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[实用新型]一种非对称阻尼阀-CN201720824803.8有效
发明人：陈露露;刘硕;蔡勇;沈莹杰;方辉;丁凡 -专利权人：浙江大学舟山海洋研究中心
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： F15D1/02 文献下载
摘要：当液压系统中的流体正向通过这段管道时，流体受圆弧和尖角的作用，会发生速度紊乱，产生涡流，进而产生较大压降。而流体反向流过时，流体顺沿钝体流动，免受圆弧及尖角的阻碍作用，压降随之减小。不同的流动方向中，流动截面产生不同的改变方式和改变顺序，从而产生不同的压降。本实用新型由于无可动部件，所以安装配合要求相对较低，且不易磨损失效。同时此类阻尼阀也无驱动部件，继而降低成本，性能稳定。
一种对称阻尼

[实用新型]双向建压的动压沟槽及具有该动压沟槽的动压轴承-CN202121746752.4有效
发明人：林维勇 -专利权人：东莞市维立五金科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： F16C33/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双向建压的动压沟槽及具有该动压沟槽的动压轴承，双向建压的动压沟槽包括有多条正向建压槽和多条反向建压槽；正向建压槽和反向建压槽均呈V型弯折，正向建压槽的弯折突出处形成正向建压点，反向建压槽的弯折突出处形成反向建压点，正向建压槽和反向建压槽交错设置形成网状结构并在交错处形成多个分流点，分流点连通各个正向建压点和反向建压点。通过正向建压槽和反向建压槽交错设置形成网状结构并在交错处形成有多个分流点，使得转轴正转时，动压沟槽内的油脂沿正向建压槽流动聚集在正向建压点附近建压，转轴反转时，油脂通过分流点流入反向建压槽中并在反向建压点附近建压
双向沟槽具有压轴

[发明专利]一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN202211168952.5在审
发明人：张金平;黄云翔;兰逸飞;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-25 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明通过浮空P区(18)的电位，为分离栅(11)提供偏置电位，由此形成沟槽下方的电子积累能力，增强了电导调制能力，从而增强了器件的正向导通能力。自偏置结构的二极管和电容结构集成至IGBT结构中，在几乎不影响器件体积和IGBT工作的情况下能够同时提高器件的导通能力与开关性能，消除了分离栅所带来的负面影响，在改善开关损耗，提升开关速度的同时，也能优化器件正向导通能力，提高了器件正向导通压降与关断损耗之间的折中特性。
一种偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种具有内置JFET结构的IGBT器件-CN201810548361.8有效
发明人：李泽宏;彭鑫;赵倩;杨洋;张金平;高巍;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供的IGBT器件结构通过在传统槽栅型IGBT的体区引入JEFT区，JFET区等效为可变电阻，在器件正向导通时存储空穴，正向阻断时为空穴提供快速泄放回路，从而降低了器件的饱和导通压降和关断损耗，避免了器件关断后发生的短路失效现象，提高了器件的关断能力；并且，连接栅极结构与JFET区的连接桥在器件正向阻断时能够起到场板的作用，从而有效降低连接桥下方区域表面电场峰值，提高器件的耐压和工作可靠性；本发明提出内置有JFET结构的IGBT
一种具有内置 jfet 结构 igbt 器件

[发明专利]适用于峰值电流模控制降压变换器的自适应斜坡补偿电路-CN201710341495.8有效
发明人：明鑫;赵佳祎;唐韵扬;高笛;魏秀凌;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：直接采样降压变换器开关节点SW处的电压，然后通过两次滤波，得到一个与降压变换器输出电压Vo成比例的直流量作为运算放大器的正向输入电压，运算放大器将其负向输入端钳位至与正向输入端相同的电压，也即第五电阻R5上的压降；再经过第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2构成的电流镜，使得第三电容C3的充电电流与流经第五电阻R5的电流成比例，第六电阻R6上的压降大小等于第三电容C3的电压，且第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4构成电流镜，使得流经第七电阻R7的电流与流经第六电阻R6的电流成比例，最终得到第七电阻R7的压降为自适应斜坡补偿电压，与降压变换器输出电压Vo成比例。
适用于峰值电流控制降压变换器自适应斜坡补偿电路

[发明专利]具有低正向压降高电压的二极管整流芯片及其制造方法-CN201810812197.7在审
发明人：邹有彪;王超;刘宗贺 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低正向压降高电压的二极管整流芯片，所述二极管整流芯片的结构为GaB P+N N+型，包括依次设置的GaB P+层、N层和N+层，GaB P+层的上表面镀有金属层，GaB P+层和N层的两侧蚀刻有本发明通过对芯片制造过程中扩散工艺的改进，使芯片不但正向压降低，而且电压大大提高，提升了芯片的品质。
二极管整流芯片正向压降高电压清洗蚀刻芯片制造过程表面烧结玻璃钝化沟槽腐蚀晶片表面扩散工艺依次设置制造工艺玻璃层金属层硼扩散上表面镀镍减薄匀胶正向制造改进

