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[发明专利]高浪涌玻璃钝化芯片-CN201510737894.7有效
发明人：万奎;宣玉龙 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明属于片式半导体器件技术领域，具体涉及高浪涌玻璃钝化芯片，包括硅片、硅片的P层、N层以及P层上的玻璃钝化层，P层设有烧结玻璃钝化层的沟道，硅片还设有硼结层，其特征在于：所述的沟道开沟深度为110-135um，沟道宽度为8mil，沟道开沟深度比硼结深度多20um，减小沟道宽度、减小腐蚀深度,以减小侧面腐蚀来实现增大芯片面积，提高抗浪涌能力，调整腐蚀沟道的时间以及调整玻璃钝化层的烧结工艺提高芯片反向恢复时间，正向压降减小，进一步提高芯片抗浪涌能力。
浪涌玻璃钝化芯片

[实用新型]一种嵌入式贴片整流桥-CN201520737777.6有效
发明人：赵婷 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及整流桥技术领域，具体涉及一种嵌入式贴片整流桥，包括整流桥本体、承载整流桥本体的PCB板，所述的PCB板设有镂空孔，所述的整流桥本体嵌入在PCB板的镂空孔内，占据空间较小，与空气接触面积大，散热效率高，显著降低器件外壳温度，提高器件使用的安全性。
一种嵌入式整流

[实用新型]一种超薄大功率整流桥式二极管-CN201520737184.X有效
发明人：万奎;钟俊 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型属于二极管技术领域，具体涉及一种超薄大功率整流桥式二极管，包括铜质底料片、底料片上的四只芯粒以及封装本体，二极管总厚度为1.15±0.05mm，底料片上设有镂空结构的封装区域，封装区域两端设有焊接芯粒的载料平台，四只芯粒分别焊接在载料平台上，芯粒上均设有桥片，桥片一端焊接在芯粒上部，桥片另一端焊接在与该芯粒相对一端设置的焊接台上，底料片的厚度为0.30mm，桥片的厚度为0.20mm，桥片完全封装于封装本体内，载料平台底端面与封装本体底端面平齐形成漏铜结构，为超薄的平脚表面贴装型结构，采用水平设置的4桥片搭桥CLIP结构，大大减小应力，减小二极管厚度，底料片外漏，提高散热效果，热稳定性好，整流效率较高。
一种超薄大功率整流二极管

[实用新型]一种超薄高效ABF整流桥-CN201520737182.0有效
发明人：刘伟;李志伟 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型属于整流桥技术领域，具体涉及一种超薄高效ABF整流桥，包括封装本体以及封装本体上的四个框架料片和四只芯粒，所述的封装本体厚度D为1.10mm，所述的芯粒为ABF芯粒，所述的框架料片设有焊接芯粒的载料平台，载料平台为边长1.50mm的正方形结构，芯粒以反向焊接的方式焊接在载料平台处，框架料片设有延伸出封装本体两侧的四个引脚，引脚底端面处于封装本体底端面底侧，本体薄，减小空间占据，采用反向焊接的方式，有效避免相邻焊锡融合导致的材料电性不良，反向恢复时间短，开关损耗小，效率高。
一种超薄高效 abf 整流

[发明专利]一种无定位线背切玻璃钝化芯片的方法-CN201510609131.4有效
发明人：黄小锋 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及芯片切割处理工艺领域，具体公开了一种无定位线背切玻璃钝化芯片的方法，包括以下步骤：切割过程中，将芯片P面朝下，N面朝上，放置于真空吸盘上吸牢，将激光切割机CCD安装在吸盘下方，对位时，P面图像实时传输到显示屏上，通过调整P面沟槽的朝向及位置，即可将芯片位置摆正，实现无定位线定位，定位结束之后即可切割。采用无定位线背切技术，大大降低了对曝光设备及夹具的要求，缩短了工艺流程，节约了人工及原材料，还能够大幅降低切割偏位的风险。
一种定位线背切玻璃钝化芯片方法

