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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]激光二极管-CN200620121271.3无效
发明人：张暐;陈怀辅;陈忠男 -专利权人：东贝光电科技股份有限公司
申请日： 2006-07-25 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：一种激光二极管，主要设有一承载架，该承载架一端设有大面积结合部，另端则设有至少二引脚，其中一引脚与承载架连结成一体，该承载架上的大面积结合部分别设置有一光二极管晶片(photo diode)及一激光二极管晶片(laser diode)，该二晶片各通过一打线与其它引脚连接，且该光二极管晶片上结合有一透明胶，该激光二极管壳体的顶部设有一开孔。藉此，不仅使光二极管晶片可接收激光以利外接电路作为反馈使用，同时，光二极管晶片与激光二极管晶片均直接结合在承载架上，故令激光二极管的散热佳，并可延长使用寿命以及增加信赖度。
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN201010530347.9无效
发明人：幸田伦太郎;中山雄介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光二极管，通过该激光二极管，能够抑制高密度结晶缺陷和表面粗糙的产生。该激光二极管包括叠层体，该叠层体包括基板上的活性层和电流窄化层。
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN201110369269.3无效
发明人：横山弘之;河野俊介;大木智之;池田昌夫;宫嶋孝夫;渡边秀辉 -专利权人：索尼株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01S5/062 文献下载
摘要：本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。
激光二极管

[实用新型]激光二极管-CN200620017969.0无效
发明人：丁宏玉;王哲红;王国坪 -专利权人：深圳飞通光电子技术有限公司
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本实用新型提供一种激光二极管，包括：管座、激光器芯片和管帽，所述管帽外部形状为半球形，该半球形管帽沿底部中心至顶部设有由大到小的多级台阶通孔，将焊有所述激光器芯片的管座压紧安装至所述多级台阶通孔的最大通孔内，所述多级台阶通孔的最小通孔用于激光器芯片的光束输出。由于上述结构的激光二极管的管帽外部形状为半球形，将该形状的激光二极管组装成激光模组件时，只需使封装结构件套管与半球形管帽的形状相适配即可，这样，激光二极管在结构件套管内可以自由转动，更有利于提高光束光斑形状的对称性和光强分布的对称性且安装调节灵活方便
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN201610941941.4在审
发明人：周明 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光二极管，包括设在顶部的P型半导体和设在底部的N型半导体，所述的P型半导体和N型半导体之间设有光活性半导体，所述的P型半导体、N型半导体和光活性半导体的端面均为抛光面，所述的光活性半导体的材料选自本发明的激光二极管，具有如下技术效果1）引脚不容易被折弯或折断；2）激光二极管的稳定性和互换性好。
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN202080059053.4在审
发明人：张梓懿;久志本真希;天野浩 -专利权人：旭化成株式会社;国立大学法人东海国立大学机构
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：激光二极管(1)具备：AlN单晶的基板(11)；形成在基板上且包含具有n型导电性的氮化物半导体层的n型包层(12)；形成在n型包层上且包含一个以上量子阱的发光层(14)；形成在发光层上且包含具有p型导电性的氮化物半导体层的
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN202310728582.4在审
发明人：王俞授;沈圻 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光二极管，该激光二极管包括n型层、p型层和位于两者之间的有源层；n型层和有源层之间包括有第一波导层；第一波导层包括铝铟镓氮四元合金，第一波导层中铝的浓度为1×1016
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN201880032776.8有效
发明人：朴修益;李建和;李容京 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：根据实施例的激光二极管可以包括：衬底；布置在衬底上的多个发光结构，发光结构中的每个包括第一反射层和第二反射层；与发光结构的第一反射层电连接的第一电极；与发光结构的第二反射层电连接的第二电极；布置在第一电极上的第一绝缘层；与第一电极电连接并布置在衬底上的第一结合焊盘；以及与第二电极电连接并且布置在衬底上的第二结合焊盘。
