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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种低成本、高精度LED结点温度测量仪器-CN201410127408.5在审
发明人：康勤;汪钢;赵正之 -专利权人：上海力兹照明电气有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED结点温度测量仪器，其包括一个正向压降检测单元、一个数据获取装置、一个水银开关和一个LED驱动，其中该LED驱动为恒定电流源，其中该数据获取装置可通电地与该压降检测单元相连接；其中该水银开关在测量过程中能够将待测
一种低成本高精度 led 结点温度测量仪器

[实用新型]一种低成本、高精度LED结点温度测量仪器-CN201420151595.6有效
发明人：康勤;汪钢;赵正之 -专利权人：上海力兹照明电气有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED结点温度测量仪器，其包括一个正向压降检测单元、一个数据获取装置、一个水银开关和一个LED驱动，其中该LED驱动为恒定电流源，其中该数据获取装置可通电地与该压降检测单元相连接；其中该水银开关在测量过程中能够将待测
一种低成本高精度 led 结点温度测量仪器

[发明专利]一种低正向压降的二极管-CN201310380184.4有效
发明人：乔明;许琬;张昕;章文通;李燕妃;吴文杰;张波 -专利权人：无锡市芯茂微电子有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公布了一种低正向压降的二极管结构，采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N+重掺杂区下方以及栅氧化层和N型轻掺杂区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流,进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P+重掺杂区、N—外延区和N+衬底构成的PiN二极管开启
一种正向二极管

[发明专利]车用二极管热循环负载试验热疲劳寿命曲线的绘制方法-CN201310461902.0有效
发明人：金天;邹新富;赵德;施笑琴;倪锦喜 -专利权人：金华市华强电子科技有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：其特征在于：包括下述步骤：（1）在所述的二极管热循环负载试验测试系统进行管子测试；（2）依据测试数据将正向压降—VF、反向漏电流—IRRM、正向瞬态热阻—ΔVF三个参数和测试循环次数记录；（3）依据步骤（2）的测试结果，形成以正向压降值、反向漏电流值、瞬态热阻值为纵坐标，循环次数为横坐标，构出正向压降热寿命曲线、反向漏电流热寿命曲线、瞬态热阻热寿命曲线；（4）通过三条曲线进行拟合，形成一条车用二极管热循环负载试验热疲劳寿命曲线
二极管循环负载试验疲劳寿命曲线绘制方法

[实用新型]一种导通压降可调的PMOS理想二极管电路-CN202222664622.7有效
发明人：肖安全 -专利权人：岱昆半导体(上海)有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种导通压降可调的PMOS理想二极管电路，理想二极管包括放大器、PMOS管、参考电压源；理想二极管的正端为P，负端为N；PMOS管的源极连接理想二极管的负端N，漏极连接理想二极管的正端P；放大器的正相输入端其优点是：引入适当的参考电压，通过负反馈回路把理想二极管的正向导通压降钳位到引入的参考电压，有效控制理想二极管的正向导通压降，通过调整引入的参考电压值使其大于反馈回路的放大器失调电压就可确保理想二极管反向截止关断
一种导通压降可调 pmos 理想二极管电路

[实用新型]一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件-CN201921723330.8有效
发明人：张啸;苏海伟;赵德益;李洪;赵志方;王允;吕海凤;蒋骞苑;冯星星;李亚文 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有超低残压降容管且具有SCR特性的TVS器件，该器件由两个横向的低容导向管和具有SCR特性的TVS形成，其中低容导向管是由横向的PNPN晶闸管形成，将PNPN晶闸管的阳极和栅极短接形成正向导通二极管，该正向导通二极管和PNPN晶闸管并联，利用该正向导通二极管控制栅极电流来将PNPN晶闸管触发。这样能获得较低的动态电阻的导通特性和较大的通流能力，TVS是利用NPN和PNP闩锁特性形成的，这样能获得大回扫特性来降低TVS的残压。
一种带有超低残压降容管具有 scr 特性 tvs 器件

[发明专利]一种花篮快速旋转装置-CN201810442727.3有效
发明人：张学强;戴军;张建伟;罗银兵 -专利权人：罗博特科智能科技股份有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种花篮快速旋转装置，包括设置在下层的正向旋转装置和设置在上层的反向旋转装置，正向旋转装置和反向旋转装置均包括对称设置的传输组件；正向旋转装置包括第一底座、设置在第一底座下端部的第一升降件和设置在第一升降件上方的旋转组件；旋转组件包括设置在第一升降件上方的第一旋转件；反向旋转装置包括设置在正向旋转装置上方的第二底座、设置在花篮上方的第二升降件、设置在第二升降件下方的第二旋转件和设置在第二旋转件下方的夹紧组件；第二旋转件的下端部设置有连接板
一种花篮快速旋转装置

