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[实用新型]一种沟槽肖特基二极管的结构-CN201820125545.9有效
发明人：周祥瑞;殷允超 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型的一种沟槽肖特基二极管的结构，极大的提高单位势垒面积，减少了沟槽区域的浪费，有效的降低了正向压降，提高了电流能力。
肖特基二极管本实用新型沟槽结构势垒区分段式分布点状分布电流能力沟槽区域沟槽周边正向压降点状式分段式势垒

[发明专利]一种具有三栅结构的自钳位IGBT及其制作方法-CN202211168951.0在审
发明人：张金平;黄云翔;李小锋;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-25 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明利用浮空P区(14)的电位，为分离栅(11)提供偏置电位，由此形成沟槽下方的电子积累能力，增强了电导调制效应，从而增强了器件的正向导通能力。相较于传统分离栅结构，自偏置结构的引入有益于同时提高器件的导通能力与开关性能，消除了分离栅所带来的负面影响，在改善开关损耗，提升开关速度的同时，也能优化器件正向导通能力，提高了器件正向导通压降与关断损耗之间的折中特性
一种具有结构 igbt 及其制作方法

[发明专利]高正向电流密度的新型碳化硅功率二极管-CN202211410261.1在审
发明人：孔谋夫;陈宗棋;于宁 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体提供了高正向电流密度的新型碳化硅功率二极管，用以克服现有功率二极管正向导通性能与方向性能的制约关系。增大了第二导电类型掺杂区的间距，实现了在不改变器件耐压水平的前提下有效提高电流密度；或者通过刻蚀沟槽后用多晶硅区域来替代第二导电类型掺杂区和肖特基接触，实现了器件更大的电流密度，更小的泄漏电流和更多的导通压降选择；综上，本发明在不牺牲反向性能的前提下，有效提升了器件的正向导通性能，有效改善了器件的整体性能。
正向电流密度新型碳化硅功率二极管

[发明专利]一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管-CN202010051716.X有效
发明人：罗小蓉;欧阳东法;郗路凡;孙涛;杨超;邓思宇;魏杰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在反向续流时，集成二极管导通，具有低的导通压降及快的反向恢复特性。在正向导通时，集成二极管处于关断状态，不影响场效应晶体管的正向导通。在正向阻断时，由于P阱及上方半导体区对栅介质的保护，有效降低栅介质电场，提高栅介质可靠性，因此器件具有更高的击穿电压。
一种具有集成二极管 gan 纵向场效应晶体管

[发明专利]一种具有PMOS电流嵌位的分离栅CSTBT及其制作方法-CN201911070895.5有效
发明人：张金平;王康;赵阳;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明通过在传统的CSTBT基础上引入PMOS结构，有效的改善器件正向导通时的饱和电流，提高了器件的短路安全工作能力，同时由于消除了N型电荷存储层14对器件击穿特性的影响，因此可以提高N型电荷存储层14的掺杂浓度来改善器件正向导通时的载流子分布，从而提高了漂移区的电导调制能力降低了器件正向导通压降，并且，L型分离的栅结构减小了器件的栅电容尤其是密勒电容，提高了器件的开关速度，减小了器件的开关损耗。
一种具有 pmos 电流分离 cstbt 及其制作方法

[实用新型]整流桥电特性测试系统-CN201220384722.8有效
发明人：金天;吴斌;邹新富;倪锦喜;虞伟军 -专利权人：金天
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种整流桥电特性测试系统，包括：反向测试电路、正向测试电路、探针采集接口电路、矩阵切换控制电路、夹具控制电路、微处理器、上位机显示界面、远程接口电路、测试安全保护电路和电源电路，上述反向测试电路、正向测试电路、探针采集接口电路、矩阵切换控制电路和夹具控制电路均与微处理器连接，该微处理器实现对各个电路的控制，对正向压降、反向漏电流、瞬态热阻等参数进行采集、分析、计算、处理。
整流特性测试系统

[发明专利]一种基于显微高光谱成像平台的自动对焦方法及系统-CN202210687806.7有效
发明人：李庆利;孙星宇;王妍 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02B21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于显微高光谱图像的自动对焦方法及系统，方法包括：获取降采样图像；基于降采样图像，获取视场清晰度，并对视场清晰度进行判断，基于判断结果，获取图像序列，基于图像序列，获取正向差值数列及反向差值数列，基于正向差值数列及反向差值数列，得到最清晰图像位置。
一种基于显微光谱成像平台自动对焦方法系统