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN201880061152.9有效
发明人：克里斯托夫·艾克勒;马蒂亚斯·彼得;扬·瓦格纳 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：描述一种激光二极管(10)，具有半导体层序列(12)，所述半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料，所述激光二极管包括：n型包覆层(2)；第一波导层(3A)；第二波导层(3B)；和设置在第一波导层(3A)和第二波导层(3B)之间的有源层(4)，所述有源层用于产生激光辐射；和p型包覆层(6)，其中p型包覆层(6)具有朝向有源层(4)的第一子层(6A)和背离有源层的第二子层(6B)。第二子层(6B)具有Alx2Ga1‑x2N，其中0≤‑S x2≤x1min，
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN202111184990.5有效
发明人：王俞授;沈圻 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光二极管，该激光二极管包括n型层、p型层和位于两者之间的有源层；n型层和有源层之间包括有第一波导层；第一波导层包括铝铟镓氮四元合金，第一波导层中铝的浓度为1×1016
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN201010223179.9无效
发明人：增井勇志;前田修;幸田伦太郎;荒木田孝博;城岸直辉;近藤幸一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种激光二极管，包括：以如下顺序的第一多层膜反射镜、有源层及第二多层膜反射镜；以及第一氧化窄化层和第二氧化窄化层。与第二氧化窄化层相比，第一氧化窄化层靠近有源层形成，所述第一氧化窄化层包括平面内中间区的第一未氧化区，并且包括第一未氧化区外围的第一氧化区。第二氧化窄化层包括在面向第一未氧化区的区域中的直径小于所述第一未氧化区的第二未氧化区，包括在不面向第一未氧化区的区域中的第三未氧化区，并且包括在第二未氧化区和第三未氧化区外围的第二氧化区。
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN201110082192.1无效
发明人：增井勇志;荒木田孝博;菊地加代子;成瀬晃和;近藤幸一;城岸直辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明提供一种激光二极管。该激光二极管能够使台的直径设定为很小，而不使用损失装置可靠性且不易控制的方法。该激光二极管包括：柱形台，依次包括第一多层膜反射镜、有源层和第二多层膜反射镜，包括在面中间具有未氧化区域的氧化物限制层，并且柱形台在面方向上的截面形状不同于未氧化区域在面方向上的截面形状；以及多个金属电极
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN02147937.2无效
发明人：迈克尔·A·海斯;郑骅;詹姆斯·M·迪鲁特;邱钧 -专利权人：明尼苏达州采矿制造公司
申请日： 1992-05-15 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种II－VI化合物半导体激光二极管，包括：构成一个pn结的多个II－VI半导体层，包括至少一个第一光导层；上述pn结内的II－VI半导体激活层；支撑上述的多个II－VI半导体层的一个半导体衬底；以及位于上述的多个II－VI半导体层相对的两侧的第一、第二电极，用于将电能耦合至上述的激光二级管。
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN92103575.6无效
发明人：迈克尔Ａ·海斯;郑骅;詹姆斯Ｍ·迪鲁特;邱钧 -专利权人：明尼苏达州采矿制造公司
申请日： 1992-05-15 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种II-VI化合物半导体激光二极管(10)是通过叠加多层材料而形成的。半导体光导层(14和16)所形成的PN结；光导层(14和16)之间的II-VI半导体的量子阱激活层(18)；第一电极(32)，其中所述衬底(12)位于N型光导层(14)和所述第一电极(32)之间；以及第二电极(30)，其中所述P型光导层(16)位于N型光导层(14)和所述第二电极(30)之间。
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN200610159248.8无效
发明人：佐藤庆二;林隆一郎;及川健二;浅野竹春 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-08-08 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种低材料成本的容易组装的激光二极管。提供在衬底上具有激光器结构的第一发光器件，在衬底上具有激光器结构的第二发光器件，以及支撑基底。第一发光器件和第二发光器件以第一发光器件和第二发光器件的各个激光器结构彼此相对的方式依次叠层在支撑基底上，第一发光器件的衬底侧和第二发光器件的激光器结构侧电连接到支撑基底。
激光二极管

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