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[实用新型]单双面研磨抛光机-CN201820856294.1有效
发明人：曹建平;曹培福;曾正平 -专利权人：湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单双面研磨抛光机，在现有的单面研磨抛光机的基础上增加辅助抛光装置，使得现有的单面研磨抛光研磨机具备双面抛光的功能，因而无需增加新的双面研磨平抛光机即可实现双面抛光的目的。
双面研磨抛光机单面研磨双面抛光抛光机本实用新型抛光研磨机抛光装置双面研磨

[实用新型]一种双面研磨抛光设备-CN201820969106.6有效
发明人：孙凤鹏;韩正伟;蔡礼貌;李彦涛;巩瑞龙 -专利权人：河北视窗玻璃有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及材料加工技术领域，公开了一种双面研磨抛光设备，包括转动设置的上抛光盘和下抛光盘，以及设置在所述上抛光盘和所述下抛光盘之间的游星轮组件，所述游星轮组件一端设置容纳槽，待抛光工件置于所述容纳槽内且所述待抛光工件的端部伸出所述容纳槽本实用新型公开的双面研磨抛光设备的游星轮组件一端设置容纳槽，将待抛光工件置于容纳槽中，从而实现待抛光工件在双面研磨抛光设备上的单面抛光，无需通过填充物以及缓冲材料的配合，操作简单。
容纳槽双面研磨抛光抛光工件抛光盘游星轮本实用新型一端设置材料加工技术填充物单面抛光缓冲材料转动设置伸出配合

[发明专利]龙门式蓝宝石晶片双面研磨/抛光机及研磨抛光的方法-CN201510598130.4有效
发明人：徐雳;董瑞;吴石;刘冰 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种龙门式蓝宝石晶片双面研磨/抛光机及研磨抛光的方法。目前在蓝宝石晶片生产加工中采用悬臂式双面研磨抛光机，该设备结构复杂，维修困难，在研磨抛光过程中，由于上下研磨盘的之间相对运动，容易导致悬臂结构左右晃动。本发明组成包括：箱体和底板系统（5），箱体和底板系统内部安装有动力传动系统（4），箱体和底板系统上平面安装有升降支撑系统（1），升降支撑系统顶部安装有液压系统（6），液压系统前端通过连接轴与研磨轴承（7）连接，研磨轴承下方安装有上研磨系统（2），动力传动系统分别通过传动带与电机A（38）、电机B（30）、电机C（29）、电机D（37）连接。本发明用于龙门式蓝宝石晶片双面研磨/抛光机。
蓝宝石晶片底板系统双面研磨电机龙门式抛光机动力传动系统升降支撑研磨抛光液压系统研磨轴承双面研磨抛光机研磨抛光过程顶部安装内部安装设备结构生产加工悬臂结构研磨系统左右晃动传动带连接轴上平面悬臂式研磨盘维修

[发明专利]铜基板孔印机械研磨去除方法-CN201710759779.9在审
发明人：邓万权;蒋善刚;周睿 -专利权人：奥士康精密电路(惠州)有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及铜基板孔印机械研磨去除方法，包括以下步骤S1、钻孔，选用普通中密度木纤维垫板，在木纤维垫板上放置一层铝片；S2、选用相应精度的双面研磨机，选用行星轮、研磨盘及研磨液；S3、机械研磨，双面研磨机转速为35～48r/min，研磨盘面压力为180～260kg，S4、去除孔印，双面研磨机转速为42～65r/min，研磨盘面压力为80～130kg；S5、抛光作业，将研磨盘更换为抛光盘，研磨砂更换为抛光砂。本发明通过利用铝片作为铜基板钻孔垫片，减小了孔位毛刺的产生，采用双面研磨对铜基板钻通孔后对孔位两侧的披锋进行消除，而且通过反复的研磨抛光，有效去除孔印，磨削因钻孔产生的孔位胀大部分，极大的提高铜基板去除孔印的平整度
铜基板孔印机械研磨去除方法

[实用新型]龙门式蓝宝石晶片双面研磨/抛光机-CN201520726669.9有效
发明人：徐雳;董瑞;吴石;刘冰 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种龙门式蓝宝石晶片双面研磨/抛光机。目前在蓝宝石晶片生产加工中采用悬臂式双面研磨抛光机，该设备结构复杂，维修困难，在研磨抛光过程中，由于上下研磨盘的之间相对运动，容易导致悬臂结构左右晃动。本实用新型组成包括：箱体和底板系统（5），箱体和底板系统内部安装有动力传动系统（4），箱体和底板系统上平面安装有升降支撑系统（1），升降支撑系统顶部安装有液压系统（6），液压系统前端通过连接轴与研磨轴承（7）连接，研磨轴承下方安装有上研磨系统（2），动力传动系统分别通过传动带与电机A（38）、电机B（30）、电机C（29）、电机D（37）连接。本实用新型用于龙门式蓝宝石晶片双面研磨/抛光机。
龙门蓝宝石晶片双面研磨抛光机

