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[发明专利]半导体封装结构的制作方法-CN202210229939.X在审
发明人：王东;康鹏鹏;蒋静超 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：所述制作方法中，在对芯片贴装模块和引线框架进行焊接时，在所述引线框架表面的焊接区设置焊料，再将所述焊接区对准并贴合到封装基板上的相应位置，使所述引线框架上的焊料回流，实现所述引线框架和所述芯片贴装模块的焊接，由于引线框架表面较为平坦，便于定位焊料涂敷位置，有助于精确地控制焊料位置和焊料量，降低工艺难度，避免现有技术在封装基板上设置焊锡时存在的控制难度高、工艺风险大的问题。
半导体封装结构制作方法

[发明专利]平面气体放电灯体的制造方法-CN201210417833.9无效
发明人：关德威 -专利权人：上海信洁照明科技有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J9/38 文献下载
摘要：一种平面气体放电灯体的制造方法包括：（a）在第一玻璃板上形成连续沟槽；（b）在第二玻璃板周边涂布焊料而形成具有槽道的焊料区；（c）将第一玻璃板和具有焊料的第二玻璃板贴合，使得焊料区与连续沟槽和第二玻璃板构成放电腔体，第一玻璃板覆盖所述槽道而形成透气间隙；（d）对放电腔体进行排气处理和充气处理；（e）加热所述焊料而使得焊料熔融并在所述第一玻璃板和第二玻璃板表面施加块压力而使得焊料熔合封闭所述透气间隙。本发明利用透气间隙作为充气和排气处理的通道，通过加热焊料而封合第一玻璃板和第二玻璃板而使得焊料自然封闭所有透气间隙，无需另外的管道封合切割，从而，彻底简化了生产工艺，生产效率高。
平面气体放电灯制造方法

[发明专利]大功率激光二极管烧结用气体介质匀化装置-CN201510024999.8有效
发明人：王伟;任永学;闫立华;房玉锁 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率激光二极管烧结用气体介质匀化装置，涉及光电技术领域，包括中部设有镂空区的支架，镂空区一侧支架上设有连接板，镂空区的边缘能与烧结设备的吸嘴密封配合，支架上设有与进气管和出气管连通的进气通路和尾气通路，进气通路和尾气通路另一端与支架中部的镂空区相通。将支架安装在烧结台上，使带有焊料的热沉与镂空区内的连接板固定，带有焊料的热沉上放置大功率激光二极管，烧结设备的吸嘴吸附在镂空区上方，还原气体自进气通路进入，能充分覆盖在焊料表面，可充分还原激光二极管芯片烧结区域焊料本发明具有结构简单、可匀化还原气体，提高焊料还原的一致性的优点。
大功率激光二极管烧结气体介质化装

[发明专利]改进的倒装芯片连接封装-CN00817709.0无效
发明人： K·伊施达;K·塔卡哈施;J·库波塔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2000-09-27 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：该方法包括将焊料块施加到接触区，并将倒置的集成电路芯片置于所需位置，使得焊料块与集成电路芯片和衬底的接触区相接触。然后将焊料块加热以将芯片固定，使得焊料块则形成衬底和集成电路之间的连接。
改进倒装芯片连接封装

[发明专利]一种高密度芯片焊接结构及焊接方法-CN201910758036.9在审
发明人：张博威 -专利权人：华宇华源电子科技(深圳)有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明一种高密度芯片焊接结构，包括金属载体，位于金属载体上的金属连接区，安装于金属连接区上的多个芯片，金属载体为一体化的金属材料或者在绝缘基材表面附着一层金属导体的载体，金属连接区包括多个金属焊盘或者多条电路走线和多个金属焊盘或者阻焊层，金属焊盘上设有焊料层，焊料层上设有助焊层，电路走线的端点与金属焊盘电连接，金属焊盘通过焊料层的焊料及高温与芯片的焊盘或者电极焊接。本发明解决了现有的银胶焊料存在树脂材料与芯片热膨胀系数不匹配，导致粘接后芯片容易与焊料分层、银粉不能100％填充，导电和散热不佳等问题。
金属焊盘焊料金属连接金属载体焊料层金属材料金属导体芯片芯片热膨胀系数绝缘基材表面高密度芯片电极焊接电路走线多条电路高度相等焊接结构金属基材树脂材料一体化不相等电连接阻焊层散热导电分层焊层焊盘银粉银胶粘接走线附着填充匹配

