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[发明专利]半导体器件和制造方法-CN202311050444.1在审
发明人：亚当·R·布朗;里卡多·L·杨多克 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：布置在相应的第一载体和第二载体上的第一半导体裸片和第二半导体裸片，第一半导体裸片和第二半导体裸片各自包括布置在相应半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应半导体裸片的底部主表面上的第三接触；第一裸片连接部分和第二裸片连接部分，布置在相应的第一载体和第二载体上，所述第一载体和第二载体连接到相应的第一半导体裸片和第二半导体裸片的第三接触；以及第一接触连接构件，从第一半导体裸片的第一接触延伸到第二载体的裸片连接部分，第一半导体裸片的第一接触与第二半导体裸片的第三接触电连接。
半导体器件制造方法

[发明专利]Z型导接平板式二极管结构-CN202310727073.X在审
发明人：林慧敏;张成刚;张梓彤;吴宛儒 -专利权人：深圳市安邦半导体有限公司;林慧敏
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种Z型导接平板式二极管结构，系包含一承载平板，内侧用于承载并连结晶组，外侧为此结构元件之第一外接电极。一晶组，下方一面与承载平板连接，上方一面与上导接平板连接。一Z型导接板，包含上端平台、导柱、下端平板三部分；上端平台用于连接上导接平板，导柱连结上端平台与下端平板；下端平板外侧为此结构元件之第二外接电极。一上导接平板，内侧一端设有凸台或凸点用于连接晶组，另一端设有凸点及或凹槽用于连接Z型导接板之上端平台。在承载平板、晶组、上导接平板、Z型导接板彼此之间的承载与连接处均以焊材将其黏接。
型导接平板二极管结构

[发明专利]半导体装置-CN202310323653.2在审
发明人：丸山力宏;小田佳典;原田孝仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，即使水滴附着于引线框架也能够防止发生短路。布线保护部(35)包裹第一、第二引线框架(51、52)的一部分，并具备供第一、第二引线框架(51、52)突出的包裹面(35a)。包裹面(35a)与半导体芯片平行，并且在第一、第二引线框架(51、52)之间包括相对于包裹面(35a)突出的止水部(36)。在该情况下，即使顺着第一、第二引线框架(51、52)流动的水滴到达包裹面(35a)，在包裹面(35a)上水滴向对置的第一、第二引线框架(51、52)侧的移动被止水部(36)妨碍。因此，能够防止第一、第二引线框架(51、52)的短路，抑制半导体装置的可靠性的降低。
半导体装置

[发明专利]半导体组件及其制备方法、半导体装置-CN202211590512.9有效
发明人：朱益峰;曹凯 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体组件及其制备方法、半导体装置，半导体组件包括：第一电气载板和第二电气载板；半导体器件，半导体器件的第一电极与第一电气载板电气连接，半导体器件的第二电极与第二电气载板电气连接；封装体，封装体包裹半导体器件、第一电极与第一电气载板的连接处以及第二电极与第二电气载板的连接处；第一电气载板具有第一散热部，第二电气载板具有第二散热部，电连接部的至少一部分、第一散热部和第二散热部露出封装体。根据本发明实施例的半导体组件，可以形成两个散热路径，增加了半导体器件的导热面积，进一步提高半导体器件的散热效率，从而可以限制半导体器件的内部温度不超过一定值，提高半导体组件的使用可靠性。
半导体组件及其制备方法装置

[实用新型]半蚀刻引线框架-CN202320864075.9有效
发明人：孙彬;孙静;李文学 -专利权人：青岛泰睿思微电子有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半蚀刻引线框架，该引线框架包括：基岛，所述基岛的背面设有凹陷部；设于所述基岛下侧的引脚，所述引脚的背面设有凹入部；以及填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层，所述封装层的下表面与所述基岛及所述引脚的背面相平齐。本实用新型的引线框架设置有封装层，利用封装层填充基岛及引脚背面的凹陷部与凹入部，大大提升了引线框架的平整度，在DB和WB工艺中不存在真空吸附不牢，不规则跳动等问题，从而也就不会发生虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象，能够提高产品的良率。
蚀刻引线框架