[实用新型]一种花篮快速旋转装置-CN201820695578.7有效
发明人：张学强;戴军;张建伟;罗银兵 -专利权人：罗博特科智能科技股份有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种花篮快速旋转装置，包括设置在下层的正向旋转装置和设置在上层的反向旋转装置，正向旋转装置和反向旋转装置均包括对称设置的传输组件；正向旋转装置包括第一底座、设置在第一底座下端部的第一升降件和设置在第一升降件上方的旋转组件；旋转组件包括设置在第一升降件上方的第一旋转件；反向旋转装置包括设置在正向旋转装置上方的第二底座、设置在花篮上方的第二升降件、设置在第二升降件下方的第二旋转件和设置在第二旋转件下方的夹紧组件；第二旋转件的下端部设置有连接板
升降件正向旋转旋转件反向旋转装置花篮底座对称设置夹紧组件快速旋转旋转组件连接板下端部本实用新型传输组件夹紧板伸缩件换向下层上层

[发明专利]一种整流器件及其制备方法-CN201510449706.0在审
发明人：钟圣荣;邓小社;周东飞 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：该整流器件中同时包含了MOS结构和PN结，可将MOS器件和PN二极管的优势结合到一起；且采用沟槽型结构，不会产生结型场效应管寄生电阻，即不会限制正向导通压降的降低，同时还可增加器件在单位面积内的沟道密度因此，该整流器件不仅结构简单，而且具有低正向导通压降以及高阻断电压，性能优异。
一种整流器件及其制备方法

[发明专利]一种高压大功率晶闸管电热模型的建立方法-CN200910087423.0有效
发明人：文玲锋;乔尔敏;邓占锋;赵波 -专利权人：中国电力科学研究院
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：损耗Pave(t)由开通正向压降Vtm和工作电流I_A决定。通过连接开通正向压降Vtm、工作电流I_A、损耗Pave(t)和结温T_J等变量之间的关系，建立晶闸管的电热模型，然后在Pspice软件上进行仿真。
一种高压大功率晶闸管电热模型建立方法

[发明专利]一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN201810996515.X有效
发明人：张金平;赵倩;罗君轶;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明由此改善了漂移区载流子分布浓度，增强IGBT的电导调制效应，从而降低器件正向导通压降Vceon，优化IGBT正向导通压降Vceon与关断损耗Eoff之间的折中特性；克服了传统电荷存储层在降低Vceon
一种电荷存储绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种双通道RC-IGBT器件及其制备方法-CN201610592667.4有效
发明人：张金平;熊景枝;底聪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体提供一种双通道逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC‑IGBT)及其制备方法，用于优化传统RC‑IGBT的正向IGBT特性，同时改善反向二极管特性，提高器件的可靠性；本发明通过在器件背面形成具有双通道的单向导电通路，在正向IGBT工作模式下完全消除了snapback现象，并具有与传统IGBT相同的导通压降；在反向二极管续流工作模式下具有小的导通压降；同时由于不需要增加背部P+集电区宽度可采用小的背面元胞宽度，克服了传统
一种双通道 rc igbt 器件及其制备方法

[发明专利]用于精确测试半导体器件温度分布的装置和方法-CN201510396974.0有效
发明人：阙秀福;刘亚男;杨连乔;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明方法包括为待测器件提供可调恒温环境及精确测试电流，记录环境温度及对应正向压降线性拟合得到K系数，加热电流将待测器件加热至稳定状态后高速切换至测试电流，快速采样正向压降并与K系数转换得到冷却曲线，用拟合及平滑方法处理冷却曲线得到更精确且完整的冷却曲线
冷却曲线温度分布图温度分布测试半导体器件红外热像仪测试电流待测器件正向压降高速数据采集模块核心控制模块半导体器件恒流源模块红外热像图电学测试电源模块高精确性高速电流高速切换恒温环境加热电流温度校正系数转换线性拟合恒温箱上位机采样平滑可调拟合校正加热测试拍摄记录

[发明专利]一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN201810996571.3有效
发明人：张金平;赵倩;王康;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：远离漂移区的电荷存储层所用半导体材料相比靠近漂移区的电荷存储层半导体材料的禁带宽度更大，使得不同禁带宽度的半导体材料在其接触界面形成同型异质结，从而形成阻碍漂移区内的少数载流子进入基区的势垒，由此改善了漂移区载流子分布浓度，增强IGBT的电导调制效应，从而降低器件正向导通压降Vceon，优化IGBT击穿电压、正向导通压降Vceon与关断损耗Eoff之间的折中特性；并且本发明通过调整电荷存储层中不同禁带宽度材料的掺杂浓度以及不同禁带宽度材料的组合，能够进一步优化器件工作特性。
一种电荷存储绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有自偏置PMOS的横向沟槽型IGBT及其制备方法-CN201910806854.1有效
发明人：张金平;赵阳;罗君轶;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明在LIGBT器件结构的基础上，加入载流子存储层，增强电导调制效应，减小器件导通压降；用分离栅包裹栅极的侧面，减小密勒电容，降低关断时间，减小关断损耗，改善正向导通压降与关断损耗的折中；同时能够减少器件的栅电荷，降低了驱动损耗；优化了电流下降速率(di/dt)与导通损耗(Eon)的折衷特性；正向导通时自偏置MOSFET的自开启，钳位电荷存储区电压，减小饱和电流，优化短路安全工作区；关断初期自偏置MOSFET开启
一种具有偏置 pmos 横向沟槽 igbt 及其制备方法

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