[发明专利]一种六面体光导块光学器件的加工方法-CN201711267300.6在审
发明人：徐斌 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公布了一种六面体光导块光学器件的加工方法，该方法包括以下步骤：利用双面研磨机、双面抛光机，同时对导光块两个大面分别进行预研磨、抛光；将已完成抛光的导光块两个大面分别涂上保护漆，在加热平台上用直角靠体把一定数量的已涂保护漆导光块用蜡粘成一大长方体；利用双面研磨机、双面抛光机，同时对导光块长方体的两个侧面分别进行预研磨、抛光；将已完成抛光的导光块长方体的两个侧面分别涂上保护漆，并贴上橡皮膏，利用双面研磨机、双面抛光机，同时对另外两个侧面分别进行预研磨、抛光；加工完毕，下盘，清洗，送检。
抛光导光块双面抛光机双面研磨机预研磨加工光学器件光导块六面体侧面大面加工效率加热平台两面加工规模化橡皮膏靠体蜡胶送检贴上下胶下盘沥青清洗

[发明专利]一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法-CN201610408281.3有效
发明人：秦光临;王禄宝;孙敦陆 -专利权人：江苏吉星新材料有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其方法如下：（1）将蓝宝石晶棒切割成蓝宝石窗口片，（2）倒圆角处理保护边缘，（3）以退火温度1450°C进行退火加工，（4）双面研磨粗磨加工，（5）以退火温度1600°C进行二次退火加工，（6）双面研磨精磨加工，（7）超声波清洗，（8）用二氧化硅蓝宝石抛光液在双面抛光机内抛光，（9）用超声波清洗得到蓝宝石双面抛光窗口片；本发明具有操作方便，一次成品合格率高，研磨过程中无破片等特点，适用于加工直径4英寸、6英寸厚度0.20～0.25mm的蓝宝石双面抛光窗口片。
一种尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口加工方法

[发明专利]一种减小双面研磨工件平面度误差的方法-CN202110001535.0有效
发明人：郭江;康仁科;潘博;王康乐 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： B24B7/17 文献下载
摘要：一种减小双面研磨工件平面度误差的方法，属于机械研磨抛光加工领域，在双面研磨机的加工过程中，工件在游星轮内仍存在自转运动；且为了保证双面研磨过程中工件表面的运动均匀性，游星轮中心与工件中心存在一定距离。本发明针对带有偏心和自转的行星运动进行计算，首先，通过测量加工过程中转速，计算上下盘的材料去除差异；其次，通过计算上下面的面形变化，得到翻面时间；最后，经过多次翻面，实现双面平面度的收敛。本发明可以在双面研磨的基础上较大地减小工件上下表面的平面度，能够实现在精度较差研磨盘上实现高精度加工。
一种减小双面研磨工件平面误差方法

[发明专利]晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置-CN201880018073.X有效
发明人：田中佑宜;北爪大地 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B24B37/28 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置，该方法在双面研磨装置中，配设多个双面研磨用载体对晶圆进行双面研磨，在准备由配设于上平板及下平板之间的多个双面研磨用载体所构成的载体组时，对载体组的所有多个双面研磨用载体，取得根据使用形状测量机测量双面研磨用载体的形状得到的数据所计算的波纹量，选定载体组内的多个双面研磨用载体之间的波纹量的最大值与最小值之差在固定值以下的载体组而进行准备，将该载体组配设于双面研磨装置而对晶圆进行双面研磨由此，提供能够抑制使用多个双面研磨用载体进行双面研磨所得的晶圆之间的平坦度的差(参差)的晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置。
双面研磨方法装置

[发明专利]一种光学玻璃双面研磨抛光游星轮定位设备-CN202211111805.4在审
发明人：廖志贤;吴后榜 -专利权人：广东顺捷威玻璃机械有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学玻璃双面研磨抛光游星轮定位设备，技术核心是通过无线射频识别PFID和计算机逻辑算法来控制游星盘自转和公转换位，产品研磨或抛光完后精准追踪定位游星盘位置设备。后续可加自动化机构部分由机器人执行物料上下料，来实现全自动双面研磨抛光设备。大大提高生产效率和产品质量。填补这么多年行业中，双面研磨机无法实现全自动上下料，靠操作员作业手工物料上下料。首先通过第二伺服电机和第三伺服电机的使用，通过无线射频识别PFID和计算机逻辑算法控制内齿圈和外齿圈的转速带动游星轮公转以及自转，且可通过转速比的调整，使游星轮的公转位置和自转位置可以处于预定的位置，有效提高了产品研磨抛光效率
一种光学玻璃双面研磨抛光游星定位设备

