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[发明专利]降低单晶炉内氧化物的隔离阀、单晶炉及方法-CN202310899965.8在审
发明人：杨宗川;马玉怀;曹启刚;王黎光;徐慶晧;芮阳;张昆;王忠保;赵泽慧 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种降低单晶炉内氧化物的方法，涉及单晶炉除杂技术领域，包括连接吹扫部、开合部，连接吹扫部包括第一法兰、第二法兰、通气管，第二法兰内开设环形空腔，第二法兰内侧均匀设置数个吹扫孔，数个吹扫孔向一个方向倾斜，吹扫孔与环形空腔连通，第一法兰、第二法兰对称设置在开合部的上方、下方，第一法兰与所述开合部上端连接，开合部下端与第二法兰连接，通气管与第二法兰连接以与环形空腔连通，通过向通气管、环形空腔的内部吹入氩气，使得氩气从吹扫孔吹出来，使得氧化物被吹扫，防止氧化物在开合部聚集、凝结，当二次加料结束后，氧化物排出，降低氧化物落入石英坩埚内的概率，进而降低晶棒的良率，减少NG次数。
降低单晶炉内氧化物隔离单晶炉方法

[发明专利]降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法-CN202210604027.6有效
发明人：魏兴彤;闫龙;芮阳;张昆;徐慶晧;王黎光;曹启刚 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，属于硅片加工技术领域，本发明在晶棒拉制时，通过控制晶棒的拉速以控制晶棒的生长界面，将凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状，以使晶棒生长界面的凝固时间相同，进而在垂直生长轴方向的切割方向上，径向的凝固时间相同，使得杂质在各点的浓度一致，进而在CP腐蚀后的Wafer表面不会出现同心圆或偏心圆环纹，使得产品的良率不会被降低。
降低重掺锑 100 杂质条纹方法

[发明专利]改善单晶硅微缺陷的方法-CN202310926929.6在审
发明人：张兴茂;张昆;徐慶晧;王黎光;曹启刚;芮阳;王忠保;赵娜 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种改善单晶硅微缺陷的方法，涉及晶棒拉制方法技术领域，在晶棒拉制过程中，具有冷却系统的热场包括水冷热屏，所述水冷热屏内开设环形水冷空腔，所述环形水冷空腔与所述水冷热屏的形状相同，在所述水冷热屏内的环形水冷空腔通入预定温度的冷水，使得在拉速V相同的情况下，固液界面中心与边缘温度梯度G近似为1，使得单晶横截面不会存在两种不同点缺陷的富积区，进而使得COP缺陷的形成得到了抑制，有效的减少单晶中的粒子缺陷（COP)。
改善单晶硅缺陷方法

[发明专利]高效截断碳板的截断方法-CN202311083883.2在审
发明人：殷效财;马玉怀;芮阳;徐慶晧;王黎光;曹启刚;魏瑶;兰正东;陈元寿 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B28D1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种高效截断碳板的截断方法，涉及碳板截断技术领域，将圆柱形工件与树脂板进行粘接，组成承载工装；将碳板可拆卸固定在树脂板上，组成待切割工件，将待切割工件放置在截断机的V形槽上，且圆柱形工件与截断机的V形槽接触，将截断机压紧装置压合在碳板的上表面；将切割头的头升降轴下降使得锯带与碳板为预定距离，打开切削水，驱动主轴匀速旋转，再将切割头的头升降轴下降使得锯带切割碳板；碳板切割完成，关闭截断机；通过使用晶棒的截断机对碳板进行截断，提高截断效率，减少碳板崩边、破裂的概率，且截断机的切割头的头升降轴进行垂直升降，使得碳板的截断端面平整，误差小，不会对工作人员造成不适。
高效截断方法

[发明专利]降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法-CN202310771018.0在审
发明人：刘彦鹏;芮阳;王忠保;伊冉;徐慶晧;曹启刚;王黎光;张昆 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法，涉及重掺器件正向压降控制方法技术领域，在预定氩气流量下，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时均能够达到预定的比值，以降低晶棒的氧含量，进而氧与空位结合的概率降低，不易形成体微缺陷，且使得氧含量径向分布均匀，进而降低器件端正向压降VF异常的概率。
降低重掺砷器件端正 vf 异常方法