[实用新型]一种高密度芯片焊接结构-CN201921337381.7有效
发明人：张博威 -专利权人：华宇华源电子科技（深圳）有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型一种高密度芯片焊接结构，包括金属载体，位于金属载体上的金属连接区，安装于金属连接区上的多个芯片，金属载体为一体化的金属材料或者在绝缘基材表面附着一层金属导体的载体，金属连接区包括多个金属焊盘或者多条电路走线和多个金属焊盘或者阻焊层，金属焊盘上设有焊料层，焊料层上设有助焊层，电路走线的端点与金属焊盘电连接，金属焊盘通过焊料层的焊料及高温与芯片的焊盘或者电极焊接。本实用新型解决了现有的银胶焊料存在树脂材料与芯片热膨胀系数不匹配，导致粘接后芯片容易与焊料分层、银粉不能100％填充，导电和散热不佳等问题。
一种高密度芯片焊接结构

[发明专利]具有表面接合元件的无限射频系统标签的制造方法及结构-CN200810002334.7无效
发明人：杨志辉;张天国;施锦秀 -专利权人：飞信半导体股份有限公司
申请日： 2008-01-08 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有表面接合元件的无限射频系统标签的制造方法及结构，该制造方法主要包含提供一薄膜基板，该薄膜基板的一上表面形成有一天线、一第一连接垫及一第二连接垫，其中第一连接垫定义有一第一表面接合元件设置区、一第一显露区与一位于第一表面接合元件设置区与第一显露区之间的一第一防扩散层设置区；形成一第一防扩散层于第一防扩散层设置区；形成一第一焊料于第一表面接合元件设置区，第一焊料被第一防扩散层限位于第一表面接合元件设置区，以防止第一焊料扩散至第一显露区；以及设置一表面接合元件于薄膜基板，该表面接合元件的一第一电极位于该第一表面接合元件设置区，且该第一电极借由该第一焊料电性连接至该第一连接垫。
具有表面接合元件无限射频系统标签制造方法结构

[实用新型]半导体封装结构-CN202022347461.X有效
发明人：廖弘昌;钱进;田亚南;刘振东 -专利权人：日月光半导体(威海)有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：根据本申请的一实施例，一种半导体封装结构包括散热片、绝缘片、基板、半导体元件及封装材料；其中该散热片具有承载盘及从该承载盘沿第一方向向外延伸的延伸部；其中该绝缘片通过第三焊料固定于该承载盘的第一表面上；其中该基板包括通过第二焊料固定于该绝缘片上的半导体元件承载区以及从该半导体元件承载区沿第二方向向外延伸的第一管腿，该第二方向与该第一方向相反；其中该半导体元件通过第一焊料固定于该半导体元件承载区上；且该封装材料经配置以包覆至少以下结构：该承载盘的第一表面、该第三焊料、该绝缘片、该第二焊料、该半导体元件承载区、该第一管腿的一部分、该第一焊料及该半导体元件。
半导体封装结构

[发明专利]半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法-CN202180089414.4在审
发明人：藤野纯司;伊波康太;浅田晋助;巽裕章 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属部件(2)、金属薄膜层(3)、焊料部(51)以及合金部(41)。金属薄膜层(3)覆盖金属部件(2)。金属薄膜层(3)包括第1区域(R1)。焊料部(51)将半导体元件(1)与金属薄膜层(3)的第1区域(R1)接合。合金部(41)被配置在比第1区域(R1)靠外侧的位置。合金部(41)是金属部件(2)与金属薄膜层(3)的合金。金属薄膜层(3)具有比金属部件(2)更高的针对焊料部(51)的浸润性。合金部(41)具有比金属薄膜层(3)更低的针对焊料部(51)的浸润性。
半导体装置电力转换以及制造方法

[发明专利]一种焊料隔离结构以及电子器件-CN201811583773.1有效
发明人：刘敏;陈文祥;孙俊杰;杨秀武;李超 -专利权人：烟台艾睿光电科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种焊料隔离结构以及电子器件，其中焊料隔离结构，包括位于焊接载体上表面的中间连续镀金环区、断续的内镀金环区、断续的外镀金环区，中间连续镀金环区为焊接环，断续的内镀金环区与中间连续镀金环区不相交且位于中间连续镀金环区的内侧，断续的外镀金环与中间连续镀金环区不相交且位于中间连续镀金环区的外侧，断续的内镀金环区、断续的外镀金环区包括多个不相交的独立镀金区，相邻镀金区之间通过毛细效应吸附焊料并阻止焊料穿过。通过焊接载体上表面的中间连续镀金环区的内侧和外侧设置断续的内镀金环区、断续的外镀金环区，通过毛细效应吸附焊料并阻止焊料穿过，实现对焊料的隔离和限制，提高了产品的良品率。
一种焊料隔离结构以及电子器件

