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[发明专利]使用目标分解的装置上计量-CN201880052739.3有效
发明人： J·亨奇;A·吉里纽;A·库兹涅佐夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本文中呈现用于装置上结构的较高效X射线散射测量术测量的方法及系统。对测量区上方的一或多个结构的X射线散射测量术测量包含将所述一或多个结构分解成多个子结构、将所述测量区分解成多个子区或进行所述两个操作。独立地模拟所述经分解结构、测量区或两者。组合所述独立模拟的经分解结构中的每一者的散射贡献以模拟所述测量区内的所述所测量结构的实际散射。在另一方面中，采用包含一或多个附带结构的经测量强度及经建模强度来执行所关注结构的测量。在另一些方面中，采用测量分解来训练测量模型且优化特定测量应用的测量配方。
使用目标分解装置计量

[发明专利]利用来自多个处理步骤的信息的半导体计量-CN201780021343.8有效
发明人： A·库兹涅佐夫;A·A·吉里纽;A·舒杰葛洛夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2017-04-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本文中呈现用于在多重图案化半导体制作过程中基于对试样的测量及来自用于制作所述试样的一或多个先前过程步骤的过程信息而测量过程诱发的误差的方法及系统。在已执行若干个过程步骤之后，采用计量工具。所述计量工具基于经测量信号及过程信息而测量晶片上的计量目标的所关注结构参数，且将可校正过程参数值传达到所述先前过程步骤中所涉及的一或多个过程工具。当由适当过程工具执行时，所述可校正过程参数值会减少通过过程流程制作的结构的几何形状的过程诱发的误差。在另一方面中，使用多个计量工具结合来自所述过程流程中的一或多个过程步骤的过程信息来控制制作过程。
利用来自处理步骤信息半导体计量

[发明专利]使用光谱计量的图案化膜堆叠的带隙测量-CN201880051578.6有效
发明人：王天含;A·罗森贝格;胡大为;A·库兹涅佐夫;M·D·源;S·潘戴夫;J·莱索伊内;赵强;列-关·里奇·利;H·舒艾卜;狄明;T·卡阿卡;A·舒杰葛洛夫;谭正泉 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01J3/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种光谱计量系统，其包含光谱计量工具及控制器。所述控制器生成包含两个或更多个层的多层光栅的模型，所述模型包含指示所述多层光栅的测试层的几何结构的几何参数及指示所述测试层的色散的色散参数。所述控制器进一步从所述光谱计量工具接收对应于所述经模型化多层光栅的经制造多层光栅的光谱信号。所述控制器进一步确定所述经模型化多层光栅的所述一或多个参数的值，从而在选定公差内提供对应于所述经测量光谱信号的经模拟光谱信号。所述控制器进一步基于所述经制造结构的所述测试层的所述一或多个参数的所述经确定值来预测所述经制造多层光栅的所述测试层的带隙。
使用光谱计量图案堆叠测量

[发明专利]具有经改进滤波的软X射线光学器件-CN202180025210.4在审
发明人： A·库兹涅佐夫;陈博学;N·亚提湄夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G21K1/10 文献下载
摘要：本文中呈现有效地传播在所要能量范围内的x射线辐射且拒绝在所述所要能量范围之外的辐射的光学元件。在一个方面中，基于x射线的系统的一或多个光学元件包含集成光学滤波器，其包含吸收具有在所要能带之外的能量的辐射的一或多个材料层。一般来说，所述集成滤波器通过抑制光谱的红外(IR)、可见光(vis)、紫外(UV)、极紫外(EUV)部分或任何其它非所要波长区域内的反射率而改进基于x射线的系统的光学性能。在另一方面中，一或多个扩散屏障层防止所述集成光学滤波器的降级、防止所述集成光学滤波器与其它材料层之间的扩散或两者。在一些实施例中，集成光学滤波器的一或多个材料层的厚度在所述滤波器的空间区域内变动。
具有改进滤波射线光学器件

[发明专利]用于对虚拟图像进行图像位置修正的遮板-CN202210367359.7在审
发明人： A·库兹涅佐夫 -专利权人：奥迪股份公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G02B27/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于对可借助于平视显示器(2)投影到车辆的挡风玻璃(3)上的虚拟图像(5)进行图像位置修正的遮板，在遮板(1)的板片(6)上设有第一定位标记(7)、第二定位标记(8)和校准标记(9)，板片至少在第一定位标记、第二定位标记和校准标记的区域中是透明的，从而可获取第一图像(33)、第二图像(36)和校准图像(47)，第一图像包含第一定位标记和直接透过板片拍摄到的、在车辆侧输出的第一定位图样(34)，第二图像包含第二定位标记和在车辆侧输出的、由遮板的镜子(10)映照出并透过板片拍摄到的第二定位图样(37)，校准图像包含校准标记和借助于平视显示器投影到挡风玻璃上并直接透过板片拍摄到的校准图样(48)。
用于虚拟图像进行位置修正

