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[发明专利]基于氧化镓的金属绝缘层半导体结构日盲紫外探测器及其制备方法-CN202011367022.3在审
发明人：叶建东;徐阳;郝景刚;任芳芳 -专利权人：南京新澳半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明提出一种基于氧化镓的金属绝缘层半导体结构日盲紫外探测器及其制备方法，包括：由镍、金电极构成的电极层，绝缘氧化铝层，及氧化镓半导体衬底，电极层、绝缘氧化铝层、氧化镓半导体衬底由上至下依次设置，形成金属‑绝缘层‑半导体结构。本发明在金属‑半导体‑金属的结构的基础上，通过加入一层绝缘氧化铝层形成金属‑绝缘层‑半导体结构，降低暗电流和减小内部光致发射，从而提高光暗电流抑制比。
基于氧化金属绝缘半导体结构紫外探测器及其制备方法

[发明专利]布线电路板的制造方法-CN201110325723.5无效
发明人：龟井胜利;杉本悠;金川仁纪 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：该布线电路板的制造方法包括以下工序：准备金属支承层；在金属支承层上以形成有开口部的方式形成绝缘层；在绝缘层上及自绝缘层的开口部暴露出的金属支承层上形成导体薄膜；加热导体薄膜；在形成于绝缘层上的导体薄膜上形成导体图案；在形成于自绝缘层的开口部暴露出的金属支承层上的导体薄膜上与导体图案连续地形成金属连接部。
布线电路板制造方法

[发明专利]自对准金属硅化物及晶体管中接触层的形成方法-CN201911308780.5在审
发明人：梁金娥;冯秦旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及自对准金属硅化物及晶体管中接触层的形成方法，涉及半导体集成电路制造工艺，通过选择具有选择性沉积特性的金属化合物气体进行沉积工艺以形成金属层，使所述金属层仅覆盖半导体或者导体区域而不覆盖绝缘介质层的表面，且在沉积工艺的过程中，形成的金属层与半导体区域内的半导体反应生成过渡金属硅化物层，之后通过退火工艺使过渡金属硅化物层形成低电阻金属硅化物层而形成半导体器件中的接触层，使得金属层不会接触大气环境而氧化，所以不需在金属层的表面形成保护层，而节省保护层材料及形成保护层的工艺，且节省用于形成金属层的金属的使用量，大大降低成本，且所用机台数量少，节省工艺流程。
对准金属硅晶体管接触形成方法

[发明专利]金属硅化物形成方法及半导体器件的制造方法-CN200710087920.1无效
发明人：片桐孝浩;十河康则 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-02-08 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种在包含硅的半导体区上形成金属硅化物层的金属硅化物形成方法。该方法步骤包括：在该半导体区上形成包含第一金属的第一金属层；在该半导体区上形成包含第二金属的第二金属层以覆盖在该形成第一金属层步骤中形成的该第一金属层；并通过对其中在形成第二金属层步骤中形成第二金属层以覆盖第一金属层的半导体区进行热处理，使该半导体区与该第一金属层和该第二金属层中至少之一产生硅化，形成该金属硅化物层。在第一温度下硅化该第一金属层。在比第一温度低的第二温度下形成该第二金属层。
金属硅形成方法半导体器件制造

[发明专利]金属氧化物半导体层的结晶方法及半导体结构-CN201610723919.2有效
发明人：叶家宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供两种金属氧化物半导体层的结晶方法及半导体结构，第一种结晶方法是在压力为约550mtorr至约5000mtorr，温度为约200℃至约750℃下，以氧气处理包含铟的非结晶金属氧化物半导体层。第二种结晶方法是先依序形成第一非结晶金属氧化物半导体层、铝层及第二非结晶金属氧化物半导体层于基板上，在温度为约350℃至约650℃下，以惰性气体处理第一非结晶金属氧化物半导体层、铝层及第二非结晶金属氧化物半导体层本发明的金属氧化物半导体层的结晶方法制备的半导体结构能够有效抵御蚀刻剂侵蚀，能够广泛用于制备薄膜晶体管。
金属氧化物半导体结晶方法结构

[发明专利]一种阵列基板及包括其的显示装置-CN201710295964.7有效
发明人：彭涛 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板以及包括其的显示装置，其中，阵列基板包括衬底基板；第一金属层；第二金属层，位于第一金属层远离衬底基板的一侧；第三金属层，位于第二金属层远离衬底基板的一侧；第一绝缘层，设置于第一金属层和第二金属层之间；第二绝缘层，设置于第二金属层和第三金属层之间；第一氧化物导体层，位于第三金属层远离衬底基板的一侧；第二氧化物导体层，位于第一氧化物导体层远离衬底基板的一侧；第三绝缘层，位于第一氧化物导体层和第三金属层之间；其中，在所述显示区域，所述第一氧化物导体层和所述第二氧化物导体层之间设置有第四绝缘层，在非显示区域，第三金属层与第二金属层至少通过所述第一氧化物导体层电连接。
一种阵列包括显示装置

[发明专利]半导体基底、半导体装置及其制造方法-CN201180009076.5有效
发明人：酒井士郎 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供了一种制造半导体基底的方法，所述方法包括：在基底上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成金属材料层；在所述第一半导体层和所述金属材料层上形成第二半导体层；使用溶液蚀刻所述基底，以去除所述金属材料层和所述第一半导体层的一部分；以及在位于去除所述金属材料层的位置下方的第一半导体层中形成腔。
半导体基底装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件、半导体装置以及半导体元件的制造方法-CN201180054833.0在审
发明人：大津健嗣;楠卓;山田朗;黑岩丈晴;多留谷政良 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-04-18 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到一种半导体元件，具有电极，该电极即使半导体元件在高温下、特别是175℃以上动作的情况下，半导体元件和金属纳米粒子烧结层也能够稳定地密接充分长时间。具有电极，该电极具备：含Ni金属层（4），形成于半导体元件构造部的至少一个面侧且包含Ni；Ni阻挡金属层（5），在含Ni金属层（4）的与半导体元件构造部相反的一侧的外侧形成；以及表面金属层（6），在Ni阻挡金属层（5）的与半导体元件构造部相反的一侧的外侧形成，且将与金属纳米粒子烧结层（9）连接，Ni阻挡金属层（5）含有降低Ni向表面金属层（6）的扩散的金属。
半导体元件装置以及制造方法