[实用新型]一种半导体引线框架-CN202222220200.0有效
发明人：孙彬;孙静;葛丰;吴令钱;李碧;李文学;程洪新 -专利权人：青岛泰睿思微电子有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体引线框架，包括框架主体，所述框架主体中间区域设置有基岛，所述基岛通过基岛连筋与所述框架主体固定连接，所述框架主体两侧分别设置有多个上部内引脚和多个下部内引脚，所述上部内引脚和所述下部内引脚数量相同，且所述上部内引脚和所述下部内引脚以所述基岛连筋为对称轴对称设置，所述上部内引脚和所述下部内引脚上均设置有固胶孔，所述框架主体上还设置有塑封线，所述塑封线在所述框架主体上形成塑封区域，所述固胶孔设置在所述塑封区域之内，且所述框架主体边缘设置有流道以供塑封胶流通。本实用新型能够增强引线框架与黑胶的结合力，减少引线位置分层，提高产品可靠性。
一种半导体引线框架

[实用新型]扁平化插件整流桥-CN202321333558.2有效
发明人：熊鹏程;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：扁平化插件整流桥，涉及半导体技术领域。包括设置在塑封体内的框架单元；所述框架单元包括从左向右依次间隔设置的框架一、框架四和框架二；所述框架四的下方设有与之间隔设置的框架三，所述框架三的载片台上设有第三芯片，所述第三芯片通过第三跳线与框架一电性连接；所述框架四的载片台上设有第四芯片，通过第四跳线与框架一电性连接；所述框架二的上载片台上设有与框架四电性连接的第一芯片，下载片台上设有与框架三电性连接的第二芯片。本实用新型内部结构紧凑，塑封本体减小，成本大幅度降低。
扁平插件整流

[发明专利]旁路二极管结构及旁路二极管-CN202310945873.9在审
发明人：聂磊;王杭辰 -专利权人：杭州道铭微电子有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种旁路二极管结构，包括第一框架、第二框架、晶粒以及跳片，所述第一框架和第二框架通过跳片连接在一起，所述晶粒焊接在第二框架上，所述跳片上设有晶粒连接端和引脚端，所述晶粒连接端焊接在晶粒上，所述引脚端有两个，分别为第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和第二引脚对称地焊接在第一框架上。本发明通过对二极管的结构进行改进，使得电流通过截面积增大，散热面积增大，提高了产品性能。
旁路二极管结构

[发明专利]封装结构-CN202210625451.9在审
发明人：李仁智;王良丞;赵韦翔 -专利权人：碇基半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种封装结构。封装结构包括一导线架，包括一栅极衬垫、一源极衬垫以及一漏极衬垫，设置于该导线架上；一氮化镓功率元件，具有一栅极端，其中该氮化镓功率元件设置于该导线架的该源极衬垫上；以及一静电放电保护元件，包括一第一衬垫，其中该静电放电保护元件设置于该导线架的该源极衬垫上，该氮化镓功率元件的该栅极端电性连接该静电放电保护元件的该第一衬垫，以及该静电放电保护元件的该第一衬垫电性连接该导线架的该栅极衬垫。
封装结构

[发明专利]一种新型IC倒装封装结构-CN202310658691.3在审
发明人：黄泽军;宋贵波 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种新型IC倒装封装结构，包括引线框架和设置在引线框架上的集成电路芯片，引线框架上设有多个基岛，每个基岛上均印刷有锡膏；集成电路芯片的焊盘分别对应基岛通过贴片的方式放置在基岛上，锡膏经过回流炉融化后完成基岛与焊盘的电连接。本发明通过将功率器件的倒装封装技术应用于IC封装，可以提高生产效率，提升生产良率，降低生产成本，提升产品竞争力。
一种新型 ic 倒装封装结构

[发明专利]一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构-CN202311030512.8在审
发明人：王生辉;梁志明;王建国;方云;刘雪晴;孟晴 -专利权人：天津中宇通达半导体有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构，属于半导体封装技术领域。该发明包括封装基板、封装盖板和半导体芯片，所述封装基板上设有限位槽和安装槽，所述封装基板侧壁固定连接有引脚整流桥；通过封装模块、抗干扰模块、压敏电阻器、电动伸缩杆和防尘膜之间的配合使用，当封装盖板与基板进行扣合时，压力块会对固定套筒内的密封胶进行挤压，密封胶会在气压的作用下由喷口喷向限位槽，这就实现了对芯片的自动密封，无需额外注胶处理，较为方便；此外，通风口和防尘膜的设置可以有效隔尘的同时也可以更好地传递半导体芯片产生的积热，当压敏电阻器感应到电压超出预设范围时，可通过控制电动伸缩杆降低屏蔽罩来保护敏感元件的正常工作。
一种引脚整流抗干扰半导体封装结构

