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[实用新型]显示面板及显示装置-CN201720251289.3有效
发明人：李俊谊;赖青俊;周秀峰 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板，包括衬底基板、第一金属层、第一导体层、形成在第一金属层与第一导体层之间的第一绝缘层、第二导体层以及形成在第一导体层和第二导体层之间的第二绝缘层；第一导体层形成有阵列排布的多个块状电极，第二导体层形成有多个导体块，第二绝缘层开设有多个第一过孔，各块状电极通过第一过孔与导体块电连接；第二绝缘层还开设有多个第二过孔，第一绝缘层还开设有多个第三过孔，第一金属层形成有多条金属走线；导体块通过第二过孔和第三过孔与其中一条所述金属走线电连接通过上述各过孔将块状电极与金属线电连接，提高块状电极与金属线之间的良接触的同时，提高了各层间的绝缘性，从而提升液晶显示面板的显示效果。
显示面板显示装置

[发明专利]一种半导体器件以及制备方法、电子装置-CN201610039853.5有效
发明人：包小燕;董天化 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件以及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构和有源区，在所述浅沟槽隔离结构上形成有栅极结构；在栅极结构和有源区上形成图案化的半导体材料层，并在所述图案化的半导体材料层上形成第一金属硅化物阻挡层；图案化第一金属硅化物阻挡层，以在半导体材料层上形成阻挡层间隙壁，以减小所述半导体材料层的坡度；在所述栅极结构、所述阻挡层间隙壁和所述有源区上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属硅化物阻挡层并图案化，以露出所述栅极结构及其间隙壁上方的所述第一金属层；在露出的所述第一金属层上形成第二金属层并执行退火步骤，以形成自对准硅化物。
一种半导体器件以及制备方法电子装置

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110167903.9在审
发明人：王新月;刘学刚 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。半导体器件包括衬底结构以及依次覆盖在衬底结构上的新型金属层、绝缘层和传统金属层，新型金属层的材料与传统金属层的材料不同，绝缘层上设有新型通孔，新型金属层和传统金属层通过新型通孔电连接。上述半导体器件在衬底结构和传统金属层之间增加了新型金属层，并通过新型通孔实现新型金属层和传统金属层之间的连接，结构更加多样化，性能更高，且在制造过程中能够避免不必要的成本损失。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管、有机发光二极管显示装置及其制造方法-CN200810212607.0有效
发明人：朴炳建;徐晋旭;梁泰勋;李吉远 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2008-08-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该TFT包括：基底；半导体层，设置在基底上并包括沟道区、源区和漏区；栅电极，设置在与半导体层的沟道区对应的位置处；栅极绝缘层，置于栅电极和半导体层之间，以使半导体层与栅电极电绝缘；金属结构，由金属层、金属硅化物层、或者金属层和金属硅化物层的双层组成，所述金属结构与栅电极分隔开，并在半导体层的上方或下方设置在与半导体层的除了沟道区的区域对应的位置处，所述金属结构由与栅电极的材料相同的材料形成；源电极和漏电极，电连接到半导体层的源区和漏区
薄膜晶体管有机发光二极管显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN201410046022.1有效
发明人：胜野弘;三木聪;伊藤俊秀;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-08 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：根据一个实施方式，一种半导体发光器件包含第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元以及绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接到第一金属层，并且该第二金属层是反光的。第二金属层包含接触金属部分和外周金属部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含内部分、中间部分以及外部分。
半导体发光器件