[实用新型]一种片式二极管-CN201320850623.9有效
发明人：何永成;王克文 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种片式二极管，包括本体、左框架条、右框架条以及芯片，左框架条分为左引线段、左过渡段以及左焊接段三部分，左引线段与左焊接段通过左过渡段平滑过渡，右框架条包括右引线段、右过渡段以及右焊接段，右引线段与右焊接段通过右过渡段平滑过渡，右焊接段上表面设有焊锡，芯片下表面通过焊锡与右焊接段固定连接，芯片上表面设有焊锡，左焊接段通过焊锡与芯片固定连接，左过渡段、左焊接段、右过渡段、右焊接段以及芯片均固定在本体内，左引线段从本体内延伸到本体外，右引线段从本体内延伸到本体外，左引线段的下表面以及右引线段的下表面均与本体的下表面在同一平面。本实用新型厚度薄、成本低且散热性好。
一种二极管

[实用新型]桥片料片-CN201320850487.3有效
发明人：何永成;刘伟 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种桥片料片，包括料片本体，还包括多个桥片，所述桥片分为低位段、上升段以及高位段三个部分，所述低位段与高位段通过上升段过渡，所述高位段上表面设有一凹槽，高位段下表面对应位置处设有一向下凸起的凸块，所述高位段与料片本体固定连接，所述料片本体侧边设有多个定位孔。本实用新型桥片料片用于在桥片式平脚二极管的生产流程中精确地提供桥片，增加二极管生产流程中的自动化程度。
桥片料片

[实用新型]框架条料片-CN201320848890.2有效
发明人：何永成;刘伟 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种框架条料片，包括料片本体，还包括设置在料片本体上的多组框架条对，所述框架条对由第一框架条和第二框架条组成，所述第一框架条分为第一低位段、第一上升段以及第一高位段，所述第一低位段与第一高位段通过第一上升段平滑过渡，所述第一低位段与料片本体固定连接，所述第二框架条分为第二低位段、第二上升段以及第二高位段，所述第二低位段与第二高位段通过第二上升段平滑过渡，所述第二低位段与料片本体连接。采用上述结构后本实用新型在生产桥片式平脚二极管的生产流程中提供二极管所需的框架条，且能精确定位，对于料片受到的应力也能有很好的缓冲。
框架条料片

[实用新型]Trench肖特基二极管-CN201320837912.5有效
发明人：何永成;李健 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子器件领域，具体的指一种Trench肖特基二极管，包括高浓度N+型衬底，N+型衬底的下表面为接触金属，上表面为半导体，特别的，所述半导体的上表面镀有肖特基势垒金属，并开设有沟槽，沟槽的内表壁具有二氧化硅薄层，沟槽内通过溅射参入多晶，所述的肖特基势垒金属和沟槽表面覆盖一层接触金属。本实用新型提出的Trench肖特基二极管的VF特性具有普通二极管无法超越的优势，降低二极管上消耗的功率，从而提高充电效率。
trench 肖特基二极管

[发明专利]一种二极管半成品酸洗转换设备-CN201210394967.3无效
发明人：徐康;邵云 -专利权人：常州泰坦机械有限公司;常州星海电子有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管半成品酸洗转换设备，包括控制柜，控制柜上设有控制台，控制台旁边设有操作台，操作台上设有安装X轴机械手的龙门立板，X轴机械手的滑台安装板上设有Z轴机械手和固定式摄像头，Z轴机械手的滑台安装板上安装有专用治具，操作台上龙门立板下设有垂直于X轴机械手和Z轴机械手的Y轴机械手一和Y轴机械手二，Y轴机械手一上设有酸洗板工作台，Y轴机械手二上设有烘烤板工作台。本发明的有益效果：通过设置机械手实现了自动搬运，自动化程度高，生产效率高，生产成本大大降低。
一种二极管半成品酸洗转换设备