[发明专利]半导体装置以及半导体封装-CN202010003905.X有效
发明人：小山将央;池田健太郎 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种半导体装置以及半导体封装，实施方式的半导体装置防止常导通晶体管的上升速度及下降速度的降低，降低开关损耗。半导体装置具备：具有第1源极、第1漏极以及第1栅极的常关断晶体管；具有第2源极、第2漏极以及第2栅极的常导通晶体管；对上述第1栅极及上述第2栅极进行驱动的栅极驱动电路；第1电阻；第2电阻以及第1电容器；具有第1阳极和第1阴极的第1整流元件；具有第2阳极和第2阴极的第2整流元件；第1电感器；电连接在上述栅极驱动电路的基准电位节点与上述第1源极之间的第2电感器；串联连接在上述第1源极与上述第2源极之间的第2电容器及第3电感器。
半导体装置以及封装

[实用新型]SPI NAND闪存存储系统-CN202321107466.2有效
发明人：黎江南;刘焱 -专利权人：联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器技术领域，具体涉及一种SPI NAND闪存存储系统。SPI NAND闪存存储系统包括：NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和合封层；所述引线框架载体包括位于中部的载片区和位于所述载片区外周的引脚区，所述框架引脚区中设有多个框架引脚；所述NAND闪存芯片通过第一粘接层粘附在所述载片区的正面；所述SPI芯片通过第二粘接层粘附在所述NAND闪存芯片的正面；所述NAND闪存芯片通过多条第一引线连接所述SPI芯片，所述SPI芯片通过多条第二引线对应连接所述框架引脚；所述NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和第一引线、第二引线封装于所述合封层中。本申请提供的SPI NAND闪存存储系统，可以解决相关技术中数据的问题。
spi nand 闪存存储系统

[发明专利]一种高可靠性的板级扇出型封装结构及封装工艺-CN202310841895.0在审
发明人：肖智轶;马书英;刘苏 -专利权人：华天科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性的板级扇出型封装结构及封装工艺，所述结构包括：框架结构，所述框架结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，且该框架结构具有若干贯穿第一表面和第二表面的通槽；至少一个芯片，所述芯片埋入所述通槽中，芯片的正面与所述框架结构的第二表明齐平；塑封层，所述塑封层对芯片及框架结构进行填充，其厚度大于芯片及框架结构的厚度，且塑封层的其中一面与框架结构的第二表明齐平；至少一层重布线层，所述重布线层通过绝缘介质间隔堆叠于芯片的正面；信号导出结构，所述信号导出结构与重布线层电连接。本发明以框架结构作为骨骼，在贴片及塑封时，对芯片起到限位的作用，可降低贴片及塑封的制程中的芯片的偏移问题。
一种可靠性板级扇出型封装结构工艺

[发明专利]一种电子封装器件及其制造方法-CN202311077167.3在审
发明人：李万霞;郭小伟;吕海兰;熊涛 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种电子封装器件，包括引线框架，所述引线框架设置有“#”或者“王”形状的安装槽，所述引线框架的“#”或者“王”形状的安装槽内部和表面均设置有绝缘胶水，所述绝缘胶水凝固后并与引线框架的引脚形成一个整体，芯片上设置有粘片胶DAF膜，芯片和粘片胶DAF膜经烘烤之后划片分离，划片分离的芯片安装到引线框架上，芯片与引线框架之间连接有焊线，引线框架上设置有用于将芯片塑封的塑封体，通过在镂空的引线框架上先涂绝缘胶水，将框架引脚之间的缝隙用绝缘胶水填充，并形成固定的形状，由绝缘胶水来固定引线框架的引脚及引脚之间的间隙，实现芯片放在框架上无悬空、不晃动的问题。
一种电子封装器件及其制造方法

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