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[发明专利]用于太阳能电池的金属触点方案-CN201180033136.7无效
发明人：艾莉森·琼·列农;吕珮玄;陈洋 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：提供一种对半导体器件的半导体表面形成点金属电触点的方法。在第一步骤中，在半导体表面上形成第一金属层。之后将第一金属层阳极氧化以产生形成在半导体表面上的多孔金属氧化物层。多孔金属氧化物层中的孔将从而在多孔金属氧化物层中形成开口阵列。之后将触点金属层形成在多孔金属氧化物层上以使得触点金属层的一部分延伸至开口阵列的开口中。触点金属层经由多孔金属氧化物层中的开口阵列电接触半导体表面。电介质层可以任选地形成在半导体表面上并且多孔金属氧化物层形成在电介质层上，并且触点金属之后经由电介质层接触半导体表面。
用于太阳能电池金属触点方案

[发明专利]一种半导体器件和半导体器件的制造方法、电子装置-CN201710994881.7在审
发明人：齐伟华;张传宝;杜亚;王奇峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法、电子装置，所述半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的次顶部金属层和顶部金属层；位于所述次顶部金属层和顶部金属层之间的层间介质层，所述层间介质层中形成有导电通孔，用以电连接所述次顶部金属层和顶部金属层；位于所述顶部金属层之上的焊盘；以及覆盖所述焊盘的钝化层，所述钝化层具有露出部分所述焊盘的开口；其中，所述导电通孔形成在所述开口垂直下方以外的区域。根据本发明的半导体器件和半导体器件的制造方法，减少了半导体器件在键合过程中焊盘和顶部金属层剥落的风险，增加了焊盘结构的稳定性。
半导体器件顶部金属层焊盘层间介质层导电通孔电子装置钝化层衬底半导体开口制造垂直下方焊盘结构键合过程电连接剥落覆盖

[发明专利]一种电力电缆-CN201610542164.6在审
发明人：冯超;王宝林;李遂甫;李东钦;胡庆伟;李克;李文波;李鹏 -专利权人：大唐三门峡发电有限责任公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电力电缆，由外半导电层、非金属外防护层、金属护层、半导电阻水缓冲层、绝缘屏蔽层、绝缘层、导体屏蔽层、导体组成，所述的导体设置在最中心，导体屏蔽层、绝缘层、绝缘屏蔽层、半导电阻水缓冲层、金属护层、非金属外防护层、外半导电层依次逐层在外。所述的导体的中间为圆形导体，周围为梯形或Z形单线导体互相配合围绕在圆形导体上。
一种电力电缆

[发明专利]氮化物系半导体发光元件及其制造方法-CN200680034270.8有效
发明人：大泽弘;程田高史 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供支持基板的强度特性优异，并且来自该支持基板的反射光少的、提高了光获取效率的半导体元件及其制造方法。本发明的构成为：在基板上按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、镀覆金属板而成的氮化物系半导体发光元件中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上。或者，本发明的构成为：在按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、金属板而成的结构中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上，在所述p型半导体层上的没有形成所述金属膜层和所述镀覆金属板的部分上形成有透光性物质层
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]用于3D芯片的功能芯片-CN202110129975.4在审
发明人：李晓骏 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种用于3D芯片的功能芯片，包括：衬底层；金属层，金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，金属层的第二表面设置在衬底层上；金属层穿孔组件，设置在金属层内，金属层穿孔组件包括：第一导体件、第二导体件和导体连接孔，第一导体件形成于金属层的第一表面，第二导体件形成于金属层的第二表面，导体连接孔形成于金属层内，第二导体件通过导体连接孔连接于第一导体件；衬底通孔，开设在衬底层上；功能电路，功能电路连接于第一导体件和第二导体件中的至少一者该功能芯片降低了刻蚀的工艺难度，降低了占用金属层的面积，降低了电阻寄生参数和电容寄生参数，缩短了功能芯片的制备周期，降低了生产成本。
用于芯片功能

