移位寄存器、D/A转换器和缓冲电路，所述APD参考单元和所述APD工作单元的偏置电压不同。本发明能够实现与大型APD阵列的片上集成，为线性模式下的大规模APD阵列提供了有效的信号校正技术途径。
一种面向线性 apd 阵列均匀自适应校正电路

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