[发明专利]用于基于X射线的测量系统的校准及对准的多层目标-CN201980031121.3有效
发明人： N·亚提湄夫;A·吉里纽;A·毕卡诺维;A·库兹涅佐夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01N23/201 文献下载
摘要：本文描述实现基于X射线的测量系统的快速及准确的绝对校准及对准的多层目标。所述多层校准目标具有非常高衍射效率且使用快速、低成本生产技术来制造。每一目标包含使用成对的X射线透射及X射线吸收材料来构建的多层结构。所述多层目标结构的层定向为平行于入射X射线束。所测量的衍射图案指示所述入射X射线束与所述多层目标之间的位置及定向失准。在另一方面中，复合多层目标包含至少两个多层结构，布置成沿与所述入射X射线束对准的方向彼此相邻、沿垂直于所述入射X射线束的方向彼此相邻或其组合。在一些实施例中，所述多层结构以间隙距离彼此空间间隔开。
用于基于射线测量系统校准对准多层目标

[发明专利]基于软性X射线散射测量的叠对测量方法及系统-CN202180009795.0在审
发明人： A·V·舒杰葛洛夫;N·古特曼;A·库兹涅佐夫;A·吉里纽 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本文中提出用于基于软性X射线(SXR)散射测量的测量数据来执行叠对及边缘放置误差的方法及系统。聚焦在小照射光斑大小之上的短波长SXR辐射使得能够测量设计规则目标及裸片中作用装置结构。在一些实施例中，用具有在从10到5,000电子伏特的范围中的能量的SXR辐射来执行SXR散射测量的测量。因此，在SXR波长下的测量准许在密切表示实际装置叠对的过程设计规则下的目标设计。在一些实施例中，从同一计量目标同时执行叠对及形状参数的SXR散射测量的测量以使得能够准确测量边缘放置误差。在另一方面中，基于设计规则目标的SXR测量，通过将所述SXR测量校准到实际装置目标的参考测量来估计非周期性装置结构的叠对。
基于软性射线散射测量测量方法系统

[发明专利]用于共址计量的方法及系统-CN202080010187.7有效
发明人： D·Y·王;E·沙欧辛;M·弗里德曼;D·萨乌夫尼斯;A·V·舒杰葛洛夫;J·M·马德森;A·库兹涅佐夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本文中呈现用于运用两个或多于两个测量子系统执行半导体结构的共址测量的方法及系统。为了实现足够小的测量盒大小，计量系统监测且校正每一计量子系统的测量点与计量目标的对准以实现每一计量子系统的所述测量点与所述计量目标的最大共址。另一方面，通过两个或多于两个计量子系统在相同晶片位置处以高处理量同时执行测量。此外，所述计量系统有效地解耦与每一测量子系统相关联的同时获取的测量信号。此最大化与通过两个或多于两个计量子系统同时测量相同计量相关联的信号信息。
用于计量方法系统

[发明专利]基于可重复使用子结构的纳米线半导体结构的测量模型-CN201980018185.X有效
发明人： H·舒艾卜;A·库兹涅佐夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文中呈现用于基于可重复使用参数模型而产生基于纳米线的半导体结构的测量模型的方法及系统。采用这些模型的计量系统经配置以测量与纳米线半导体制作过程相关联的结构及材料特性(例如，结构及膜的材料组成、尺寸特性等)。基于纳米线的半导体结构的所述可重复使用参数模型实现基本上较简单、较不易于出错且较准确的测量模型产生。因此，尤其在将复杂的基于纳米线的结构建模时，实现有用测量结果的时间显著减少。基于纳米线的半导体结构的所述可重复使用参数模型对于针对光学计量及x射线计量两者产生测量模型是有用的，所述x射线计量包含软x射线计量及硬x射线计量。
基于重复使用结构纳米半导体测量模型

[发明专利]用于快速自动确定用于高效计量的信号的系统、方法及计算机程序产品-CN201680070555.0有效
发明人： A·吉里纽;A·库兹涅佐夫;J·亨奇 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明提供一种用于选择将利用计量工具而测量的信号的系统、方法及计算机程序产品，所述计量工具优化所述测量的精度。技术包含模拟用于测量计量目标的一或多个参数的信号集合的步骤。产生对应于所述信号集合的正规化雅可比矩阵，基于所述正规化雅可比矩阵来选择所述模拟信号集合中的信号子集，所述信号子集优化与测量所述计量目标的所述一或多个参数相关联的性能度量，且利用计量工具来收集所述计量目标的所述信号子集中的每一信号的测量。对于由所述计量工具收集的给定数目个信号，与收集遍及一系列过程参数均匀地分布的信号的常规技术相比，此技术优化此类测量的精度。
用于快速自动确定高效计量信号系统方法计算机程序产品

