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[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202280020591.1在审
发明人：墨周武 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的基板处理方法具备：超临界处理工序，将处理流体导入至收容了基板的腔室的内部空间，并通过超临界状态的处理流体处理基板；减压工序，排出处理流体并将内部空间减压；搬出工序，从腔室搬出基板；以及温度调整工序，将处理流体导入至搬出基板后的内部空间并排出处理流体，借此将内部空间的温度调整至目标温度。在用以在腔室内通过超临界状态的处理流体处理基板的技术中，能适当地管理处理后的腔室内的温度，尤其在按序处理多片基板的情形中也能获得稳定的处理效率。
处理方法以及装置

[发明专利]一种提高特殊材质原材料块晶片切割良率的工艺方法-CN202310878092.2在审
发明人：韩威风;韩巍巍;王丙森;陈帅统;徐磊磊 -专利权人：浙江美迪凯光学半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高特殊材质原材料块晶片切割良率的工艺方法。其工艺方法步骤流程包括保护环取圆、产品与保护环粘合、产品整体粘贴至粘料基板、线切割和脱胶。本发明将产品放入保护环材料块中并与保护环材料块粘合后整体一起线切割，完成后脱胶，将线切割的受力点转移至两侧，将产品切割时的受力点降到最小，再配合合适的切割参数，不仅能够保证此产品的良率，还降低了人力物力等成本。
一种提高特殊材质原材料晶片切割工艺方法

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202180095377.8在审
发明人：秋山胜哉;吉田幸史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板处理方法包含：亲水性膜形成液供给步骤，将在基板的主面上形成亲水性膜的亲水性膜形成液，朝上述基板的主面进行供给；膜厚降低液供给步骤，将通过使上述亲水性膜溶解而降低上述亲水性膜的厚度的膜厚降低液，朝上述基板的主面进行供给；处理膜形成液供给步骤，在通过上述膜厚降低液供给步骤使上述亲水性膜的厚度降低后，朝上述基板的主面供给处理膜形成液，该处理膜形成液在上述亲水性膜的表面形成用于保持存在于上述基板的主面上的去除对象物的处理膜；以及剥离液供给步骤，将从上述亲水性膜剥离上述处理膜的剥离液，朝上述基板的主面进行供给。
处理方法装置

[发明专利]III-V族化合物半导体晶圆与Si晶圆异质键合背部减薄的方法-CN202310883855.2在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工制造技术领域，特别涉及一种III‑V族化合物半导体晶圆与Si晶圆异质键合背部减薄的方法。上述方法主要包括提供III‑V族化合物半导体晶圆与第一Si晶圆的异质键合晶圆、第二Si晶圆与第三Si晶圆的直接键合晶圆以及石英环、将石英环放置在直接键合晶圆的表面、在石英环的表面沉积teos层、石英环与异质键合晶圆临时键合、使用grinding机台去除teos层及相同厚度的III‑V族化合物半导体晶圆、测量III‑V族化合物半导体晶圆的剩余厚度、选择其他厚度的石英环重复上述步骤、使用grinding机台再次进行减薄。上述方法能够对异质键合的晶圆进行减薄，避免损伤小尺寸第二代半导体晶圆。
iii 化合物半导体 si 晶圆异质键合背部方法

[发明专利]一种半导体芯片及其形成方法-CN202311167098.5在审
发明人：庄绪菊;刘雄兵;贾海峰;高巍巍;丁青成;于松;丛建;张文 -专利权人：威海市泓淋电力技术股份有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片及其形成方法，涉及半导体封装技术领域。在本发明的半导体芯片的形成方法中，通过设置每个所述半导体芯片区包括多个半导体功能单元，每个所述半导体芯片区中的相邻半导体功能单元之间不设置切割道，每个所述半导体芯片区的四周均设置缓冲区和切割道，进而可以在缓冲区设置大尺寸的第一金属块以及第二金属块，多个第一金属块和多个第二金属块均是环形设置，可以有效保护半导体芯片区，避免其受到切割损伤，且通过在每个所述缓冲区形成缓冲介质块，进一步抑止切割损伤。
一种半导体芯片及其形成方法

[发明专利]半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法-CN202180094835.6在审
发明人：梅泽昌弘;坂东沙也香;田村和幸 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层是含有聚烯烃类树脂的层。
半导体工用粘合装置制造方法

[发明专利]硅晶圆的清洗方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆-CN202280019373.6在审
发明人：藤井康太;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其特征在于，通过SC1清洗、SC2清洗或臭氧水清洗在所述硅晶圆上形成氧化膜，利用氢氧化铵浓度为0.051质量％以下的氢氧化铵稀释水溶液、或包含氢氧化铵与过氧化氢水溶液的稀释水溶液中的任意一种水溶液对形成了所述氧化膜的硅晶圆进行清洗，从而使所述硅晶圆的表面和背面粗糙化，其中，所述包含氢氧化铵与过氧化氢水溶液的稀释水溶液中，氢氧化铵浓度为0.051质量％以下，过氧化氢浓度为0.2质量％以下且所述过氧化氢浓度为所述氢氧化铵浓度的4倍以下。由此，可提供能够将硅晶圆的表面和背面粗糙化的清洗方法。
硅晶圆清洗方法制造

