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[实用新型]半导体激光器-CN202221378246.9有效
发明人：杨冰;袁俊 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括半导体衬底、功能层和激光器元件，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，功能层位于第一表面，激光器元件位于功能层背离半导体衬底的一侧，其中该功能层能够提高激光器元件工作热量传导至半导体衬底的速率，并能够降低半导体衬底对激光器元件出射光线的反射，这样半导体激光器就能够有效散热的同时降低反射，解决了半导体的热传递问题和光反射问题。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN98801362.2无效
发明人：董杰;松本功 -专利权人：日本酸素株式会社
申请日： 1998-09-07 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及在2μm波段振荡的高性能的半导体激光器。迄今，1.3μm至1.55μm的波段的半导体激光器的开发正取得进展，但关于预期有很宽的利用技术领域的2μm的波段的半导体激光器的开发，还是不充分的。本发明的半导体激光器是在波长为2μm频带振荡的使用了InGaAs/InGaAsP材料的压缩应变量子阱半导体激光器，它是以光限制层的带隙Eocl与量子阱层的基底能级间的发光转移能Ewell的差ΔE是275～300meV为特征的在2μm波段振荡的高性能的半导体激光器。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN201780071378.2有效
发明人：克里斯蒂安·劳尔;托马斯·斯威特利克 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：提出一种半导体激光器(10)，所述半导体激光器具有有源区(1)和波导(2)，其中有源区具有有源层(13)，所述有源层在半导体激光器运行时构建用于产生电磁辐射。波导构建用于在半导体激光器内引导在半导体激光器运行时产生的电磁辐射。波导具有子区(210，220)，所述子区由化合物半导体材料形成，其中化合物半导体材料的一种材料的份额在整个子区中沿着竖直方向朝向有源区逐渐升高，由此子区的折射率朝向有源区逐渐减小。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN201010183504.3无效
发明人：小杉朋之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器。该半导体激光器可以实现减少光的内部损失而不使覆层变厚。该半导体激光器包括半导体基板上的半导体层。该半导体层从半导体基板侧依次具有下覆层、有源层、上覆层和接触层，并且在上覆层和接触层之间具有折射率低于上覆层的折射率的第一低折射率层。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN200410058890.8无效
发明人：鴫原君男;川崎和重 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-08-03 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：提供一种半导体激光器，前端面为低反射率，且由温度变化导致的振荡波长的变化小。该半导体激光器至少具有有源层、包层、和出射光的端面，在其端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，该低反射膜的反射率变成极小的波长位于半导体激光器增益变成最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随波长增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失变成相等半导体激光器增益变成最大的波长下的低反射膜的反射率优选为小于等于1％。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN201080057349.9有效
发明人：迪米特里·迪尼;马克·希尔加利斯 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：提出了一种半导体激光器（1），所述半导体激光器具有：带有设置用于产生辐射的有源区域（20）的半导体本体（2）；和桥状区域（3）。桥状区域具有沿着发射方向延伸的纵轴线（30），所述纵轴线以相对于半导体本体的沿发射方向延伸的中轴线（25）沿横向偏移的方式设置。此外，提出了一种用于制造半导体激光器的方法。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN201910015103.8有效
发明人：林宏翔;刘佟;崔晗;蔡昭权;魏晓慧 -专利权人：惠州学院
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器，定义一XYZ空间直角坐标系，则该半导体激光器包括：位于Z轴方向前方和后方的电极；用于在电极通电时产生激光的有源区；位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层；以及位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层，所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上。其中，所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。本发明的半导体激光器能够直接输出线偏振激光，无需再外部添加光学器件，结构简单，除作为激光器使用外，本发明的半导体激光器结构还可以应用于介质激光加速器的使用。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN202211560226.8在审
发明人：陈少康;刘宇;班德超;徐长达;白金花;王欣;袁海庆;陈伟;李明;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括在同一衬底上并排配置的有源区、增益调控区、相位区、光栅区和隔离区，其中，所述增益调控区采用与所述有源区相同的结构和材料，用于与所述有源区产生光电相互耦合作用，以改变所述半导体激光器的增益。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN202211587458.2有效
发明人：周听飞;张通;赵卫东;杨国文;张艳春;惠利省 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01S5/0239 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器，涉及半导体技术领域，半导体激光器包括封装壳体、芯片、热沉和恒流源电路；所述芯片、所述热沉和所述恒流源电路均设置在所述封装壳体内；所述芯片包括第一电极和第二电极，通过所述第一电极的电流小于通过所述第二电极的电流；所述恒流源电路包括电阻元件，所述电阻元件为贴片电阻器；或；所述恒流源电路的外侧套设有第一密封结构；或；所述芯片的外侧套设有第二密封结构。本发明提供的半导体激光器将恒流源电路内置在封装壳体内部，以实现对第一电极和第二电极提供不同大小的电流，该方案无需改变封装壳体的外部结构，能够使半导体激光器适应现有的封装壳体标准件进行封装，提高半导体激光器封装的便捷性
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN200510074156.5无效
发明人：我妻新一;内田史朗 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-02-17 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器，其具有这样的配置，即能够修正当在不规则表面条件下进行外延生长时折射率之间的差别。形成一种半导体激光器，其具有化合物半导体的半导体激光器元件，该化合物半导体包含至少Al和In并且具有至少p型包层、有源层和n型包层，并且该半导体激光器具有这样的配置：其中与n型包层的Al成分相比至少部分
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN200810004838.2无效
发明人：臧二军;曹建平;李烨;方占军 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体激光器，包括：半导体激光管(1)、准直透镜(3)、光栅(12)和F-P腔，其中，所述F-P腔为单块折叠F-P腔(5)。通过本发明使得光栅外腔半导体激光器不用反馈锁定电子系统，实现输出激光的谱线宽度小于100kHz，解决常规光栅外腔半导体激光器谱线较宽的问题，以及分立元件稳定性不好，体积过大和系统复杂等问题。
半导体激光器

