[发明专利]LED及晶圆检查装置、以及利用上述装置的检查方法无效
申请号: | 201110040528.8 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN102280394A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 李毅镛 | 申请(专利权)人: | (株)昌盛ACE产业 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/95 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供可在一个装置连续实施LED及晶圆表面检查及内部检查的LED及晶圆检查装置及晶圆检查方法。该装置包括:装载部,在其一侧设置推送装置,以使装载多个LED及晶圆的晶圆匣通过升降装置升降,并使上述LED及晶圆沿水平方向一张张引出;旋转型LED及晶圆移送部,包括装载上述LED及晶圆以将其移送至后续工序的旋转台;表面检查部,包括用于上述LED及晶圆表面检查的第一视觉模块及第一不良品收纳部;内部检查部,包括用于上述LED及晶圆内部检查的第二视觉模块及第二不良品收纳部;卸载部,包括通过升降装置升降以依次装载上述LED及晶圆的晶圆匣;及控制部,根据顺序控制程序控制上述LED及晶圆的检查过程。本发明通过上述装置提高了作业效率及空间利用率。 | ||
搜索关键词: | led 检查 装置 以及 利用 上述 方法 | ||
【主权项】:
一种LED及晶圆检查装置,包括:装载部,在其一侧设置推送装置,以使装载多个LED及晶圆的晶圆匣通过升降装置升降,并使上述LED及晶圆沿水平方向一张张引出;旋转型LED及晶圆移送部,包括装载上述LED及晶圆以将其移送至后续工序的旋转台;表面检查部,包括用于上述LED及晶圆的表面检查的第一视觉模块及第一不良品收纳部;内部检查部,包括用于上述LED及晶圆的内部检查的第二视觉模块及第二不良品收纳部;卸载部,包括通过升降装置升降以依次装载上述LED及晶圆的晶圆匣;及控制部,根据顺序控制程序控制上述LED及晶圆的检查过程。
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- 太阳能电池片漏电检测装置-201920648368.7
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- 2019-05-07 - 2019-10-25 - H01L21/66
- 本实用新型提供一种太阳能电池片漏电检测装置,包括用以放置待检测的太阳能电池片的金属板、用以给所述太阳能电池片提供反向电压的直流电源、以及温度扫描机构;所述金属板具有用以放置所述太阳能电池片的测试区、位于所述测试区的周缘的边框区,所述边框区上设有用以标记所述测试区内的位置的若干刻度标记部,所述刻度标记部的导热系数异于所述金属板的导热系数,从而,在所述红外相机拍摄出热量分布图像后,用户能够根据温度升高点对应的刻度标记部,快速地在所述太阳能电池片上找出漏电位置。
- 用于基于散射术的重叠测量的信号响应度量-201580024276.6
- A·V·舒杰葛洛夫;S·I·潘戴夫;J·M·马德森;A·库兹涅佐夫;W·D·米厄尔 - 科磊股份有限公司
- 2015-05-08 - 2019-10-25 - H01L21/66
- 本发明呈现用于仅基于所测量训练数据而创建测量模型的方法及系统。然后,使用所述经训练测量模型来直接根据所测量散射术数据计算重叠值。所述测量模型直接接收散射术信号作为输入并提供重叠值作为输出。在一些实施例中,根据设计规则结构的测量来确定重叠误差。在一些其它实施例中,根据专门化目标结构的测量来确定重叠误差。在又一方面中,所述测量模型经训练且用以除测量重叠以外还基于相同或不同度量目标而测量额外所关注参数。在一些实施例中,使用来自多个目标的测量数据、通过多个度量收集的测量数据或所述两种测量数据来进行模型构建、训练及测量。在一些实施例中,优化算法使测量模型构建及训练过程自动化。
- 晶圆导电薄膜加工系统-201910669630.0
- 刘相华 - 麦峤里(上海)半导体科技有限责任公司
- 2019-07-24 - 2019-10-22 - H01L21/66
- 一种晶圆导电薄膜加工系统,涉及半导体加工技术领域,所解决的是提高膜厚测量精度的技术问题。该系统包括工艺腔、传送腔,所述工艺腔中设有膜厚处理装置,所述传送腔上设有两个装载盒,传送腔内设有晶圆预对准装置、机械手;所述晶圆预对准装置包括预对准底座,及安装在预对准底座上的旋转托盘,预对准底座上设有旋转电机;所述预对准底座上固定有横梁,横梁上设有能沿旋转托盘的径向滑动的涡电流传感器,并且涡电流传感器位于旋转托盘的上方,横梁上设有用于导引涡电流传感器滑动的导轨,及用于驱动涡电流传感器滑动的横移驱动部件。本发明提供的系统,适用于晶圆导电薄膜的加厚或减薄。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造