[发明专利]晶片的处理方法-CN202310392903.8在审
发明人：斋藤良信;生岛充;右山芳国 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的处理方法，能够消除保护片从晶片的外周剥离或晶片的外周被切削单元损伤等问题。晶片在正面上形成有由分割预定线划分多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，该晶片的处理方法包含如下的工序：片配设工序，配设覆盖晶片的整个正面的大小的保护片；片切断工序，将从晶片的外周探出的保护片切断；以及晶片处理工序，对晶片的背面进行处理，在该片切断工序中，向与晶片的外周对应的区域的保护片照射激光光线而将从晶片的外周探出的保护片切断。
晶片处理方法

[发明专利]晶圆及晶圆的切割方法-CN202311068087.1在审
发明人：莫平;李明亮;吴柱锋;潘红庆 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆及晶圆切割方法。晶圆包括：半导体基底；多个芯片，设置于半导体基底上，其中芯片之间通过切割道间隔开；以及预设沟槽，设置于切割道，并沿切割道的方向延伸，其中，预设沟槽在垂直于半导体基底的第一方向的预定深度小于芯片在第一方向的高度。本申请提供的晶圆不但可降低通过切割得到的芯片的裂片、崩边或破损的风险，而且还可在减少切割工艺对上述芯片的机械强度的影响的同时，提高晶圆切割的生产效率和产品良率。
切割方法

[发明专利]研磨方法和研磨用组合物-CN202280013238.0在审
发明人：中贝雄一郎;织田博之;伊藤康昭;井出匠学;高见信一郎 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2022-02-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供一种研磨方法和研磨用组合物，其适用于碳化硅的研磨，能够抑制研磨中的研磨用组合物的pH上升和垫温度上升。提供一种对具有由碳化硅构成的表面的研磨对象物进行研磨的方法。该方法包括：准备研磨用组合物的工序；以及、对上述研磨对象物供给上述研磨用组合物而对该研磨对象物进行研磨的工序。上述研磨用组合物包含高锰酸盐、金属盐A和水。上述金属盐A是水合金属离子的pKa小于7.0的金属阳离子与阴离子的盐。
研磨方法组合

[发明专利]半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法-CN202180094836.0在审
发明人：坂东沙也香;梅泽昌弘;田村和幸 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层在23℃下与水的静态接触角为85°以上。
半导体工用粘合装置制造方法

[发明专利]硅晶圆的清洗方法-CN201880052419.8有效
发明人：五十岚健作;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其依次包含下述工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给所述氢氟酸，且同时不对所述硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述硅晶圆旋转，边将存在于所述硅晶圆表面的氢氟酸甩尽的工序；以及边以比所述第二转速更快的第三转速使所述表面的氢氟酸被甩尽后的所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给臭氧水而进行处理的工序。由此可提供一种能够抑制水痕或颗粒的附着而提升晶圆品质的硅晶圆的清洗方法。
硅晶圆清洗方法

[发明专利]使用神经网络来监测的抛光装置-CN201880026059.4有效
发明人：许昆;H·G·伊拉瓦尼;D·伊万诺夫;B·A·斯韦德克;S-H·沈;H·Q·李;B·切里安 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种在抛光站抛光基板上的层的方法，包含以下动作：于在抛光站抛光期间利用原位监测系统监测所述层，以针对所述层上的多个不同位置产生多个所测得信号；针对多个不同位置中的每一位置，产生所述位置的对厚度的估算测量结果，产生步骤包含通过神经网络处理多个所测得信号；以及以下步骤中的至少一者：基于每一个对厚度的估算测量结果检测抛光终点或修改抛光参数。
使用神经网络监测抛光装置

[发明专利]静电基板支撑件几何形状的抛光-CN201880057686.4有效
发明人：小温德尔·G·博伊德;J·Z·何 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本文中提供待使用于等离子体辅助半导体制造腔室或等离子体增强半导体制造腔室中的抛光静电卡紧(ESC)基板支撑件的图案化表面的方法。具体地，本文中描述的实施例提供抛光方法，所述抛光方法将升高特征的边缘圆化并去毛边并且从图案化基板支撑件的非基板接触表面移除介电材料，以减少和其相关联的缺陷。
静电支撑几何形状抛光

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180025344.6有效
发明人：山本谅;藤本诚也;水野刚资;竹口博史;薮田贵士;山下敦;池田义谦;冈本英一郎;五月女竜太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。
处理方法装置

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