[外观设计]半导体激光器-CN202130094992.X有效
发明人：詹敏;李建;陈焱;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司;大族激光智能装备集团有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体激光器。2.本外观设计产品的用途：用于做激光泵浦源，或直接作为半导体激光器使用，或作为更高功率的半导体激光器组合模块进行使用。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN202011250503.6在审
发明人：刘杰;雷谢福;张艳春;杨国文;赵卫东 -专利权人：苏州度亘光电器件有限公司;度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体激光器，涉及激光设备的技术领域。本申请的半导体激光器包括冷却外箱和发光件，冷却外箱具有内腔以及与内腔相通的进口和出口；发光件设于内腔内，发光件上设有至少一个贯穿发光件的冷却通道，冷却通道的两端均与内腔相通。本申请能够通过在发光件外设冷却外箱，在发光件上直接开设冷却通道，提高发光件的散热能力，从而既能提高半导体激光器的功率，又能提高半导体激光器的稳定性和长期可靠性。
半导体激光器

[实用新型]半导体激光器-CN202022588805.6有效
发明人：刘杰;雷谢福;张艳春;杨国文;赵卫东 -专利权人：苏州度亘光电器件有限公司;度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体激光器，涉及激光设备的技术领域。本申请的半导体激光器包括冷却外箱和发光件，冷却外箱具有内腔以及与内腔相通的进口和出口；发光件设于内腔内，发光件上设有至少一个贯穿发光件的冷却通道，冷却通道的两端均与内腔相通。本申请能够通过在发光件外设冷却外箱，在发光件上直接开设冷却通道，提高发光件的散热能力，从而既能提高半导体激光器的功率，又能提高半导体激光器的稳定性和长期可靠性。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器-CN200910002480.4无效
发明人：中川康幸;蔵本恭介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第一绝缘膜和第二绝缘膜的光学膜厚之和为λ/4的奇数倍
半导体激光器

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