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[发明专利]平面TEM样品的制作方法-CN201310625289.1在审
发明人：陈强;史燕萍 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种平面TEM样品的制作方法，包括：提供TEM样品，所述TEM样品上具有目标区域；对所述TEM样品进行平面研磨至金属互连层；对所述TEM样品进行截面研磨至TEM样品的边缘距离目标区域2-10微米；采用第一溶液去除金属互连层中的金属线，在所述金属互连层从中形成孔洞；采用第二溶液去除所述孔洞下方的源漏掺杂区域；使用FIB方法对所述TEM样品进行制作，形成平面TEM样品，所述平面TEM样品露出孔洞下方的源漏掺杂区域用于失效分析本发明能够解决平面TEM上无法观察源漏掺杂区域的难题。
平面 tem 样品制作方法

[发明专利]使用聚焦离子束的透射电镜分析方法及透射电镜样本结构-CN200810180795.3无效
发明人：金东巧 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G01N23/18 文献下载
摘要：一种使用FIB(聚焦离子束)的TEM(透射电镜)分析方法，包括：将TEM样本划分为多个分析区；确定用于每个分析区的FIB束流；以及通过使用确定的FIB束流在每个分析区上执行FIB铣削。此外，该方法包括将TEM样本放置到TEM样本格上，并在TEM样本上透射TEM电子束以执行TEM分析。
使用聚焦离子束透射分析方法样本结构

[发明专利]TEM样品的制备方法-CN201310165226.2有效
发明人：陈强;高林 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了TEM样品的制备方法，通过在制备TEM样品的过程中，在预备截面上沉积填充层，从而避免了当制作具有高深宽比结构或者孔洞结构的半导体结构的TEM样品时，由于金属保护层未能完全填充高深宽比结构或者孔洞结构，而导致未填满的孔洞边缘区域离子束切割过快造成TEM样品局部损伤的问题，克服了由于TEM样品的均匀性差，而影响TEM分析质量的问题，从而保证了TEM样品的均匀性，提高了TEM样品的分析质量，进而提高TEM
tem 样品制备方法

[发明专利]一种同心锥形TEM室屏蔽门-CN201510958502.X有效
发明人：黄承祖;齐万泉;刘星汛 -专利权人：北京无线电计量测试研究所
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： E06B5/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种同心锥形TEM室屏蔽门，屏蔽门盖安插在屏蔽门框中构成屏蔽门，该屏蔽门盖的屏蔽门芯的弧面与同心锥形TEM室所开窗口部分的腔体内壁弧面一致，使得本发明中的同心锥形TEM室屏蔽门在安装在同心锥形TEM室后，该屏蔽门不会在所述同心锥形TEM室内形成凸起或凹陷，降低了该屏蔽门对所述同心锥形TEM室内的电磁场产生的干扰。并且，由于该同心锥形TEM室屏蔽门中的屏蔽门芯，可以用于安装场强探头，所以可以进一步解决同心锥形TEM室腔内空间狭小，传统TEM室屏蔽门无法安装场强探头，浪费同心锥形TEM室内空间的问题。通过以上两点，本发明提供的同心锥形TEM室屏蔽门更加适用于同心锥形TEM室。
一种同心锥形 tem 屏蔽门

[发明专利]一种平面TEM样品的制备方法-CN202011643547.5在审
发明人：李全同;刘珠明;张衍俊;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01Q30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面TEM样品的制备方法，包括：获取包含待测区域的平面TEM样品；其中，所述平面TEM样品的衬底面具有浅凹且未经过氩离子束减薄；对所述平面TEM样品进行氩离子束减薄，直到所述平面TEM样品表面形成穿孔且所述浅凹的边缘接触到所述待测区域时，停止氩离子束减薄，获得最终的平面TEM样品。本发明通过在平面TEM样品衬底面形成浅凹的处理，对所述衬底面形成浅凹的平面TEM样品进行氩离子束减薄，有效解决了在减薄过程中平面TEM样品表面待测区域被去除掉的问题，从而极大地提高了平面TEM样品的制备成功率和检测效率，进而降低了平面TEM样品的制备成本，缩短了制备时间。
一种平面 tem 样品制备方法