[发明专利]一种光发射激光器的TO-can封装结构及其封装方法-CN202010873250.1有效
发明人：江坤;黄剑科;石国金 -专利权人：广东瑞谷光网通信股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01S5/02212 文献下载
摘要：本发明涉及光传输领域，特别涉及一种光发射激光器的TO‑can封装结构及其封装方法，其中TO‑can封装结构的管座具有凸起，热沉固定在凸起上，其正面远离凸起并平行管座的中轴线设置，热沉的正面具有分上下层对齐放置的两个金锡焊料区，两个金锡焊料区所连直线与管座的中轴线平行，激光器共晶在上层金锡焊料区上，激光器射出的光束朝上并与管座的中轴线平行，监控探测器的光敏区设于其侧壁面，监控探测器共晶在下层金锡焊料区上，其光敏区朝向激光器的背光面，光敏区所在平面较之水平面倾斜，管座经金线与激光器、监控探测器建立电气连接关系，管帽上的透镜对准激光器光口。
一种发射激光器 to can 封装结构及其方法

[实用新型]一种光发射激光器的TO-can封装结构-CN202021816976.3有效
发明人：江坤;黄剑科;石国金 -专利权人：广东瑞谷光网通信股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01S5/02212 文献下载
摘要：本实用新型涉及光传输领域，特别涉及一种光发射激光器的TO‑can封装结构，其中TO‑can封装结构的管座具有凸起，热沉固定在凸起上，其正面远离凸起并平行管座的中轴线设置，热沉的正面具有分上下层对齐放置的两个金锡焊料区，两个金锡焊料区所连直线与管座的中轴线平行，激光器共晶在上层金锡焊料区上，激光器射出的光束朝上并与管座的中轴线平行，监控探测器的光敏区设于其侧壁面，监控探测器共晶在下层金锡焊料区上，其光敏区朝向激光器的背光面，光敏区所在平面较之水平面倾斜，管座经金线与激光器、监控探测器建立电气连接关系，管帽上的透镜对准激光器光口。
一种发射激光器 to can 封装结构

[发明专利]一种半导体激光器封装结构及其制备方法-CN201711203984.3在审
发明人：颜建;胡双元;黄勇;何渊 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器封装结构及其制备方法，其中结构包括热沉，形成在热沉第一表面上的焊料层，以及通过焊料层焊接在第一表面上的半导体激光器管芯，半导体激光器管芯的脊区靠近焊料层设置；其中，第一表面上开设有一凹槽，凹槽长度方向与脊区长度方向平行；且脊区设置在凹槽的垂直上方。通过在热沉的一个表面上开设一个凹槽，半导体激光器管芯通过焊料与热沉焊接固定，且半导体激光器管芯的脊区在凹槽的垂直上方，采用这种半导体激光器封装结构，能防止焊料因受热熔化而污染管芯，同时保证镜面良好的散热
一种半导体激光器封装结构及其制备方法

[发明专利]半导体激光装置及半导体激光元件-CN200610171853.7无效
发明人：松本晃广 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-11-07 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：在层积焊料层(71)的半导体激光元件(32)的最表面部(55)中，在发光区(40)的长边方向(X)及与半导体激光元件(32)、焊料层(71)及装配台(72)的层积方向垂直的宽度方向(Y)上，通过发光区(40)的中央，并且在从与上述宽度方向(Y)垂直的假想一平面到宽度方向(Y)的外侧预先设定的第二距离(L3)的范围(60)内，沿长边方向(X)，形成比发光区(40)的长度(L6)更短、并且与上述焊料层(71不完全粘接层(51)或者不与焊料层(71)粘接，或以不完全状态粘接焊料层(71)。此外，在最表面部(55)中除不完全粘接层(51)外的剩余部分，形成完全粘接层(53)。
半导体激光装置元件

[实用新型]一种半导体激光器封装结构-CN201721605971.4有效
发明人：颜建;胡双元;黄勇;何渊 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体激光器封装结构，包括热沉，形成在热沉第一表面上的焊料层，以及通过焊料层焊接在第一表面上的半导体激光器管芯，半导体激光器管芯的脊区靠近焊料层设置；其中，第一表面上开设有一凹槽，凹槽长度方向与脊区长度方向平行；且脊区设置在凹槽的垂直上方。通过在热沉的一个表面上开设一个凹槽，半导体激光器管芯通过焊料与热沉焊接固定，且半导体激光器管芯的脊区在凹槽的垂直上方，采用这种半导体激光器封装结构，能防止焊料因受热熔化而污染管芯，同时保证镜面良好的散热
半导体激光器管芯脊区热沉第一表面封装结构焊料层焊料垂直凹槽长度方向熔化本实用新型焊接固定镜面受热散热焊接平行污染保证