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置-CN201611204738.5在审
发明人：杨维;宁策;胡合合;王珂 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：方法包括形成金属氧化物半导体图形，金属氧化物半导体图形包括第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层，第二金属氧化物半导体层位于第一金属氧化物半导体层上方；在金属氧化物半导体图形上沉积源漏金属层，对源漏金属层和第二金属氧化物半导体层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的源电极、漏电极和有源层，有源层为利用第一刻蚀液去除源电极和漏电极之间的第二金属氧化物半导体层后得到，第一刻蚀液对第二金属氧化物半导体层进行刻蚀的速率大于对第一金属氧化物半导体层进行刻蚀的速率本发明能够提高金属氧化物薄膜晶体管的稳定性，保证显示装置的显示质量。
薄膜晶体管及其制作方法显示显示装置

[实用新型]一种控制电缆-CN201720880469.8有效
发明人：赵西川;韩五成;孙化超;赵立锁 -专利权人：西隆电缆有限公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01B9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种控制电缆，属于电量输送领域，包括线缆、金属导体层和外护套，线缆包括导体和绝缘层，绝缘层包裹于导线外，金属导体层包裹于绝缘层外，外护套包裹于金属导体层外。本实用新型提供的控制电缆在线缆外包裹一层金属导体层，金属导体层可以形成静电屏蔽，避免外部磁场对线缆造成影响，从而避免不必要的电量浪费，同时，金属导体层也可以将线缆的磁场与外界屏蔽，避免线缆的磁场对周围的人产生影响
金属导体层线缆控制电缆绝缘层本实用新型外护套磁场静电屏蔽绝缘层包裹电量输送外部磁场外界屏蔽导体电量

[发明专利]半导体基板-CN202010013803.6有效
发明人：林威廷;王鼎;郑君丞 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体基板，包括基板、第一金属氧化物半导体层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层及第二金属氧化物半导体层。第一晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第一金属氧化物半导体图案、第一导电层的第一栅极、第二导电层的第一源极和第二导电层的第一漏极。第二晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第二金属氧化物半导体图案、第一导电层的第二栅极、第二导电层的第二源极、第二导电层的第二漏极和第二金属氧化物半导体层的第三金属氧化物半导体图案。
半导体

[发明专利]显示装置以及制造该显示装置的方法-CN202211368926.7在审
发明人：李在贤;金璱基;崔昇夏;尹甲洙;李禹根 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：该显示装置包括：基板；半导体层，在基板上，由氧化物半导体形成，并且包括沟道半导体层和在第一方向上从沟道半导体层延伸的第一半导体层；第一金属层，在第一半导体层上，并且在平面图中位于第一半导体层中；第一无机绝缘层，覆盖半导体层和第一金属层，并且包括与第一半导体层和第一金属层重叠的第一接触孔；第一电极，在第一无机绝缘层上，与第一半导体层和第一金属层重叠，并且通过第一接触孔电连接到第一金属层和连接到第一金属层的第一半导体层
显示装置以及制造方法

[发明专利]包括贯通孔结构的半导体器件-CN202210063164.3在审
发明人：黄善宽;金泰成;罗勋奏;文光辰;全炯俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：可以提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；集成电路层，在半导体衬底上；第一至第n金属布线层(其中n为正整数)，顺序堆叠在半导体衬底和集成电路层上；第一贯通孔结构，沿竖直方向从第一过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，该第一过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一；以及第二贯通孔结构，与第一贯通孔结构分开，沿竖直方向从第二过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，该第二过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一。
包括贯通结构半导体器件