[发明专利]用于超高磁场MR的短元件TEM线圈-CN200580015183.3有效
发明人： M·A·莫里奇;G·D·德米斯特;Z·斋;P·R·哈维伊 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-05-11 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G01R33/34 文献下载
摘要：提供了一种横向电磁(TEM)线圈。该TEM线圈包括导电外壳和设置在该外壳的第一端部处的端板。该TEM线圈还包括设置在外壳内的多个TEM元件，该多个TEM元件比该外壳短。
用于超高磁场 mr 元件 tem 线圈

[发明专利]定点平面TEM样品制备方法-CN201310156888.3无效
发明人：陈强;王炯翀;史燕萍 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种定点平面TEM样品制备方法，包括：步骤1：对TEM样品的目标进行定位；步骤2：研磨所述TEM样品，使所述TEM样品的边缘距离目标5～15um；步骤3：切割上述TEM样品的截面；步骤4：将上述TEM样品放入聚焦离子束中进行平面制样。本发明通过结合研磨、截面切割、FIB平面制样的方法，大大提高了TEM定点平面制备的成功率，同时也极大地提高了平面TEM样品的质量，对失效分析、结构分析等提供了极大的帮助。
定点平面 tem 样品制备方法

[发明专利]一种靶向削减耐药基因blaTEM-CN202110877460.2在审
发明人：陈红;林泽俊;周振超;朱琳;帅馨怡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-07-31 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C12N15/113 文献下载
摘要：一种靶向削减耐药基因blaTEM及其耐药质粒的gRNA、可转移型敲除载体及其应用，本发明涉及生物技术领域，具体涉及靶向blaTEMTEM‑1、gRNATEM‑2及其敲除载体pCas9‑Mob‑gRNATEM‑1和pCas9‑Mob‑gRNATEM‑2可以有效削减耐药基因blaTEM及携带blaTEM的多重耐药质粒。同时，利用本发明提供的敲除载体pCas9‑Mob‑gRNATEM‑1和pCas9‑Mob‑gRNATEM‑2制备方法较易得到靶向抗生素耐药基因
一种靶向削减耐药基因 bla base sub tem

[发明专利]利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法-CN201410360305.3在审
发明人：陈以欣;李晓旻 -专利权人：胜科纳米（苏州）有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：该方法包括：提供待测样品；对所述待测样品的感兴趣区域沿第一方向切割进行第一TEM薄片样品制备，获得第一TEM薄片样品，并从第二方向进行TEM观测；对所述第一TEM薄片样品沿第二方向切割进行第二TEM薄片样品制备，获得第二TEM薄片样品，并从第一方向进行TEM观测；对所述第二TEM薄片样品沿第一方向切割进行第三TEM薄片样品制备，获得第三TEM薄片样品，并从第三方向进行TEM观测；所述第一方向、第二方向及第三方向两两垂直
利用 fib 切割实现纳米样品三维观测方法

[发明专利]平面TEM样品制取方法-CN201010510699.8无效
发明人：陈卉;谢火扬;胡杰 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种平面TEM样品制取方法，包括：提供一包含待观测层的晶圆截块；做标记于所述待观测层上；将一玻璃粘贴于所述待观测层上；同时研磨所述晶圆截块及玻璃；切割所述晶圆截块得到平面TEM样品。通过本发明提供的平面TEM样品制取方法得到的平面TEM样品，当通过吸取针吸取所述平面TEM样品时，即使发生吸取针使得平面TEM样品从晶圆上脱落，但吸取针又没有吸取到平面TEM样品的情况，也能很快找到脱落的平面TEM样品，而无需重新制取平面TEM样品，进而节省了制造时间，降低了制造成本。
平面 tem 样品制取方法