[发明专利]用于基于波长分辨软X射线反射法的半导体计量的方法及系统-CN202080056536.9在审
发明人： A·库兹涅佐夫;张超 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-07-26 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明提出用于在多个衍射级处基于波长分辨软x射线反射法(WR‑SXR)而测量半导体结构的结构及材料特性的方法及系统。WR‑SXR测量是在具有宽光谱宽度的多个衍射级内的同时高吞吐量测量。所述多个衍射级中的每一者处波长分辨信号信息的可用性改善了测量准确度及吞吐量。每一非零衍射级包含多个测量点，每一不同测量点与不同波长相关联。在一些实施例中，用10到5,000电子伏特的范围中的x射线辐射能以1到45度的范围中的掠射入射角执行WR‑SXR测量。在一些实施例中，照射射束经控制以在一个方向上具有相对高发散度且在正交于第一方向的第二方向上具有相对低发散度。在一些实施例中，采用多个检测器，每一检测器检测不同衍射级。
用于基于波长分辨射线反射半导体计量方法系统

[发明专利]用于图案化晶片特性化的混合度量-CN201780064586.X有效
发明人：陈博学;A·韦尔德曼;A·库兹涅佐夫;A·舒杰葛洛夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明呈现用于评估图案化结构的几何特性的方法及系统。更特定来说，根据混合度量方法通过两个或两个以上度量系统测量由一或多个图案化工艺产生的几何结构。将来自一个度量系统的测量结果传送到至少一个其它度量系统以增大接收系统的测量性能。类似地，将来自所述接收度量系统的测量结果传送回到发送度量系统以增大所述发送系统的测量性能。以此方式，基于从其它协作度量系统接收的测量结果来改进从每一度量系统获得的测量结果。在一些实例中，扩展度量能力以测量先前无法通过独立操作的每一度量系统测量的所关注参数。在其它实例中，改进测量敏感度且减小参数相关性。
用于图案晶片特性混合度量

[发明专利]使用电子显微法的半导体计量及缺陷分类-CN201880085014.4有效
发明人： S·潘戴夫;A·库兹涅佐夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在一些实施例中，从第一源获得半导体结构的相应实例的第一多个电子显微镜图像。所述第一多个电子显微镜图像展示一或多个半导体制造参数的不同值。训练模型，所述模型指定所述第一多个电子显微镜图像与所述一或多个半导体制造参数的所述值之间的关系。收集一或多个半导体晶片上的所述半导体结构的相应实例的第二多个电子显微镜图像。所述一或多个半导体晶片不同于所述第一源。使用所述模型预测所述第二多个电子显微镜图像的所述一或多个半导体制造参数的值。
使用电子显微半导体计量缺陷分类

[发明专利]用于组合的X射线反射测量术与光电子光谱术的系统及方法-CN201980007193.4在审
发明人： A·舒杰葛洛夫;A·库兹涅佐夫;O·可哈达金 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本文中呈现用于基于组合x射线反射测量术XRR及x射线光电子光谱术XPS测量半导体结构的结构及材料特性的方法及系统。组合XRR及XPS系统包含由XRI测量子系统及XPS测量子系统两者共享的x射线照明源及x射线照明光学器件。此通过同时收集来自晶片的相同区域的XRR测量数据及XPS测量数据而增加处理量及测量精确性。组合XRR及XPS系统通过采用XRR测量数据以改进由所述XPS子系统执行的测量而改进测量精确性且反之亦然。另外，组合XRR及XPS系统实现XRR测量数据及XPS测量数据两者的同时分析以更精确地估计一或多个所关注参数的值。在进一步方面中，独立地控制测量点大小、光子通量、射束形状、射束直径及照明能量中的任一者。
用于组合射线反射测量光电子光谱系统方法

[发明专利]先进纳米结构的测量方法-CN201880077785.9在审
发明人： M·源;P·阿金斯;A·库兹涅佐夫;列-关·里奇·利;N·马尔科娃;P·奥雅吉;M·苏辛西科;H·舒艾卜;胡大为 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：可基于来自晶片计量工具的光谱确定结构的参数化几何模型。所述结构可具有几何结构诱发的各向异性效应。可从所述参数化几何模型确定所述结构的色散参数。这可实现用于测量具有诱发不可忽略的各向异性效应的几何结构及与周围结构的相对位置的纳米结构的计量技术。这些技术可用于特性化例如FinFET或及环绕式栅极场效应晶体管的半导体制造中的涉及金属及半导体目标的工艺步骤。
先进纳米结构测量方法

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