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[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201880076538.7有效
发明人：小川翔平;藤野纯司;石川悟;重本拓巳;石山祐介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：具备：绝缘基板(1)，陶瓷基材(1b)和冷却用翼片(1a)成为一体；板状的布线部件(5)；以及半导体元件(3a)，一面经由芯片下焊料(4)接合到绝缘基板(1)的陶瓷基材(1b)侧，另一面以使多个板状的布线部件(5)分别对应的方式经由芯片上焊料(6)接合到多个板状的布线部件(5)，芯片下焊料(4)以及芯片上焊料(6)都包含0.3wt％以上且3wt％以下Ag、包含0.5wt％以上且1wt％以下Cu、以Sn为主成分，不会损害散热性而实现小型化。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法-CN202180089414.4在审
发明人： 藤野纯司;伊波康太;浅田晋助;巽裕章 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属部件(2)、金属薄膜层(3)、焊料部(51)以及合金部(41)。金属薄膜层(3)覆盖金属部件(2)。金属薄膜层(3)包括第1区域(R1)。焊料部(51)将半导体元件(1)与金属薄膜层(3)的第1区域(R1)接合。合金部(41)被配置在比第1区域(R1)靠外侧的位置。合金部(41)是金属部件(2)与金属薄膜层(3)的合金。金属薄膜层(3)具有比金属部件(2)更高的针对焊料部(51)的浸润性。合金部(41)具有比金属薄膜层(3)更低的针对焊料部(51)的浸润性。
半导体装置电力转换以及制造方法

[发明专利]半导体模块及其制造方法-CN201980018426.0有效
发明人：米田裕;藤野纯司;畑端佳;佐藤甚 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：包含：载体，其具有表面、背面、及将表面与背面连接的侧面；半导体元件，其焊接于载体的表面之上；以及块体，其焊接于载体的背面之上，半导体元件从载体的第1侧面凸出至外侧，在载体的与第1侧面正交的第2侧面以及第3侧面，分别从载体的表面向背面方向形成凹部，凹部配置为在通过夹头对载体的表面进行了吸附的状态下夹头的凸部固定于凹部。
半导体模块及其制造方法

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电力转换装置-CN202180061687.8在审
发明人：岩井贵雅;藤野纯司;桥本知明;五藤洋一;铃木裕一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：半导体装置(SD)具备半导体元件(5)、金属部件(1)、插座(ST)以及密封树脂(11)。在金属部件(1)上搭载有半导体元件(5)。插座(ST)与金属部件(1)电连接。密封树脂(11)密封半导体元件(5)和金属部件(1)。密封树脂(11)在半导体元件(5)与金属部件(1)彼此重叠的方向上包括第一面(S1)和第二面(S2)。插座(ST)被配置成从密封树脂(11)的第二面(S2)露出。在半导体元件(5)与金属部件(1)彼此重叠的方向上，插座(ST)被配置在比密封树脂(11)的外缘(11a)靠内侧的位置。
半导体装置制造方法电力转换

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201880013261.3有效
发明人：坂元创一;藤野纯司;川岛裕史;前田健寿 -专利权人：三菱电机株式会社;MIYOSHI电子株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种针对热应力进一步提高可靠性的半导体装置。另外，本发明的半导体装置具备：绝缘层(32)；导电层(33)，与绝缘层(32)的一方主面接合；以及半导体元件(1)，配置为上表面与绝缘层(32)的所述一方主面朝向相同的方向，在半导体元件(1)的上表面设置有上表面电极(9)，还具备：具有中空部分(4a)的布线部件(4)，一端与半导体元件(1)的上表面电极(9)电接合，另一端与导电层(33)电接合；第1密封材料(71)；以及第2密封材料(72)，比第1密封材料(71)软，第1密封材料(71)以与半导体元件(1)接触的方式密封半导体元件(1)的至少一部分，第2密封材料(72)以与布线部件(4)接触的方式密封布线部件(4)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]功率模块、电力变换装置以及功率模块的制造方法-CN201880026475.4有效
发明人： 藤野纯司;井本裕儿;小川翔平;石原三纪夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：目的在于获得密封树脂的密合性充分且可靠性高的功率模块。具备：在陶瓷板上形成有导体层(13)的图案的绝缘基板(11)；配置于绝缘基板(11)上的功率半导体元件(21、22)；从功率半导体元件(21、22)的电极连接到螺纹紧固端子部(611、612)的板状的引线框(611a、612a)；以及密封功率半导体元件(21、22)与引线框(611a、612a)的连接部以及周边的密封树脂部(7)，在引线框(611a、612a)中，在俯视时至少一部分与绝缘基板11的未形成有导体层13的部分重叠的位置设置有开口部(611b、612b)。
功率模块电力变换装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180022576.6在审
发明人： 藤野纯司;小川道雄;川添智香;和田文雄;石川悟 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：作为对搭载于主表面翘曲的绝缘基板上的半导体元件稳定地连接电路，具有高的可靠性的半导体装置的功率模块(100)具备绝缘基板(10)、散热部件(20)以及电极板(30)。绝缘基板(10)搭载IGBT(41)以及二极管(42)。散热部件(20)通过第1焊料(51)与绝缘基板(10)接合。电极板(30)以与半导体元件之上的至少一部分重叠的方式配置。绝缘基板(10)主表面以绝缘基板(10)向散热部件(20)侧成为凸形状的方式翘曲。第1焊料(51)相比于俯视时的中央部在端部更厚。半导体元件通过第2焊料(52)与电极板(30)接合。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201780044550.5有效
发明人： 藤野纯司;井本裕儿;小川翔平;石原三纪夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：具备：半导体元件(21、22)，具有表面电极；电极板(63)，在俯视时面积大于半导体元件(21、22)的表面电极，由铝或者铝合金构成；以及金属部件(61、62)，具有与半导体元件(21、22)的表面电极利用焊料(31、32)来接合的接合面，在俯视时面积小于半导体元件(21、22)的表面电极，该金属部件由与电极板(63)不同的金属构成，紧固于电极板(63)，将半导体元件(21、22)的表面电极和电极板(63)进行电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210151661.9在审
发明人：野田一真;近藤聪;藤野纯司;小川道雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。目的在于提供能够抑制未填充部的产生的技术。半导体装置具有基座板、壳体、半导体元件。半导体元件配置于基座板及壳体的空间体内。半导体装置具有引线电极。引线电极在空间内与半导体元件的上表面连接。半导体装置具有凸起部。凸起部在空间内配置于引线电极的上表面。半导体装置具有封装树脂。封装树脂在空间内对半导体元件及引线电极进行封装。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]紧贴性评价试验用的试验片的制造方法及紧贴性评价方法-CN202180009105.1在审
发明人：岩井贵雅;藤野纯司;大森畅彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：紧贴性评价试验用的试验片的制造方法具备：准备半导体装置的工序(S100)；以及形成紧贴性评价试验用的试验片的工序(S200)。在准备半导体装置的工序(S100)中，半导体装置具备：基底构件；半导体元件，所述半导体元件搭载于基底构件；以及密封树脂，所述密封树脂将基底构件及半导体元件密封。在形成紧贴性评价试验用的试验片的工序(S200)中，由半导体装置的密封树脂在基底构件上形成紧贴性评价试验用的试验片。
紧贴评价试验制造方法