[发明专利]一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法-CN201810469345.X有效
发明人：王雷;王树;刘前 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明提供了一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法。本发明的湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法，包括如下步骤：1)将TEM支持膜水平放置，将刻蚀剂滴于所述TEM支持膜上；2)将粘附有纳米颗粒的基底倒置，使得基底具有待转移的纳米颗粒的一面向下并逐渐接触刻蚀剂，经刻蚀后的待转移的纳米颗粒脱离基底并转移至TEM支持膜上；3)静置TEM支持膜至刻蚀剂挥发完毕，完成所述纳米颗粒TEM样品的制样。本发明湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法，成本低、效率高，可将粘附于基底上的纳米颗粒完整转移至TEM支持膜上，转移后的纳米颗粒无团聚、无损伤，便于纳米颗粒TEM样品的高分辨晶格等性能表征。
一种湿法刻蚀制备纳米颗粒 tem 样品方法

[发明专利]镍金属硅化物的TEM样品的制备方法-CN201711121958.6有效
发明人：陈胜;陈强;史燕萍 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍金属硅化物的TEM样品的制备方法，包括步骤：步骤一、提供一芯片，镍金属硅化物形成于芯片的器件层和半导体衬底界面的选定区域中；步骤二、形成金属保护层将需要进行TEM分析的目标位置的区域完全覆盖；步骤三、采用离子束进行形成TEM分析的TEM样品的切割；步骤四、将芯片倾转一定的角度，采用离子束对TEM样品的半导体衬底层进行离子轰击并使得半导体衬底层完全非晶化。本发明能提高TEM样品的半导体衬底层和镍金属硅化物之间的TEM的衬度成像差异。能得到能在TEM模式下直接进行镍金属硅化物的清晰成像的TEM样品，从而能缩短样品的TEM观测时间，降低观测成本。
金属硅 tem 样品制备方法

[发明专利]一种特异性结合肿瘤内皮标记物8的单克隆抗体及其应用-CN201610944052.3在审
发明人：苏云鹏;庄伟亮;裴丽丽;张建军 -专利权人：江苏诺迈博生物医药科技有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：本发明的特异性结合TEM8的单克隆抗体对TEM8具有特异性结合，本发明还提供所述的特异性结合TEM8的单克隆抗体在制备用于治疗TEM8相关性疾病药物中的用途，本发明还提供含有特异性结合TEM8的单克隆抗体的药物组合物或试剂本发明的特异性结合TEM8的单克隆抗体，与TEM8重组蛋白和TEM8过表达细胞中的TEM8抗原都具有极强的特异性和敏感性，经实验验证，本发明的特异性结合TEM8的单克隆抗体可用于与TEM8相关性疾病药物中，并进行TEM8相关诊断与检测，具有很高的应用价值。
一种特异性结合肿瘤内皮标记单克隆抗体及其应用

[发明专利]一种APT样品制作方法及APT样品-CN202210602591.4在审
发明人：孙罗男;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01Q30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种APT样品制作方法，包括选取含有位错的块状样品；制成适用于TEM检测的TEM薄片样品；用TEM观测所述TEM薄片样品中的位错，获得所述TEM薄片样品上的位错图像；根据所述TEM薄片样品上的位错图像，用FIB围绕所述TEM薄片样品的位错所在位置进行环形铣削，将所述TEM薄片样品制成针尖状的APT样品。
一种 apt 样品制作方法

[发明专利]一种TEM8抗体及其应用-CN201910446944.4有效
发明人：苏云鹏;庄伟亮;裴丽丽;陆苗苗 -专利权人：江苏诺迈博生物医药科技有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：本发明涉及属于基因工程抗体技术领域，具体的涉及一种TEM8抗体及其应用。本发明描述了的特异性结合TEM8的分离的单克隆抗体及其抗原结合部分，包括分离的单克隆抗体及其药物偶联物。本发明提供的TEM8单克隆抗体，与TEM8重组蛋白和TEM8过表达细胞中的TEM8抗原都具有极强的结合特异性和敏感性，可用于制备治疗TEM8相关性疾病的药物，并可用于进行TEM8相关诊断与检测。在一些实施方式中，所制备的TEM8抗体药物偶联物，可提供疗效更强的用于治疗癌症的药物组合物，具有很好的治疗疾病的作用。
一种 tem8 抗体及其应用

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