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[发明专利]一种半导体发光元件-CN201910209946.1有效
发明人：李慧文;潘冠甫;林仕尉;金超;杨毅;王笃祥 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；第一导电类型半导体层下方具有电介质层，电介质层具有多个贯通的开口；电介质层下方具有金属层，金属层通过电介质层的多个贯通开口与第一导电类型半导体层形成电性连接；一正面电极，正面电极具有焊盘，位于第二类型导电性半导体层的上部并与之电性连接；一相反电极，与金属层电性连接；其特征在于：一金属块，位于正面电极焊盘下方的电介质层与半导体发光序列之间，所述金属块的莫氏硬度大于等于6，多个贯通的开口在厚度方向不与金属块重叠。通过正面电极焊盘下方的金属块可有效防止打线时电介质层脱落。
一种半导体发光元件

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201911382096.1在审
发明人：尹卓;徐扬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构用于图像传感器，包括：半导体衬底；隔离结构，位于所述半导体衬底内，所述隔离结构包括金属层和绝缘层，所述绝缘层包覆所述金属层；遮光层，位于所述隔离结构上，所述遮光层包括金属格栅和保护层，所述保护层包覆所述金属格栅的侧壁以及顶部本申请提供的一种半导体结构及其形成方法，在常规隔离结构中加入金属层，所述金属层可以对半导体衬底中的电子和空穴浓度进行有效地控制，提高了半导体结构的功能性。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利](110)取向P沟道具有高K栅极电介质的沟槽型MOSFET-CN200910170816.8无效
发明人：塔特·恩盖;王琦 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2009-09-09 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有覆在金属衬底之上的重掺杂p型(110)半导体层。该半导体器件还包括：第一金属层和覆在第一金属层之上的第一p型半导体层。所述第一p型半导体层是重掺杂的，并且具有(110)的表面晶向，且特征在于第一电导率。第二p型半导体层覆在第一p型半导体层之上，且具有(110)的表面晶向以及低于第一电导率的第二电导率；栅极介电层，具有高介电常数材料，所述栅极介电层沿着第二p型半导体层中的(110)晶面布置。第二金属层覆在第二p型半导体层之上。在第一金属层和第二金属层之间的电流传导的特征在于沿着<110>晶向和在(110)晶面上的空穴迁移率。
110 取向沟道具有栅极电介质沟槽 mosfet

[发明专利]一种自对准金属氧化物薄膜晶体管器件的制造方法-CN201280001469.6有效
发明人：刘自鸿;余晓军;魏鹏 -专利权人：深圳市柔宇科技有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明适用于电子器件技术领域，提供了一种自对准金属氧化物薄膜晶体管器件的制造方法，该方法包括在衬底上制备半导体金属氧化物层、栅绝缘层及栅金属层；去除部分栅绝缘层及栅金属层；在半导体金属氧化物层、栅绝缘层及栅金属层之外设置绝缘薄膜；去除部分绝缘薄膜，保留至少包覆于栅绝缘层侧面的部分形成栅极侧墙；将半导体金属氧化物层未被栅绝缘层覆盖的部分转化为源极和漏极导体，使源极导体和漏极导体的内边缘与栅金属层的外边缘对准。本发明通过氢化或等离子体过程将部分半导体金属氧化物层转化为源、漏极导体，减小了源、漏极导体的接触电阻，并由于栅极侧墙的存在，避免源、漏极与栅极的重叠而产生寄生电容，提高了器件的性能。
一种对准金属氧化物薄膜晶体管器件制造方法

[发明专利]发光二极管结构-CN201110064946.0有效
发明人：赖育弘 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，其是设置复数个第一金属导线于一第一半导体层，一主动层设于部分第一半导体层，一第二半导体层设于主动层，主动层与第二半导体层具有复数个凹槽，第一金属导线分别位于复数个凹槽内，复数个绝缘层覆盖第一金属导线与第一半导体层，一透明导电层设于第二半导体层，并覆盖于复数个绝缘层，复数个第二金属导线设于透明导电层，第二金属导线对应第二半导体层。通过第一金属导线与第二金属导线以将发光二极管的电流平均分布，并且藉由绝缘层以避免电流集中于第一金属导线与第二金属导线之间，而透明导电层为连续式覆盖于第二半导体层，以使电流更均匀的分布于第二半导体层，以增加发光二极管结构的发光效率
发光二极管结构

[实用新型]一种半导体器件结构及电子产品-CN201922200784.3有效
发明人：诸舜杰;钟添宾;阮孟波 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件结构及电子产品，所述半导体器件结构包括，第一半导体层，所述第一半导体层下表面设置有覆盖所述第一半导体层的第一半导体金属层，其特征在于，所述半导体器件结构还包括第二半导体层，所述第二半导体层上表面设置有覆盖所述第二半导体层的第二半导体金属层，所述第二半导体金属层上表面平行覆盖设置在所述第一半导体金属层下表面。本实用新型公开的技术方案以尽可能保证第一半导体层不翘曲的情况下降低导通电阻，增加散热能力。
一种半导体器件结构电子产品

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201110338442.3有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的金属层；位于所述金属层表面的介质层；位于所述金属层表面、所述介质层内的互连结构；位于所述金属层表面、所述介质层内的空气间隙本发明实施例的半导体结构形成方法半导体制程兼容性好，制造过程简单，本发明实施例的半导体结构性能优良。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体发光装置的制造方法-CN201580004379.6在审
发明人：王涛 -专利权人：塞伦光子学有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括：提供具有半导体层(210)的半导体晶片；在所述半导体层之上形成第一掩模层(220)；在所述第一掩模层之上形成第一金属层(225)；在所述第一金属层之上形成第二金属层(230)，所述第一金属层具有比所述第二金属层低的熔点；对所述第二金属层退火，以形成岛状物(231)；并且将所述岛状物用作掩模，蚀刻穿过所述第一掩模层和所述半导体层以形成柱的阵列。
半导体发光装置制造方法