[发明专利]用于一半导体集成电路的导电结构-CN200810081039.5有效
发明人：苏圣全 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种用于一半导体集成电路的导电结构，该半导体集成电路包含一衬垫，以及一局部覆盖该衬垫的保护层，以共同界定出一开口区域。该导电结构适可通过该开口区域，与该衬垫呈电性连接。该导电结构包含一下金属层；一第一导体层，形成于该下金属层上，与该下金属层呈电性连结；一第二导体层，形成于该第一导体层上，与该第一导体层呈电性连结；以及一覆盖导体层。此外，该下金属层、第一导体层与第二导体层共同界定一基本凸块结构，该覆盖导体层适以基本上完全覆盖基本凸块结构。
用于一半导体集成电路导电结构

[发明专利]电耦接结构、半导体装置和电子设备-CN201880049141.9有效
发明人：富田一行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：[问题]为了在金属和半导体之间可靠地形成低阻抗电连接。[解决方案]提供了一种电连接结构，设置有：半导体层；金属层；以及中间层，中间层包括设置在半导体层侧的绝缘层和设置在金属层侧的二维材料层并且由半导体层和金属层夹持。
电耦接结构半导体装置电子设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板-CN202210325376.4在审
发明人：熊钦;卢劲松;孙松;刘凯军;洪文进;许哲豪;郑浩旋 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板，薄膜晶体管包括栅极金属层、覆盖设置在栅极金属层上的绝缘层、设置在绝缘层上，且对应栅极金属层的半导体层、设置在半导体层上的源极金属层；以及设置在半导体层上，与源极金属层同层设置的漏极金属层，漏极金属层与源极金属层之间形成有沟道区；其中，半导体层对应沟道区设置有散热孔，散热孔的横截面积小于所述沟道区的横截面积，散热孔与所述沟道区连通。本申请通过在半导体层对应的沟道区域挖一个横截面积小于所述沟道区的横截面积的散热孔，去除了部分半导体层，同时增大半导体层与外界的接触面积，减少自发热的同时可以更快的对半导体自身进行散热，提高薄膜晶体管的性能和寿命
薄膜晶体管及其制备方法阵列

[发明专利]半导体测试结构及其制造方法-CN202210227575.1在审
发明人：丁瑞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体测试结构及其制造方法，所述半导体测试结构的制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构内包括掺杂层和位于所述掺杂层内的金属层；形成至少一开口于所述半导体结构上，所述开口暴露出所述金属层；通过湿法刻蚀液与所述金属层反应，以移除所述金属层，而形成镂空部，其中所述湿法刻蚀液通过所述开口进入所述半导体结构内；通过所述开口向所述镂空部内填充非金属材料层，以形成所述半导体测试结构；其中，所述金属层的蒸发压大于所述非金属材料层的蒸发压上述技术方案，避免了由于金属在极高的电场下才能蒸发的特性而影响原子探针层析成像技术在半导体测试结构中的运用。
半导体测试结构及其制造方法

[发明专利]制造高效半导体器件的方法-CN03158948.0有效
发明人：李庭旭;刘址范;孙哲守;成演准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-09-17 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造高效半导体器件的方法。该方法包括：(a)在衬底上顺序叠置第一半导体层、掩模层和金属层；(b)使金属层阳极氧化以将金属层转变成包括多个纳米孔的金属氧化物层；(c)利用金属氧化物层作为蚀刻掩模蚀刻掩模层，直到纳米孔延伸到第一半导体层的表面；(d)去除金属氧化物层；以及(e)在掩模层和第一半导体层上沉积第二半导体层。
制造高效半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201911021012.1在审
发明人：李炳训;朴钟昊;金完敦;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：多个半导体图案，所述多个半导体图案在衬底上顺序地堆叠并彼此间隔开；以及栅电极，所述栅电极位于所述多个半导体图案上。所述栅电极包括顺序地堆叠在所述多个半导体图案上的覆盖图案和功函数图案。所述覆盖图案包括第一金属氮化物层和第二金属氮化物层，所述第一金属氮化物层包括第一金属元素，所述第二金属氮化物层包括功函数大于所述第一金属元素的功函数的第二金属元素。所述第一金属氮化物层设置在所述第二金属氮化物层与所述多个半导体图案之间。所述第一金属氮化物层比所述第二金属氮化物层薄。
半导体器件

[实用新型]感光元件以及具有感光元件的显示面板-CN202220415013.5有效
发明人：苏家兴;康镇玺;周凯茹 -专利权人：凌巨科技股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：在感光元件中，第一金属电极与第二金属电极设置在基板上；第一掺杂半导体层覆盖第一金属电极，第二掺杂半导体层覆盖部分第二金属电极，第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层之间的第一间隔大于第二金属电极与第一金属电极之间的第二间隔；钝化层覆盖被第二间隔显露出的基板与被第一间隔显露出的第二金属电极；感光半导体层覆盖钝化层、第一掺杂半导体与第二掺杂半导体；栅极绝缘层覆盖感光半导体层，栅极绝缘层相对感光半导体层的一侧为光入射面；栅极电极对应于第二间隔的位置设置在栅极绝缘层上
感光元件以及具有显示面板