[发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN202180008642.4在审
发明人： 藤野纯司;小川道雄;川添智香;井本裕児;小川翔平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备基板(1)、硬钎料(5)、层叠材料(2)、软钎料(4)以及半导体元件(3)。第1金属层(21)在相对于第1导体层(12)而与陶瓷层(11)相反一侧利用硬钎料(5)接合于第1导体层(12)。第2金属层(22)在相对于第1金属层(21)而与第1导体层(12)相反一侧层叠于第1金属层(21)。半导体元件(3)利用软钎料(4)接合于第2金属层(22)。第1导体层(12)以及第1金属层(21)的材料包括铝。第2金属层(22)针对软钎料(4)的润湿性比第1金属层(21)高。
半导体装置以及电力变换

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置以及电力转换装置-CN202080083528.3在审
发明人：川添智香;藤野纯司;北川达哉;村田大辅;梶勇辅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：在陶瓷基板(5)搭载半导体元件(19)。将搭载了半导体元件(19)的陶瓷基板(5)收容在壳体(13)内。使硅烷偶联剂的溶液流入壳体(13)内。除去壳体(13)内的溶液。对在使溶液流入壳体(13)内的工序中附着于半导体元件(19)等的溶液施加处理，从而在半导体元件(19)等的表面形成底涂剂层(35)。通过在壳体(13)内填充密封材料(37)，对形成有底涂剂层(35)的半导体元件(19)等进行密封。
半导体装置制造方法以及电力转换

[发明专利]半导体装置、功率转换装置以及半导体装置的制造方法-CN202080073761.3在审
发明人：小川道雄;藤野纯司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开中的半导体装置具备冷却板(12)、衬底(10)、半导体元件(21)、电极板(51)、弹性构件(41a1)和接合构件(31a2)，所述衬底(10)的反面与冷却板(12)接合，所述半导体元件(21)在正面设置有电极(21a)，反面与衬底(10)的正面接合，所述电极板(51)配置为与半导体元件(21)的正面相对，所述弹性构件(41a1)为导电性且具有弹性力，设置于半导体元件(21)与电极板(51)之间，一端与电极(21a)线接触或面接触，另一端与电极板(51)线接触或面接触，所述接合构件(31a2)为导电性，将电极(21a)和弹性构件(41a1)的一端接合，并将电极板(51)和弹性构件(41a1)的另一端接合。
半导体装置功率转换以及制造方法

[发明专利]半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置-CN202080069138.0在审
发明人：岩井贵雅;铃木裕一郎;白尾明稔;小杉祥;藤野纯司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：模塑模具(51)具备：朝向型腔(52)注入成为模塑树脂的流动树脂的树脂注入浇口部(59)、积存在型腔(52)中流动来的流动树脂的树脂积存部(63)、以及树脂积存浇口部(65)。树脂积存部(63)设置于隔着型腔(52)与配置有树脂注入浇口部(59)的一侧相反的一侧。树脂积存浇口部(65)将型腔(52)与树脂积存部(63)之间连通。树脂积存浇口部(65)的开口截面积比树脂注入浇口部(59)的开口截面积小。
半导体制造装置使用方法

[发明专利]半导体装置-CN201780024543.9有效
发明人：清水悠矢;藤野纯司;川岛裕史;作谷和彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：半导体装置具备：引线框(25)；与引线框(25)电连接的半导体元件(8a)的电极(24)；导电性接合层(9a)，设置于引线框(25)与电极(24)之间，接合引线框(25)和电极(24)；以及金属线(22a)，具有与引线框(25)接合的第1端部(21a)及设置于导电性接合层内(9a)的躯体部，躯体部沿着引线框(25)的表面而延伸。即使用导电性接合层接合引线框和半导体元件的电极，也能够减小引线框与半导体元件之间的电阻。
半导体装置

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