[实用新型]一种光学玻璃双面研磨抛光游星轮定位设备-CN202222427515.2有效
发明人：廖志贤;吴后榜 -专利权人：东莞市顺怡隆机械科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光学玻璃双面研磨抛光游星轮定位设备，技术核心是通过无线射频识别PFID和计算机逻辑算法来控制游星盘自转和公转换位，产品研磨或抛光完后精准追踪定位游星盘位置设备。后续可加自动化机构部分由机器人执行物料上下料，来实现全自动双面研磨抛光设备。大大提高生产效率和产品质量。填补这么多年行业中，双面研磨机无法实现全自动上下料，靠操作员作业手工物料上下料。首先通过第二伺服电机和第三伺服电机的使用，通过无线射频识别PFID和计算机逻辑算法控制内齿圈和外齿圈的转速带动游星轮公转以及自转，且可通过转速比的调整，使游星轮的公转位置和自转位置可以处于预定的位置，有效提高了产品研磨抛光效率
一种光学玻璃双面研磨抛光游星定位设备

[发明专利]晶圆的双面研磨方法-CN201680069349.8有效
发明人：田中佑宜;北爪大地;小林修一 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B24B37/28 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥浆，二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨晶圆的双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。因此能够抑制载体配设于上下定盘间后研磨晶圆的伤痕的产生。
双面研磨方法

[发明专利]大尺寸超薄石英玻璃片双面抛光加工方法-CN201210033693.5无效
发明人：蔡桂芳;费立格;刘梦云;王晓东 -专利权人：蔡桂芳
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明是一种大尺寸超薄石英玻璃片双面抛光加工方法，该方法适用于直径Φ为100-200mm，厚度为0.2-0.5mm的石英玻璃片的研磨抛光；工件加工之前对工件进行清洗，细磨和抛光在相同机型的双面研磨抛光机上进行；研磨时研磨压力为0.01-0.03Mpa，转数为6-8/min，每件石英玻璃片的研磨时间为50-80min；当研磨过程中，保持双面研磨抛光机的游星轮平整；工件加工后使用超声波清洗，清洗最后放在质量比为
尺寸超薄石英玻璃片双面抛光加工方法

[发明专利]一种无膜欠导光晶体光学元件的加工方法-CN202110102488.9在审
发明人：林新锋 -专利权人：鞍山市激埃特光电有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种无膜欠导光晶体光学元件的加工方法，其操作过程包括开料；铣磨；对上表面、下表面及相对侧面分别进行双面精磨：双面研磨抛光机采用带有孔的游星轮，碳化硅作为研磨液；采用氧化铝抛光液，对毛坯双面进行抛光；在真空环境下进行蒸镀镀膜；双面贴保护玻璃；在切削液下进行切割，产品放入装有二氯甲烷溶液中浸泡4±0.5小时，直到保护玻璃和产品完全分离开，然后用丙酮进行擦拭干净。本发明通过双面研磨抛光和胶合相结合的方式，加工效率提升70%，既提高了产品合格率，也解决了镀膜无挡边的问题。
一种无膜欠导光晶体光学元件加工方法

[发明专利]一种高效改变SiC衬底形状的方法-CN202210418807.1在审
发明人：陈秀芳;郭枫林;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效改变SiC衬底形状的方法，该方法包括采用双面研磨机对切割后的晶片进行双面研磨；清洗后采用双面抛光机将清洗完毕的晶片置于抛光机中进行双面机械抛光，如果双面机械抛光之后的晶片形状相对于目标形状为劣，且Bow＞15um，对晶片进行补充性单面机械抛光，最后将机械抛光后的晶片，对硅面或者碳面进行化学机械抛光，得到均匀凹陷或凸起的SiC衬底。本发明通过特定的研磨机抛光时晶片朝向以及上下盘转速，突破了非极性半导体加工的局限性，在保证SiC衬底表面高平整度和低表面粗糙度的前提下，可以将衬底形状快速加工至均匀凹陷或凸起，有效缩减了传统加工的繁琐步骤，并能提高抛光液寿命从而节约加工成本。
一种高效改变 sic 衬底形状方法

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