[发明专利]一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法无效
| 申请号： | 201110150741.4 | 申请日： | 2011-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102419511A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王剑;戴韫青;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/82 | 分类号： | G03F1/82 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法，其特征在于，采用吸气方式清除光刻掩模板表面的微尘颗粒。本发明的一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法，由于将现有的采用吹气方式清除光刻掩模板表面的微尘颗粒的方法改为吸气方式，可以有效清除光刻掩模板表面的微尘颗粒，并避免了传统的吹气方式所带来的问题，工艺过程简单且易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清除 光刻 模板 表面 微尘 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法，其特征在于，采用吸气方式清除光刻掩模板表面的微尘颗粒。
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- 胡小弢;毕瑞琳;黎敏 - 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
- 2017-05-27 - 2017-08-01 - G03F1/82
- 本发明涉及显示装置制备技术领域，公开了一种掩膜板、基板以及显示装置，该掩膜板用于显示装置制备，包括平板，平板上设有与显示装置的像素单元一一对应的多个开口；其中，每个开口的角落中，每相邻的两个边之间圆滑过渡。使用上述掩膜板配合高解析度曝光机进行构图时，可以较清晰、确切的还原掩膜板的图案，且得到的图案的开口区域的角落处两个相邻边之间圆滑过渡，不容易聚集电荷，有利于残留的带电粒子的清洗，进而对利用本发明提供的掩膜板制备的显示装置有改善残像的效果。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
