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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种具有空穴阻挡层的绝缘栅双极型晶体管-CN201110118723.8无效
发明人：张金平;李泽宏;李巍;安俊杰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明在传统IGBT结构的基础上，在器件的N-漂移区内引入一到多层连续或不连续的N+空穴阻挡层，N+空穴阻挡层的引入有效的减缓了正向导通时N-漂移区内少子空穴向发射极的运动，增加了N-漂移区内空穴的浓度，使整个N-漂移区的电子和空穴浓度大大增加，优化了漂移区载流子浓度分布，增强了器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降，从而获得更好的正向导通压降和关断损耗之间的折衷。
一种具有空穴阻挡绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]一种具有可控集电极槽的SOILIGBT-CN201721104029.X有效
发明人：罗小蓉;魏杰;黄琳华;邓高强;赵哲言;刘庆;曹厚华;孙燕;莫日华;曾莉尧 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时本实用新型的有益效果为，相对于传统短路阳极‑LIGBT结构，本实用新型具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。
一种具有可控集电极 soiligbt

[发明专利]用于冗余功率系统的有源或运算控制器-CN200480027367.7无效
发明人：范伟栋;G·斯托伊契奇;D·于姆 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G05F1/40 文献下载
摘要：为了减少由于二极管正向压降而引起的功率损耗，提出用有源或运算功率MOSFET(M1、M2)来代替二极管。利用有源或运算控制器(30)和功率MOSFET(M1、M2)，功率损耗容易降低90％。为了使N沟道MOSFET(M)当其处于反向时象二极管一样工作，并且当处于正向时具有很小的正向压降，提供了一种或运算控制器(30)。针对速度、稳定性和抗扰性来优化它的偏移、滞后和传输延迟时间。
用于冗余功率系统有源运算控制器

[发明专利]一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法-CN201810909448.3在审
发明人：杨俊;古进;石文坤;迟鸿燕;吴王进 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供的一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，采用N型单晶硅片为衬底材料，使用深结扩散工艺制造欧姆接触，其步骤为：硅片清洗→一次携带源扩散→一次涂源扩散→二次携带源扩散→二次涂源扩散→三次携带源扩散采用携带源扩散和涂源扩散交替扩散的方式，大大提升了芯片的表面浓度，降低了合金型电压调整二极管的正向压降，该工艺对于深结台面型半导体器件的制造具有较高的使用推广价值。
源扩散扩散二极管电压调整正向压降携带合金型涂源台面型半导体器件衬底材料硅片清洗扩散工艺欧姆接触制造芯片

[发明专利]一种高压快恢复整流二极管的制作方法-CN201711411505.7在审
发明人：党楠;古进;龚昌明;吴王进;杨波 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八三七厂）
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：此方法制备的高压快恢复整流二极管，可以很好的兼容反向工作电压、反向恢复时间、正向压降这三个电性参数，满足反向工作电压1500V以上、反向恢复时间100ns以下、正向压降3V以下的工作要求。
快恢复整流二极管反向工作电压反向恢复正向压降制备硼酸二极管制作电性参数工作要求合理配比测试管硼扩散硝酸铝结深制作兼容

[发明专利]芯片及其制作方法-CN202110289994.3在审
发明人：史仁先;王国峰 -专利权人：青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请通过在硅片的表面设置沟槽，使得势垒区的面积增大，进而使得势垒区可以承受的电流密度增加，导致芯片的正向压降降低，这样在相同的芯片尺寸下，本申请由于正向压降较低就有了明显的优势，使得产品竞争力得到了提高
芯片及其制作方法

[发明专利]一种低功耗IGBT器件及其外围电路-CN201410049066.X有效
发明人：任敏;陈伟中;刘永;王为;姚鑫;杨珏琳;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的原理是：利用IGBT工作时电子电流与空穴电流的比值与Vce和Eoff具有对应关系，通过采样检测IGBT工作时的电子电流与空穴电流的比值，从而反馈控制IGBT的栅压，调节器件的工作点，使器件在实际应用时具有最佳的关断损耗与正向导通压降的折中关系本发明的有益效果为，通过采样电子电流与空穴电流比值，来反馈调节栅信号，使IGBT的工作点设置在最低能耗点，实现关断损耗和正向导通压降的最佳折中，从而提高了IGBT的综合性能。
一种功耗 igbt 器件及其外围电路

[发明专利]光伏汇流箱的能效分析方法及装置-CN201510849889.5在审
发明人：杨晓波;王婷;王萍;周丽霞;袁瑞铭;易忠林;丁恒春;沈宇;徐占河;席晓宇 -专利权人：国网冀北电力有限公司电力科学研究院;华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H02S40/34 文献下载
摘要：一种光伏汇流箱的能效分析方法及装置，该能效分析方法包括：利用防反二极管的伏安特性，根据防反二极管的导通电流获取防反二极管的通态压降；根据所述通态压降及导通电流计算单个防反二极管的正向导通损耗；根据所述正向导通损耗计算单个防反二极管的正向导通近似损耗；获取根据光伏汇流的个数及防反二极管个数，根据光伏汇流的个数、防反二极管个数及所述正向导通近似损耗生成光伏汇流箱产生的总功率损耗；根据光伏汇流箱的总输入功率及所述光伏汇流箱产生的总功率损耗生成光伏汇流箱的能效值并输出所述能效值
汇流能效分析方法装置

