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- [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310960178.X在审
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卢敬娟;高守帅;李晓茜;张东炎;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2023-08-01
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2023-10-24
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H01L33/20
- 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极和第二电极，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有台面，台面是指第一半导体层的未被发光层覆盖的上表面，第一电极位于台面上并电连接第一半导体层，第二电极电连接第二半导体层，半导体叠层具有一第一倾斜侧壁，第一倾斜侧壁的两端分别连接第二半导体层的上表面和台面，第一倾斜侧壁与台面的夹角范围为110～135°，第一电极到发光层的间距范围为2.5‑13um。借此设置，能够提升该发光二极管的可靠性，提升发光二极管的ESD防护性能。
- 发光二极管发光装置
- [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310369255.4在审
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郑宏;张东炎;卢敬娟;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2023-04-07
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2023-09-05
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H01L33/38
- 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构、N型电极和透明导电电极，外延结构包括依次层叠的P型半导体层、发光层和N型半导体层，N型电极连接N型半导体层，N型电极包括起始电极和X个延伸电极，X≥2，X个延伸电极连接起始电极，X个延伸电极是沿着起始电极的边缘间隔分布，透明导电电极连接P型半导体层，其中，透明导电电极为分布式电极，透明导电电极包括Y个独立的围绕电极，Y≥2，且Y≤X，各围绕电极在水平面的第一投影围绕延伸电极的延伸末端在水平面的第二投影。通过设置围绕延伸电极的围绕电极，提升发光二极管的电流扩展的均匀性，从而提升发光二极管的光电特性和产品性能。
- 发光二极管发光装置
- [发明专利]一种发光二极管及发光装置-CN202211370494.3在审
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贾月华;李维环;郭桓邵;彭钰仁;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2022-11-03
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2023-04-18
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H01L33/00
- 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括具有相对的第一表面和第二表面的外延结构；位于外延结构的第一表面上的第一金属电极；第一金属电极包括主电极和多个扩展电极；设置在外延结构的第二表面一侧的多个电流传输块，电流传输块具有最靠近扩展电极一侧的近侧壁以及远离扩展电极一侧的远侧壁，近侧壁为非弧面，且近侧壁与扩展电极的垂直面相对平行；以及填充在电流传输块之间的电流阻挡层。通过上述对电流传输块的改进，使得电流传输在空间上呈相对平行，不仅有效提高单位时间电流传输量，还能保证电流和热量的快速传递，避免电流聚集，有效解决传统电流传输块存在正向电压高、热测饱和不佳等问题。
- 一种发光二极管发光装置
- [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211660452.3在审
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蒙成;曹冬梅;李维环;郭桓卲;彭钰仁;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2022-12-23
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2023-04-18
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H01L33/36
- 本发明公开发光二极管，发光二极管包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中第一表面为出光面；欧姆接触层，设置于所述半导体外延叠层的第二表面；透光性介电层，设置于所述欧姆接触层远离半导体外延叠层的一侧，具有多个开口贯穿所述透光性介电层；反射层，设置于所述透光性介电层之上，并填入所述开口，与所述欧姆接触层形成电连接；其特征在于：所述欧姆接触层的面积大于所述导电通孔的面积；所述欧姆接触层的面积占所述第二表面面积的比例为2~60%。本发明在保证发光二极管低电压的情况下，实现镜面反射面积最大化，从而提升发光二极管的发光亮度和发光效率。
- 发光二极管发光装置
- [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211328340.8在审
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李维环;陈劲华;高鹏;宁甫阳;刘晓峰;彭钰仁;郭桓邵;王笃祥;张家宏
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天津三安光电有限公司
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2022-10-27
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2023-04-04
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H01L33/40
- 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其外延结构包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一类型半导体层包括第一类型窗口层，第一类型窗口层的一侧设置有第一类型欧姆接触层；第一类型欧姆接触层的材料为Alx1Gay1InP，第一类型窗口层的材料为Alx2Gay2InP，第一类型欧姆接触层中Al的含量小于第一类型窗口层Al的含量。本发明提供的发光二极管，在外延结构材料为铝镓铟磷基础上，通过对第一类型欧姆接触层和第一类型窗口层的设计，降低第一类型欧姆接触层与第一类型半导体层之间的势垒高度，降低第一类型欧姆接触层和第一类型窗口层的本征波长，减少欧姆接触层和第一类型窗口层的吸光，解决发光二极管发光效率不足的问题。
- 发光二极管发光装置
- [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211660457.6在审
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蒙成;曹冬梅;郭桓卲;彭钰仁;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2022-12-23
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2023-03-28
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H01L33/44
- 本发明公开发光二极管，发光二极管包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中第一表面为出光面；欧姆接触层，设置于所述半导体外延叠层的第二表面；透光性介电层，设置于所述欧姆接触层远离半导体外延叠层的一侧，具有多个开口贯穿所述透光性介电层，形成导电通孔；欧姆补偿层，填充所述透光性介电层的开口，与所述欧姆接触层形成电连接；反射层，设置于所述透光性介电层和欧姆接触层远离半导体外延叠层的一侧。本发明通过设置欧姆补偿层，可补偿透光性介电层的导电通孔处的欧姆接触层的厚度并修复破坏的键解，实现电压补偿的目的。
- 发光二极管发光装置
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