[发明专利]真空泵前置除尘装置及单晶炉-CN202310772064.2在审
发明人：马旭武;马玉怀;芮阳;徐慶晧;曹启刚;王黎光;张昆;王忠保;赵泽慧 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B01D45/14 文献下载
摘要：一种真空泵前置除尘装置，包括分离仓、引流分离机构；分离仓为内部中空且内径从上至下逐渐增大的筒体，分离仓的内壁上设有集尘板，分离仓的上端设有盖板，分离仓的顶部设有与分离仓内部连通的第一管道，分离仓的下端设有集尘室，在集尘室的底部设有与分离仓内部连通的第二管道，集尘室的底部还设有与分离仓连通的第三管道；引流分离机构沿分离仓的轴线纵向可转动的设置于分离仓的内部，引流分离机构的下端正对第二管道的出口端。本发明可实现分离仓的自动清洁、以及化合物颗粒的自动回收；在此过程中，无需人工再对分离仓进行清理，不仅清理程序简单，而且降低劳动强度、提高了工作效率。本发明还提供了一种单晶炉。
真空泵前置除尘装置单晶炉

[发明专利]提高晶棒轻、重掺杂效率的方法-CN202310926832.5在审
发明人：李巨晓;曹启刚;袁绪兵;宽军;芮阳;王忠保;徐慶晧 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种提高晶棒轻、重掺杂效率的方法，涉及晶棒掺杂方法技术领域，在化料结束后，打开单晶炉副炉室，将掺杂剂装入容纳筒体中，所述防挥发盖体盖合在所述筒体的开口上，通过挂接组件挂在单晶炉重锤上，关闭副炉室，对副炉室进行净化，净化后打开隔离阀，将炉压稳定；下降晶升，当容纳筒体的下沿距硅溶液液面预定距离后停止下降，进行掺杂，使得掺杂剂升华或液化直接通过挥发孔进入硅溶液中，防止被炉内的气流抽走，进而掺杂效率提高，拉制成晶棒后的电阻率降低。
提高晶棒轻掺杂效率方法

[发明专利]滤芯、过滤器及过滤系统-CN202310886497.0在审
发明人：张学涛;马玉怀;王黎光;徐慶晧;曹启刚;芮阳;张昆;王忠保;赵泽慧 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B01D29/23 文献下载
摘要：本发明涉及一种滤芯，包括支撑筒体、第一过滤网、第二过滤网和两个端盖，支撑筒体上设置多个开孔，第一过滤网经过多次往复折弯后形成多个第一内折皱和第一外折皱，第一过滤网环绕设置在支撑筒体外侧，第二过滤网经过多次往复折弯后形成多个第二内折皱和第二外折皱，第二过滤网环绕设置在第一过滤网外侧，每一个第一外折皱外部对应设置一个第二外折皱，依次从内到外环绕的支撑筒体、第一过滤网和第二过滤网的两端经过挤压严实形成密封部后分别安装一个端盖，通过第一外折皱提升毛絮等杂质的储存空间的同时，靠近支撑筒体的第一内折皱的部分超滤孔没有被毛絮等杂质堵塞使得滤芯能够持续进行过滤，延长了滤芯的使用周期，从而减少了滤芯的更换次数。
滤芯过滤器过滤系统

[发明专利]辅助减少轴承箱震动的夹具及其安装方法-CN202310923434.8在审
发明人：陈元寿;马玉怀;赵娜;徐慶晧;王黎光;曹启刚;芮阳;王忠保;张昆 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种辅助减少轴承箱震动的夹具及其安装方法，该夹具包括：弧形块、弹性组件和N个固定件；弧形块的正侧面上设置有贯穿的第一固定孔，用以将该弧形块固定在待进行减震的轴承箱上；弧形块的内侧面和外侧面为同向弯曲的弧面，弹性组件固定连接在弧形块的内侧面上，且弹性组件与内侧面之间存在间隙；外侧面上设置有N个第二固定孔，每一个第二固定孔均贯穿弧形块的外侧面和内侧面，每一个固定件的一端均穿过一个第二固定孔接触到弹性组件上。本方案能够减少轴承箱产生的震动，使得线切割机具有更高的精度，进而提高硅片加工的质量。
辅助减少轴承震动夹具及其安装方法

[发明专利]重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法-CN202210947356.0有效
发明人：周文辉;芮阳;王忠保;马成;徐慶晧;曹启刚;王黎光;张昆 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法，涉及硅单晶生产技术技术领域，在晶棒进入等径拉制时，通过在预定等径长度内调整晶体的结晶速率、温度进行晶棒拉制，本发明通过温度变化，保证晶体的结晶速率能够下降，从而降低在预定等径长度内晶棒的结晶速率，使得在预定等径长度内晶棒的结晶速率下降缓慢，使得晶棒在预定等径长度内结晶时间缩短，并且在保证不会发生晶变的情况下，一方面，使得砷的挥发作用小于其分凝作用，使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布，进而晶棒电阻率不会发生反翘；另一方面，使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布，由此能够明显提升电阻率0.003Ω.cm以下的产品比例。
重掺砷晶体生产抑制电阻率方法