[发明专利]具有超势垒集电极结构的IGBT器件及其制造方法-CN201610312628.4在审
发明人：李泽宏;史建东;陈钱;刘永;李佳驹;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：的体效应降低了势垒高度，为电子创建一个“超势垒”，即此集电极结构势垒MOS比以往的IGBT背部PN结势垒电压低，因此本发明的IGBT在小于0.7V的电压下就可以开启，且该结构同样存在电导调制效应，减小了IGBT导通时的正向压降因此，本发明发射极采用超势垒结构的IGBT，降低了开关损耗的同时，正向压降得以减小，开关优值得到大幅的降低。
具有超势垒集电极结构 igbt 器件及其制造方法

[实用新型]一种低正向电压TVS器件-CN201721251979.5有效
发明人：邹有彪;徐玉豹;刘宗贺;廖航 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低正向电压TVS器件，包括N+型半导体基体、位于N+型半导体基体上方的N‑型外延层和P+型扩散区，N‑型外延层上表面设有氧化层和肖特基势垒，N‑型外延层和P+型扩散区上方用于连接电极T1本实用新型通过将TVS二极管和肖特基二极管并联制作在同一芯片上，利用肖特基二极管进行电源反接保护并利用TVS二极管进行瞬态过压保护,可降低TVS器件的正向压降，提高TVS器件的性能。
一种正向电压 tvs 器件

[发明专利]加速负反馈控制系统瞬态响应的方法-CN201911025665.7有效
发明人：李永红 -专利权人：深圳欧创芯半导体有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G05B13/02 文献下载
摘要：本发明涉及加速负反馈控制系统瞬态响应的方法，包括：⑴将VFB送至跨导放大器U1的反向输入端，将VREF送至跨导放大器U1的正向输入端，进行比较；⑵跨导放大器U1的输出电流流过电阻R并在电阻R两端产生电压降VR，电压降VR是跨导放大器U1两个输入端压差的比例放大；⑶电压比较器U2检测电阻R两端的电压降VR，并将电阻R两端的电压降VR与设定的阈值进行比较，当电压降VR超过设定阈值电压后，则电压比较器U
加速负反馈控制系统瞬态响应方法

[发明专利]一种掺杂的肖特基势垒器件及其制备方法-CN201410384819.2有效
发明人：关世瑛;洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：该肖特基势垒器件具有掺磷肖特基势垒区(P‑MSi)，较传统的肖特基器件，在金属硅化物中，进行低能量、小束流注入掺杂磷，通过快速退火激活磷杂质，形成掺杂磷的金属硅化物势垒结（P‑MSi），同等面积下，具有低的正向饱和压降
一种掺杂肖特基势垒器件及其制备方法

[发明专利]一种功率半导体结构及其形成方法-CN201410687306.9有效
发明人：单建安;周贤达 -专利权人：港科半导体有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了功率半导体器件以及用于制造所述功率半导体器件的方法，所述功率半导体器件具有低正向压降以及低关断能量。
一种功率半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种高压VDMOS器件的制造方法-CN201810397906.X有效
发明人：赵秋森;陈晓伦;许柏松;徐永斌 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：，并生长Si3N4对圆片背面进行保护，然后进行圆片正面工艺，从而提高背面掺杂浓度，降低接触电阻，得到更低的器件二极管正向压降和导通电阻
一种高压 vdmos 器件制造方法

[发明专利]一种快恢复二极管及其制造方法-CN201110191507.6无效
发明人：盛况;朱江 -专利权人：盛况
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种快恢复二极管器件，还涉及一种快恢复二极管器件的制造方法；本发明将沟槽结构加入到传统侵入PN结的肖特基势垒的整流器(MPS)结构中，本发明的一种快恢复二极管器件与传统MPS器件相比具有更低正向压降和更高的电流密度
一种恢复二极管及其制造方法

[实用新型]一种沟槽肖特基二极管-CN201621009864.0有效
发明人：高盼盼;代萌 -专利权人：上海格瑞宝电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：相对于常规TMBS其提高了耐压、减小了正向压降、提高了开关速度、减小了反向电容。
一种沟槽肖特基二极管

[发明专利]一种具有集成续流二极管的氧化镓纵向场效应晶体管-CN202210567503.1在审
发明人：罗小蓉;魏雨夕;孙涛;邓思宇;魏杰;杨可萌;鲁娟;彭小松;蒋卓林 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：因此，在正向导通时，本发明能减小导通电阻且增强正向电流能力；正向阻断时，有效降低场效应晶体管的泄漏电流且提高器件的击穿电压，提高阈值电压；正向阻断或正向导通时，集成二极管处于关断状态，不影响场效应晶体管的导通及耐压特性在反向续流时，集成二极管导通，具有低的开启电压和低的导通压降。本发明的场效应晶体管和集成二极管工艺兼容，实现单片工艺集成，有利于减少寄生电感和模块体积。
一种具有集成二极管氧化纵向场效应晶体管