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210147400.X在审
发明人：金志勋;高建峰;杨涛;李俊峰;刘卫兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，通过形成在金属互连层内的应力抵消层来抑制基底和金属互连层翘曲，从而防止基底和金属互连层在后续半导体制造工艺中破碎，便于半导体制造工艺的进行。所述半导体器件包括基底、金属互连层和应力抵消层。基底包括外围区和单元区。金属互连层形成在基底上，金属互连层覆盖外围区和单元区。应力抵消层形成在相应金属互连层内。应力抵消层用于抑制基底和金属互连层翘曲。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提供的半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法-CN201510792045.1有效
发明人：张波;孟骁然;俞文杰;狄增峰;张苗 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属‑半导体合金的方法，包括以下步骤：1）提供半导体衬底；2）在半导体衬底表面形成石墨烯；3）对石墨烯进行离子注入，以得到密度可控的缺陷石墨烯；4）在缺陷石墨烯表面形成金属层；5）对步骤4）得到的结构进行退火处理，形成金属‑半导体合金层。通过在半导体衬底与金属层之间形成石墨烯插入层，可以有效地改善半导体衬底与金属‑半导体合金层的界面的接触特性，外延得到的金属‑半导体合金层质量更好、性能更加稳定；石墨烯插入层具有较高的电子迁移率，可以有效地降低外延生长的金属‑半导体合金层电阻及半导体衬底与金属‑半导体合金层的接触电阻，从而提高其电学性能。
石墨烯半导体合金金属插入层衬底半导体有效地可控制备金属-半导体合金半导体衬底表面表面形成金属电子迁移率电学性能接触电阻接触特性退火处理外延生长金属层可控的电阻离子

[发明专利]低杂散电感衬底及其功率半导体模块-CN201710696370.7在审
发明人：杨贺雅;罗浩泽;梅烨 -专利权人：杭州浙阳电气有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种低杂散电感衬底及其功率半导体模块。所述衬底包括多个金属敷层及其上安装的多个功率半导体芯片，第一功率半导体芯片安装在第一金属敷层上；第二金属敷层布置于第一金属敷层旁，与第一金属敷层相邻，并与第一金属敷层上的第一功率半导体芯片相连；第三金属敷层布置于第一金属敷层旁，与第一金属敷层相邻，并与第一功率半导体芯片相连；第二功率半导体芯片安装在第三金属敷层上；第四金属敷层布置于第一金属敷层旁，与第三金属敷层相邻，并与第二功率半导体芯片相连。与现有技术相比，本发明提供的具有低杂散电感衬底的功率半导体模块的优势在于可减小功率回路的杂散电感，提高功率模块的功率密度和运行可靠性。
低杂散电感衬底及其功率半导体模块

[发明专利]像素结构及其制作方法-CN201210067737.6有效
发明人：高逸群;邱皓麟;林俊男 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该制作方法包括，首先，在基板上形成第一图案化金属层，包括扫描线以及栅极。再于第一图案化金属层上依序形成第一绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡图案以及金属层。接着，图案化此金属层和半导体层以形成第二图案化金属层和图案化半导体层。第二图案化金属层包括数据线、源极与漏极。图案化半导体层包括完全重叠于第二图案化金属层的第一半导体图案以及不重叠于第二图案化金属层的第二半导体图案，其中第二半导体图案包括位于源极与漏极之间的通道图案以及包围第一半导体图案的边缘图案。
像素结构及其制作方法

[实用新型]欧姆接触结构-CN202222227433.3有效
发明人：陈玉成;高涛;曾广锋 -专利权人：东莞先导先进科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N10/817 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种欧姆接触结构，包括半导体材料层、粘附金属层、欧姆接触金属层和扩散阻挡金属层，所述半导体材料层具有第一端面，所述第一端面开设有多个凹槽；所述粘附金属层设置于所述第一端面；所述欧姆接触金属层设置于所述粘附金属层；所述扩散阻挡金属层设置于所述欧姆接触金属层。本实用新型结构简单紧凑，提高半导体材料层和欧姆接触金属层之间的粘合力，保证半导体器件的寿命。
欧姆接触结构