[发明专利]一种高触发电流的SCR ESD防护器件-CN200910233694.2无效
发明人：李海松;刘侠;王钦;杨东林;陈文高;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种高触发电流的SCR ESD防护器件，包括P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上分别设置有N型掺杂阱和P型掺杂阱，在N型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在P型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在N型掺杂阱的表面的N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区的上面分别连接有阳极金属层和金属层，而在P型掺杂阱的表面的N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区的上面分别连接有金属层和阴极金属层，且阳极金属层和金属层之间通过由P型掺杂半导体区和N型掺杂半导体区构成的二极管连接，而金属层和阴极金属层之间直接用金属连接。
一种触发电流 scr esd 防护器件

[发明专利]一种半导体器件抗静电结构及其制备方法-CN202210000218.1在审
发明人：陈金龙;何先良;魏鸿基 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-01-03 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件抗静电结构及其制备方法，该结构的制备是：在N型半导体层上生长InGaP层、N型GaAs层、I层、P型GaAs层，在P型GaAs层表面蒸镀并刻蚀形成两个间隔的第一金属层；控制湿法刻蚀工艺在第一金属层下方形成宽度小于第一金属层的PIN半导体层；涂布光阻至厚度超过第一金属上方，曝光、显影，在第一金属层上方及两个PIN半导体层之间区域打开窗口；蒸镀金属、高温退火，在N型半导体层上方形成欧姆接触的第二金属层、在第一金属层上方形成欧姆接触的第三金属层，第二金属层与两个PIN半导体结构均具有间隙；该半导体器件抗静电结构的制法能够将第二金属层做得很宽，大幅降低两个PIN之间的串联电阻，提升芯片的抗静电能力。
一种半导体器件抗静电结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202010697207.4有效
发明人：邱泰玮;沈鼎瀛;钱鹤 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的底部电极金属层和顶部电极金属层；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层，所述阻变层的横向宽度大于所述底部电极金属层和/或顶部电极金属层的横向宽度，所述阻变层具有可变电阻；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻氧层，所述阻氧层位于所述阻变层之上；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的抓氧层，所述抓氧层的横向宽度小于所述阻变层的横向宽度，所述抓氧层位于所述阻氧层之上。
半导体器件制造方法

[发明专利]更快速地切换低缺陷电致变色窗-CN201680023096.0在审
发明人：罗伯特·T·罗兹比金;安舒·A·普拉丹;斯里达尔·凯拉萨姆;罗宾·弗里德曼;戈登·杰克;丹恩·吉拉斯皮耶 -专利权人：唯景公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： G02F1/153 文献下载
摘要：本发明提供了电致变色器件，所述电致变色器件包括第一导体和第二导体，其中所述第一导体和所述第二导体中的至少一者是多层导体。所述电致变色器件还包括电致变色堆叠，所述电致变色堆叠在与基板相邻的所述导体之间。所述至少一个多层导体包括金属层，所述金属层夹在第一非金属层与第二非金属层之间，使得所述金属层不会接触所述电致变色堆叠。
快速切换缺陷变色

[发明专利]半导体装置-CN202110676496.4在审
发明人：井野匡贵 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制翘曲的半导体装置。实施方式的半导体装置包括第一金属层、电介质层、第二金属层、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一控制电极以及第一电极。电介质层设于第一金属层之上。第二金属层设于电介质层之上，并与第一金属层电连接。第一半导体区域设于第二金属层之上，是与第二金属层电连接的第一导电型。第二半导体区域设于第一半导体区域之上，是第二导电型。第三半导体区域设于第二半导体区域之上，是第一导电型。第一控制电极隔着第一绝缘膜与第二半导体区域对置。第一电极设于第三半导体区域以及第一控制电极之上，与第三半导体区域电连接，并通过第一绝缘部与第一控制电极绝缘。
半导体装置

[实用新型]一种发光二极管芯片-CN201920338507.6有效
发明人：唐军;齐胜利;刘亚柱;潘尧波;陈志忠;詹景麟;康香宁;焦飞;张国义;沈波 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司;北京大学
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型提出一种发光二极管芯片，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上，包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；金属层，位于所述位于结构上的第一半导体层上；凹槽，位于衬底上，暴露部分所述第二半导体层；金属电极，位于所述金属层及暴露的第二半导体层上，包括第一金属电极，第二金属电极；纳米柱，位于所述衬底上，包括所述第一金属电极，所述金属层，所述第一半导体层，所述发光层以及部分所述第二半导体层，所述纳米柱包括多种不同的结构
半导体层金属电极衬底发光二极管芯片金属层本实用新型发光层纳米柱发光二极管芯片结构外延结构暴露

[发明专利]具有叠层栅极接触件的常关型MESFET器件-CN202180063691.8在审
发明人：法希德·拉伊西 -专利权人：三五科技有限责任公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：其中披露了：一种常关型MESFET器件，包括半导体层(1)、源极接触件(2)、漏极接触件(3)和叠层栅极接触件(4)，其中，叠层栅极接触件包括底部金属层(41)、顶部金属层(43)以及该底部金属层与该顶部金属层之间的绝缘层(42)，其中，源极接触件、漏极接触件和叠层栅极接触件与半导体层接触，其中，底部金属层和半导体层形成肖特基接触，从而在底部金属层下面的半导体层中形成耗尽区域(5)，其中，该耗尽区域向半导体层中的延伸被配置为通过向顶部金属层施加电压而被调制
具有栅极接触常关型 mesfet 器件

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