[发明专利]一种电池电压的检测电路及电压检测方法-CN201610035227.9在审
发明人：秦晓冬;滕虓宇;张昊 -专利权人：北京华大信安科技有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G01R31/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种电池电压的检测电路及电压检测方法，包括限流电阻、二极管和单片机，其中限流电阻的一端用于连接待测电池的正极、另一端连接在二极管的正向输入端，二极管的输出端用于连接待测电池的负极；单片机内ADC模块的Vin接口连接在二极管的正向输入端、Vref接口用于连接待测电池的正极。由于二极管的正向压降具有基本保持不变的特性，所以通过逆向推导的方法，便可计算出待测电池的实际电压值。所述检测电路通过一个电阻和二极管替代现有技术中的升压芯片，元件成本低，可以有效的降低检测电路的成本；本发明实施例提供的电压检测方法中，还提供了对二极管的实际正向压降的标定步骤，进而可提高对电池电压的测量精度
一种电池电压检测电路方法

[发明专利]一种集成异质结二极管的分离栅SiC MOSFET及其制作方法-CN202210423252.X有效
发明人：张金平;吴庆霖;陈伟;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明通过在SiC MOSFET的三维y方向上集成一个异质结二极管，可以在不增加SiC MOSFET元胞宽度的同时，有效的改善寄生体二极管的正向开启压降过大和反向恢复时间过长等问题，并且与内部集成SBD相比，集成的异质结二极管具有更小的正向压降。同时，在JFET区域y方向引入了间隔的P型掺杂区可以改善阻断工作时器件JFET区的电场分布和氧化层内的峰值电场，从而可以在设计时采用浓度更高的CSL层，在不降低器件反向阻断特性的同时，提高器件的正向导通特性，降低器件正向导通时的电阻。
一种集成异质结二极管分离 sic mosfet 及其制作方法

[实用新型]一种防反接电路、自动充电机器人和充电系统-CN202122834518.3有效
发明人：王辉;许哲涛 -专利权人：北京京东乾石科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防反接电路、自动充电机器人和充电系统，涉及电子技术领域，其一具体实施方式包括：第一NMOS管的源极与电源输入端连接、漏极与电源输出端连接、栅极与正向导通控制电路的输出端连接；第二NMOS管的源极与电源输入端连接、漏极与正向导通控制电路的输出端连接、栅极与反向导通控制电路的输出端连接；正向导通控制电路的一个输入端与电源输入端连接，另一输入端与电源输出端连接；反向导通控制电路的一个输入端与电源输入端连接该实施方式利用NMOS导通内阻小于PMOS导通内阻的特点，监测NMOS源极和漏极电压差并反馈到栅极输入端，使源漏极压降可控，实现了正向输入导通压降小，反向输入快速截止的目的。
一种反接电路自动充电机器人和系统

[实用新型]功率半导体器件全动态测试用峰值压降测显仪-CN201822087593.6有效
发明人：程德明;汪瑞昌;汪骏;江文资 -专利权人：黄山市瑞宏电器有限公司
申请日： 2018-12-08 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率半导体器件全动态测试用峰值压降测显仪技术和电路，利用常见电子元器件组成，能在数微秒时间内捕获器件的正向峰值压降数据，并给予长时间存储，带有数据更新及消除开关，使测试者能选择多种测试功能
压降功率半导体器件动态测试电路电子技术基础本实用新型电子元器件捕获器件测试功能时间存储数据更新直接显示制造成本数字表正向测试制作维护

[发明专利]一种能抑制负阻效应的RC‑IGBT-CN201510170843.0有效
发明人：任敏;刘永;蔡果;杨珏琳;牛博;朱章丹;陈海文;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的主要方法是通过对在P型集电区和N型集电区的电极接触之间产生一个适当阻值的金属电阻，在器件正向导通时，电流IF流过此金属电阻R并在金属电阻上产生电压降IFR，使P型集电区/N型缓冲层之间产生电压差，如果IFR大于PN结正向导通压降，PN结将正向导通，进入IGBT工作模式，从而有效抑制负阻效应。
一种抑制效应 rc igbt

[发明专利]一种低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路-CN202210060943.8在审
发明人：章涛;李继华;朱廷刚;范剑平 -专利权人：科能芯（深圳）半导体有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H03K17/689 文献下载
摘要：本发明提供一种低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路，包括驱动电路、耗尽型功率器件、第一P型MOSFET、供电电压检测电路、第二P型MOSFET、二极管、电容、电流隔离检测电路反向电流检测电路；电流隔离检测电路用于检测第一P型MOSFET的漏极处电流的流向以及正向电流的大小；反向电流检测电路用于根据第一P型MOSFET的漏极处电流的流向及正向电流的大小，控制驱动电路的输出。通过通过在第一P型MOSFET的漏极上串联电流隔离检测电路，并添加一个反向电流检测电路，降低了直驱电路的反向损耗，解决了反向导通压降的问题。
一种向导通压降耗尽功率器件电路

[发明专利]一种100V肖特基二极管台面制作方法-CN201510920186.7有效
发明人：张志向;杜林德 -专利权人：天水天光半导体有限责任公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明在于不增加产品尺寸的基础上，通过对势垒区台面腐蚀形成沟槽，达到增加肖特基势垒金属面积、降低正向压降的目的；硅腐蚀液中的HNO₃对硅起氧化作用，HF对硅起腐蚀作用，HAC是在腐蚀过程对整个腐蚀过程起缓冲作用，使整个硅的过程沟槽表面均匀光滑；在衬底硅片势垒区上溅射Ni‑Pt60合金靶材，形成稳定的Ni‑Pt60合金镀层，利用金属Ni与Pt金属的不同特性，降低了漏电流和正向压降，提高了产品结温。
一种 100 肖特基二极管台面制作方法

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