[发明专利]低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法-CN201310697435.1有效
发明人：何永成;黄小锋 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明创造涉及二极管的制造工艺，特别指低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法。所述的方法包括：1.在反向击穿电压、反向恢复时间、正向压降三个电性参数中，调整反向击穿电压至1200V以上，并保证正向压降不超过960mV，2.反向击穿电压与正向压降达到要求后，调整反向恢复时间，观察正向压降的变化，挑选正向压降符合要求的二极管，测试对应的反向恢复时间，并作为电性参数调整的目标值，3.电性参数调整过程，根据GPP芯片上反向恢复时间的分布状况，对控制参数进行调整，满足三个电性参数的GPP芯粒比例达到最大值，并将该参数作为批量生产的控制参数。利用该方法能制得正向压降1150mV以下，反向恢复时间125ns以下，反向击穿电压1200V以上的快恢复二极管，提高制造效率。
低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法

[发明专利]一种降低Low VF高压整流二极管能耗的方法-CN201310675463.3无效
发明人：何永成;赵帅帅 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低Low VF高压整流二极管能耗的方法，包括两方面，第一，提高抗高温能力，第二，降低压降设计；所述的提高抗高温能力包括以下步骤：首先LPCAD一层SIPOS膜，然后再采用二氧化硅钝化；所述的降低正向压降设计包括以下步骤：1）采用filmtronics特殊的纸源，在高温下长时间扩散，扩散后测量结的平整度在3um之内，保证了整个耐压区宽度的同时，将耐压区的宽度做到最小；2）采用表面蒸发金属电极降低欧姆接触电阻；3）提高晶片表面掺杂浓度。本发明不仅克服现有的大功率整流器可靠性低，功率损耗大等缺点，还大幅度地降低生产了成本，增强企业在分立器件行业的竞争力，能获得了更大的生存空间。
一种降低 low vf 高压整流二极管能耗方法

[发明专利]一种二极管的制备工艺-CN201310697402.7有效
发明人：何永成;刘伟 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种二极管的制备工艺，主要操作流程为：先将左框架条、右框架条、芯粒以及桥片通过点胶工艺组装在一起，然后进行焊接、清洗、烘干、封装、清洗、烘干、检测、框架条外露部分镀锡、烘干以及包装，发明一种二极管的制备工艺生产出的二极管为平角表面贴装型，在整个生产流程中没有诸如弯角等对产品有隐患的工艺，产品的可靠性能一致性高，采用桥接工艺，可提高产品的性能性，本发明所述步骤均可实现机械自动化，生产效率高，稳定可靠。
一种二极管制备工艺

[发明专利]一种In_1-xGa_xP（0≤x≤1）/Substrate 薄膜材料的制备方法-CN201210552750.0有效
发明人：刘兴泉;张铭菊 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备In1-xGaxP（0≤x≤1）/Substrate薄膜材料的方法，以In2O3，Ga2O3，P2O5以及还原萃取剂为原料，加入与固体原料质量50%～100%相当的无水乙醇，用10～15MPa的压力将其压成厚度为1～10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用混合气体抽真空置换1～2次，抽真空至7～13Pa，控制升温速度在5～10℃/min范围内，反应区加热升温,沉积区加热升温，恒温3～4h，其间保持真空度不小于-0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到所需薄膜；本发明原料简单，价廉易得，且均为固体或无毒气体，对环境无污染，对操作人员无安全威胁。
一种 in sub ga substrate 薄膜材料制备方法

[发明专利]一种制备GaP薄膜材料的方法-CN201210552003.7有效
发明人：刘兴泉;张铭菊 -专利权人： 常州星海电子有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备GaP薄膜材料的方法，以Ga2O3，P2O5以及还原萃取剂为原料，加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇，研磨均匀后，用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用混合气体抽真空置换1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升温速度在5~10℃/min范围内，反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内,沉积区加热升温至600℃~800℃范围内，恒温3~4h，其间保持真空度不小于-0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到棕红色的GaP薄膜，本发明使用的原料简单，价廉易得，且均为固体或无毒气体，对环境无污染，对操作人员无安全威胁。
一种制备 gap 薄膜材料方法

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