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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种具有P型浮空层的载流子存储槽栅IGBT-CN200910167911.2无效
发明人：李泽宏;马荣耀;张波;王蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明在现有载流子存储槽栅双极型晶体管基础上引入了P型浮空层(13)，使得载流子存储层几乎无需承受耐压，降低了正向导通压降；P型浮空层还改善了槽栅底部的电场集中效应，使得最大峰值电场得到有效减小，防止了槽栅底部和高浓度载流子存储层附近因电场过高而发生的击穿，大大提高了器件的击穿电压；P型浮空层的存在引入了一个JFET区，器件正向导通时，随着集电极电压的不断增大，JFET区电阻不断增大，使得器件的饱和电流降低，从而在获得更低的导通压降的同时，仍然维持较大的短路安全工作区
一种具有型浮空层载流子存储 igbt

[实用新型]测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置-CN201220214487.X有效
发明人：王新潮;冯东明;叶新民;乐海波;孙岩;陈晓伦 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置，其特征在于它包括三极管芯片（1），所述三极管芯片（1）下面的金属承片台盘（4）上连接测试仪的集电极输入电流线（41），三极管芯片（1）外围的划片槽本实用新型三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线分开，从而使得分立器件三极管芯片可以实现全方位开尔文测试，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试的装置。
测试分立器件三极管芯片正向饱和装置

[实用新型]可降低正向导通压降的肖特基二极管-CN201120063057.8有效
发明人：童钧彦;黄柏昌;赵伟胜;陈坤贤 -专利权人：璟茂科技股份有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可降低正向导通压降的肖特基二极管，主要是在一N+型掺杂层上形成有一N-型掺杂漂移层，该N-型掺杂漂移层具有一表面，并形成一凹入表面的护环，护环内为一P型掺杂区；另外，N-型掺杂漂移层表面进一步形成一氧化层及一金属层该金属层与N-型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒；其中，该N+型掺杂层在肖特基势垒下方形成有一向上延伸的N++型重掺杂层，令肖特基势垒下方的N-型掺杂漂移层的厚度变小，藉降低肖特基二极管的正向导通压降
降低向导通压降肖特基二极管

[实用新型]低正向导通压降的肖特基二极管-CN201120064944.7有效
发明人：童钧彦;王凯莹;吕佳玲;吴国贤;陈坤贤 -专利权人：璟茂科技股份有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低正向导通压降的肖特基二极管，主要是在一N+型掺杂层上形成有一N-型掺杂漂移层，该N-型掺杂漂移层具有一第一表面，并形成一凹入第一表面的护环，护环内为一P型掺杂区；又N-型掺杂漂移层表面进一步形成一氧化层及一金属层，该金属层与N-型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒；本实用新型使该肖特基势垒的高度低于N-型掺杂漂移层的表面，藉此缩小肖特基势垒下方的N-型掺杂漂移层厚度，以进一步降低肖特基二极管的正向导通压降
向导通压降肖特基二极管

[实用新型]一种用于肖特基二极管的正向压降测试电路-CN202021746922.4有效
发明人：陈广宏 -专利权人：扬州晶新微电子有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型属于二极管测试技术领域，尤其涉及一种用于肖特基二极管的正向压降测试电路。本实用新型用于解决正向压降参数测试不便的问题。
一种用于肖特基二极管正向测试电路

[发明专利]具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法-CN202110460839.3在审
发明人：高耿辉;田洪光;黄福成;李晓婉;曲艳凯 -专利权人：厦门吉顺芯微电子有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该方案在保障保证反向电压和反向漏电特性的前提下，实现了正向压降；并通过双层外延结构，由于上层外延浓度低的特点改善了反向偏置下势垒金属附近电场强度；下层外延浓度高可以降低正向导通时提电阻。
具有双层外延结构 trench mos 肖特基整流器件制造方法

[实用新型]IGBT半导体器件-CN201220700511.0有效
发明人：王锐 -专利权人：深圳市可易亚半导体科技有限公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型是一种低正向压降、较大的正向或反向安全工作区的IGBT半导体器件。
igbt 半导体器件

[发明专利]一种快速响应的正反向管压降检测电路-CN201911367707.5有效
发明人：刘春权;鲁挺;艾锡刚;刘冰;孟德阳;张佳明 -专利权人：荣信汇科电气股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种快速响应的正反向管压降检测电路，用于桥式电路中的开关管IGBT的正反向管压降的检测；正反向管压降是指IGBT的集电极和发射极两端并联有二极管，正向电流流过导通的IGBT集电极和发射极两端、反向电流流过二极管时的管压降包括与桥式电路相连接的限压检测电路和正负信号调理电路。限压检测电路包括上采样电阻、钳位二极管、稳压管、限流电阻、滤波电容、第一运算放大器同相端匹配电阻、下采样电阻、第一运算放大器、第一运算放大器反向比例电阻。
一种快速响应反向管压降检测电路