[发明专利]一种智能三层附极线圈绕制机器人-CN202010083316.7有效
发明人：贺爽 -专利权人：科瓦力（宁波）精密器械有限公司
申请日： 2020-02-09 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H02K15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能三层附极线圈绕制机器人，其包括底板、立板、直线移动机构、环形绕线机构、压线模具机构、滑动压线机构和拉料机构，压线模具机构包括旋转电机、旋转架、绕线模具以及相互嵌套的模具侧正向二层压环和模具侧正向三层压环，绕线模具嵌设有第一油缸和第二油缸，绕线模具设有正向一层限位部，滑动压线机构包括压线驱动气缸、导向架、组合油缸以及依次相互嵌套的压线侧正向一层压环、压线侧正向二层压环和压线侧正向三层压环，组合油缸分别与压线侧正向一层压环、压线侧正向二层压环、压线侧正向三层压环连接；本发明能够绕制出三层附极线圈，机械式操作，大大减轻三层附极线圈绕制的劳动强度。
一种智能三层线圈机器人

[发明专利]具有双向双极晶体管的系统、电路、器件和方法-CN201480004623.4有效
发明人：理查德·A.·布兰查德;威廉·C.·亚历山大 -专利权人：理想能量有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：四个端子的三层BTRAN在任一方向上都以小于二极管压降的正向电压提供基本相同的操作。BTRAN被驱动到高载流子浓度状态，从而使得导通状态电压降非常低。
功率转换器双极晶体管分组开关电路载流子导通状态电压非平衡载流子二极管方法使用浓度条件浓度状态双向开关协同效应正向电压三层双极压降对称驱动融合

[发明专利]半导体光源点亮电路-CN201210214476.6有效
发明人：北河孝悦 -专利权人：株式会社小糸制作所
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H05B37/00 文献下载
摘要：一种半导体光源点亮电路，能够应对广泛的正向压降并且改善了电效率。的升压电压输出端子（BOOST），在与LED侧连接器卡紧的情况下，连接升压电压输出端子（BOOST）和LED（4）的阴极侧；以及控制电路（102），控制DC/DC转换器（6），使得LED电流成为期望的值，并且在正向压降低于电池电压
半导体光源点亮电路

[实用新型]一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片-CN202220989006.6有效
发明人：何海洋;胡健峰;梁金 -专利权人：无锡市查奥微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括由下至上依次设置的背面阴极接触层、衬底、下漂移层及上漂移层；上漂移层上方设有肖特基金属接触层及位于肖特基金属接触层外围的钝化环，上漂移层上端设有至少一个有源掺杂区以及位于有源掺杂区一侧的结终端扩展区这样，可以通过优化漂移层的掺杂浓度找到一个合适的肖特基势垒高度，从而降低碳化硅肖特基二极管的开启电压，在降低正向压降的同时可以兼顾器件的反向漏电流。
一种电流正向碳化硅肖特基二极管芯片

[发明专利]调整过流保护阈值的方法及过流保护阈值调整电路-CN201610240730.8有效
发明人：丁杰;冯纪归;潘年安;陶磊;张成;王志成 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H02H7/122 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种调整过流保护阈值的方法，包括：获取逆变器的直流母线的电压采样值；计算直流母线的电压采样值与第一电压阈值的差值；计算该差值与降额系数的乘积作为降额控制量；将降额控制量限幅到0和第二电压阈值之间；将额定过流保护电压值减去经限幅后的降额控制量，产生逆变桥的桥臂电流正向过流保护电压阈值；对逆变桥的桥臂电流正向过流保护电压值进行取反，产生逆变桥的桥臂电流负向过流保护电压阈值。
调整保护阈值方法电路

[发明专利]一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管-CN201110118624.X有效
发明人：李泽宏;张超;夏小军;张硕;肖璇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明在常规电场阻止平面型绝缘栅双极型晶体管结构中引入由P型浮空层、深槽二氧化硅氧化层和深槽体电极构成的深槽体电极结构，实现一个额外电场的引入，帮助横向耗尽N-pillar，从而在相同的耐压下可提高N-pillar的掺杂浓度，进而降低正向导通时的通态压降体电极上施加一定的正向电压可在器件顶部产生一个和原电场方向相反的逆向电场，降低原峰值电场，使得器件击穿电压提高。深槽体电极结构中的P型浮空层，可有效防止深槽底部的电场集中。器件正向导通时，优化体电极一侧的正向电压，可在厚氧化层一侧形成电子积累层，为电流提供了一个低阻抗的通道。
一种深槽侧氧调制平面绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管-CN201710404322.6有效
发明人：黄铭敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
一种载流子存储增强绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种双重载流子存储增强的IGBT-CN201710447466.X有效
发明人：黄铭敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）器件，其基区与漂移区之间有一个载流子存储区，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，载流子存储区可使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强，而基区与发射极之间的二极管使少数载流子存储效果进一步增强。与传统IGBT器件相比，本发明的IGBT器件可获得更低的导通压降。
一种双重载流子存储增强 igbt