[发明专利]控制切割硅片形貌的工艺方法-CN202310726300.7在审
发明人：赵延祥;芮阳;徐慶晧;马玉怀;曹启刚;王黎光;张昆;王忠保;赵泽慧 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供控制切割硅片形貌的工艺方法，涉及切割硅片的控制方法技术领域，通过在机架上开设水冷腔，在硅片不同切割位置根据监测件监测到的机架的膨胀量向水冷腔内通入第一预定温度曲线的冷水，正负补偿晶锭在不同切割区域的膨胀状况，从而改善硅片的入刀形状，控制和提高硅片的平坦度，进而使硅片形貌和MC侧形貌一致，改善硅片warp，且避免晶锭由于硅片局部区域内急速变形引起的nano问题，使得硅片质量提高。
控制切割硅片形貌工艺方法

[发明专利]等径过程中的温度补偿方法和装置-CN202310338426.7在审
发明人：芮阳;张兴茂;李小红;徐慶晧;王忠保;黄柳青;王黎光;张昆;熊欢;赵泽慧 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种等径过程中的温度补偿方法，包括：从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据；其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成；针对每一炉温度数据，计算温度数据中各温度值对应的补温参数；利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数；将补温设定参数导入单晶炉的系统中，以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多，数据覆盖面也大，从而得到的温度补偿数据更加可靠，对于晶体的正常生长也更加有利，而且在计算出补温设定参数后，可以直接导入单晶炉的系统中，不需要人工处理，可以节省大量的时间和人力。
过程中的温度补偿方法装置

[发明专利]单晶炉液口距的检测方法-CN202310618051.X在审
发明人：田定琪;芮阳;黄柳青;徐慶晧;王黎光;曹启刚;马成;王忠保;盛旺;邹啟鹏;陈炜南;罗学涛 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司;厦门大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01B11/14 文献下载
摘要：本发明提供单晶炉液口距的检测方法，涉及单晶硅制备的技术领域，在单晶炉炉盖上，安装双目相机，根据炉内液口距的确定方法，使得炉内液口距H为目标液口距，然后从引晶开始，通过所述双目相机对同一位置的倒影同时进行连续拍摄，拍摄的倒影分别在双目相机的像面上成像，每次拍摄得到的图像均进行计算得到实际液口距H1与目标液口距H的位置差ΔH，ΔH=H1‑H，当检测得到ΔH≠0时，进行干预调整坩埚升降速度V1，使得ΔH=0，进而使得在拉晶过程中，检测的实际液口距准确，并且通过干预使得实际液口距始终与目标液口距的差值控在±0.1mm以内，使得热场的稳定性提高，进而提高单晶的存活率，减少NG，并且使得拉制的单晶质量提高。
单晶炉液口距检测方法

[发明专利]多线切割控制切割硅片形貌的方法-CN202310771039.2在审
发明人：赵延祥;王忠保;芮阳;徐慶晧;曹启刚;王黎光;马玉怀;张昆;赵泽慧 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供控制多线切割控制切割硅片形貌的方法，涉及切割硅片的控制方法技术领域，通过在主辊的轴向设置第二水冷腔，在机架上开设第一水冷腔，并通过监测部监测主辊、机架的膨胀量在第二水冷腔、第一水冷腔内通入第二预定温度曲线、第一温度曲线的冷水，并配合砂浆液的温度曲线，防止由于晶锭受热膨胀引起的位置偏差和主辊的位移偏差形成相对位移导致切割硅片产生较大的形貌变量，以及正负补偿由于机架膨胀导致晶锭在不同切割区域的膨胀状况，使得整个切割过程的形状可控，进而提高硅片的平坦度，使硅片NT 10*10、NT 2*2的降低，进而nano提高，从而使硅片warp值整体降低区域平坦，硅片质量更好。
切割控制硅片形貌方法

[发明专利]硅片刻蚀工装及硅片刻蚀方法-CN202310616244.1在审
发明人：徐佳美;芮阳;黄柳青;王若男;祁海滨;冉泽平;徐慶晧;王黎光;曹启刚;王忠保;盛旺;邹啟鹏;陈炜南;罗学涛 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司;厦门大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种硅片刻蚀工装及硅片刻蚀方法，该工装包括：第一插片板、第二插片板、上端板和下端板；上端板包括第一上连接板、第二上连接板和第一固定板，该第一固定板分别与第一上连接板和第二上连接板固定，使上端板呈工字型结构；该第一上连接板的两端以及第二上连接板的两端均分别与第一插片板和第二插片板的上侧连接；下端板与上端板结构相似，均为工字型结构；第一插片板和第二插片板上侧的中心部分均设置为镂空结构，且第一插片板的下侧和第二插片板的下侧正对设置若干个插片槽，用以将硅片从第一插片板的插片槽中插入，贯穿至第二插片板上对应插片槽中。利用本工装进行硅片刻蚀能够降低刻蚀成本的同时提高刻蚀效率。
硅片刻蚀工装方法

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