[发明专利]检测控制电路-CN201010216519.5有效
发明人：张诚 -专利权人：东莞钜威新能源股份有限公司
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测控制电路，包括：检测单元，该检测单元包括一具有PN结的半导体管，PN结串接于电路回路中，并在电路回路的充电或放电过程中正向导通，以在PN结的两端产生管压降；放大单元，与检测单元连接，并对管压降进行放大，以产生控制电压；驱动单元，连接放大单元，并响应控制电压输出驱动信号。
检测控制电路

[实用新型]检测控制电路-CN201020246191.7有效
发明人：张诚 -专利权人：东莞钜威新能源股份有限公司
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种检测控制电路，包括：检测单元，该检测单元包括一具有PN结的半导体管，PN结串接于电路回路中，并在电路回路的充电或放电过程中正向导通，以在PN结的两端产生管压降；放大单元，与检测单元连接，并对管压降进行放大，以产生控制电压；驱动单元，连接放大单元，并响应控制电压输出驱动信号。
检测控制电路

[实用新型]一种碳化硅异质结二极管功率器件-CN201921298232.4有效
发明人：吴昊;佟俊宏;陈然;黄兴;陈欣璐 -专利权人：派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：相比于传统碳化硅SBD和PiN二极管而言具有更小的导通压降，且可以在异质结层上通过不同的掺杂形成不同的势垒差随即获得不同的导通压降。因此本实用新型有助于大幅降低功率二极管的开通损耗。且本实用新型在减小二极管正向导通压降的同时对二极管的反向击穿电压不产生或仅产生极小的影响。
一种碳化硅异质结二极管功率器件

[发明专利]一种适用于霍尔传感器集成电路的有源低压降反向电压保护装置-CN201210167654.4无效
发明人：陈宏冰;陈忠志;曾珂 -专利权人：上海腾怡半导体有限公司
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H02H7/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于公开一种适用于霍尔传感器集成电路的有源低压降反向电压保护装置，它包括一有源低压降反向保护单元、一稳压单元、一比较单元及一功率输出单元；所述有源低压降反向保护单元的输入端连接电源Vin，所述有源低压降反向保护单元的输出端依次连接所述稳压单元、比较单元和功率输出单元；与现有的技术相比，当Vin端输入电压为正电压，霍尔传感器正常工作时，导通压降低于10mV；当霍尔传感器遇到反向输入电压时，在50V负电压下，电流小于1mA，可以将正向导通压降减小至
一种适用于霍尔传感器集成电路有源低压反向电压保护装置

[实用新型]一种适用于霍尔传感器集成电路的有源低压降反向电压保护电路-CN201220241822.5有效
发明人：彭卓;陈忠志;贾晓钦 -专利权人：上海腾怡半导体有限公司
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G05F1/569 文献下载
摘要：本实用新型的目的在于公开一种适用于霍尔传感器集成电路的有源低压降反向电压保护电路，它包括一有源低压降反向保护单元、一稳压单元、一比较单元及一功率输出单元；所述有源低压降反向保护单元的输入端连接电源Vin，所述有源低压降反向保护单元的输出端依次连接所述稳压单元、比较单元和功率输出单元；与现有的技术相比，当Vin端输入电压为正电压，霍尔传感器正常工作时，导通压降低于10mV；当霍尔传感器遇到反向输入电压时，在50V负电压下，电流小于1mA，可以将正向导通压降减小至10mV，大幅优化了霍尔传感器的最低工作电压，有效提供反向电压保护，实现本实用新型的目的。
一种适用于霍尔传感器集成电路有源低压反向电压保护电路

[发明专利]高反压穿通式GPP整流芯片及工艺-CN201310484954.X有效
发明人：程德明 -专利权人：程德明
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高反压穿通式GPP整流芯片的制造技术，属于“新型电子元器件——片式半导体器件技术”领域；提出了P型宽耗尽层高反压／N型薄基区穿通式结构技术方案，二次主扩散工艺技术方案；所述产品的反向耐压可超过1600伏，正向压降可降低10％，其它电热特性也得到明显改善，技术指标处于国内领先水平。
高反压穿通式 gpp 整流芯片工艺

[实用新型]一种降低光伏模块正向压降的跳线-CN202123306943.1有效
发明人：曹孙根;许波春;吴博;冯亚宁 -专利权人：安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏模块组件加工技术领域，尤其涉及一种降低光伏模块正向压降的跳线，所述跳线包括第一水平段、第二水平段和第三水平段，所述第一水平段和第二水平段之间设置有第一倾斜端，所述第二水平段和第三水平段之间设置有第二倾斜端所述第三水平段高于第一水平段，所述第三水平段用导电涂膏与芯片焊接，所述第一水平段用导电涂膏与铜片焊接，所述第三水平段与芯片焊接处中心向下凸出设有焊接凸台，所述第一水平段焊接面焊接处设置有跳线锯齿，提高接触面积，显著降低了正向压降
一种降低模块正向跳线

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