[发明专利]用于改善金属氧化物半导体层的导电率的方法-CN201480041709.4有效
发明人： M·纳格;A·布罗卡姆;R·穆勒 -专利权人： IMEC非营利协会;荷兰应用自然科学研究组织TNO;鲁汶天主教大学研究开发部
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开提供一种用于改善金属氧化物半导体层在预定位置处的导电率的方法。该方法包括：在基板上提供金属氧化物半导体层；借助原子层沉积在金属氧化物半导体层的顶部上提供金属氧化物层，其中该金属氧化物层在预定位置与金属氧化物半导体层物理接触。惊奇地发现该方法导致金属氧化物半导体层在预定位置处有增加的导电率。本公开的方法可有利地用在针对自对准顶栅金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造过程中，以改善源极和漏极区域中的导电率。
用于改善金属氧化物半导体导电方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811352193.1有效
发明人：城直树;清水完;胁山悟;林利彦;中村卓矢 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：第一半导体元件，具有第一电极、设置在所述第一电极上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层和钝化层；第二半导体元件，具有第二电极；以及微凸块，设置在所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间，所述钝化层覆盖所述第一金属层和所述第二金属层各自的至少一部分。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210237891.7在审
发明人：周智超;江国诚;朱熙甯;蓝文廷;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置。例示性半导体装置包括：形成在导电部件上方的介电层、形成在介电层上方的半导体堆叠物、第一金属栅极结构及第二金属栅极结构以及第一外延部件。半导体堆叠物包括向上堆叠且彼此分离的半导体层。第一金属栅极结构及第二金属栅极结构形成在半导体堆叠物的通道区域上方。第一金属栅极结构及第二金属栅极结构围绕半导体堆叠物的每个半导体层。第一外延部件设置在介于第一金属栅极结构及第二金属栅极结构之间且在半导体堆叠物的第一源极/漏极区域上方。第一外延部件延伸穿过介电层且接触导电部件。
半导体装置

[发明专利]氮化物半导体激光器装置及其制造方法-CN200610143326.5无效
发明人：河镜虎;柳汉烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器装置及其制备方法。所述半导体激光器装置包括衬底以及顺序形成在所述衬底上的n－材料层、n－覆层、n－光波导层、有源区域、氮化物半导体层、金属层和金属基覆层。所述金属层和金属覆层呈脊状且在所述金属层和金属基覆层的侧壁和所述氮化物半导体层的暴露表面上形成电流阻挡层。在脊状金属层和电流阻挡层上形成p－电极层。所述半导体激光器装置利用金属基覆层取代Al_xIn_yGa_1－yN基p－覆层，由此防止了有源区域的劣化。所述半导体激光器装置还包括在所述金属基覆层和氮化物半导体层和p－GaN材料之间的薄金属层，由此减小其间的接触电阻。由此，能够制造具有可见光波长的高功率、低电压的半导体激光器装置。
氮化物半导体激光器装置及其制造方法

[实用新型]一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管-CN201920490045.X有效
发明人：刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；绝缘衬底上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；双层金属氧化物半导体异质结包括第一层金属氧化物半导体层和第二层金属氧化物半导体层。
氧化物半导体双层金属异质结金属氧化物半导体层薄膜晶体管本实用新型栅极绝缘层漏电极源电极栅电极衬底绝缘安全环保依次设置第一层顶层

[发明专利]一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管-CN201910237587.0有效
发明人：芦红;丁元丰;张克冬 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管。本发明提供的半金属/半导体肖特基结，包括半导体层和半金属层，所述半导体层和半金属层之间形成肖特基接触；其中，形成所述半金属层的化合物为稀土元素与VA族元素组成的化合物。本发明提供的半金属/半导体肖特基结中半导体层和半金属层的界面热稳定性良好，基于所述半金属/半导体肖特基结的肖特基二极管，理想因子约为1.05，噪声等效功率可降低至pW/Hz1/2
一种金属半导体肖特基结及其制备方法肖特基二极管

[发明专利]半导体装置-CN201810595785.X在审
发明人：邱诗航;吴仲强;陈智城;苏崇毅;黄泰维;刘冠廷;李达元;苏庆煌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种半导体装置及其形成方法的实施例。此半导体装置包含栅极结构，该栅极结构包含高介电常数栅极介电层、功函数金属层、以及无缝金属填充层。高介电常数栅极介电层位于半导体鳍片中的通道之上。功函数金属层位于高介电常数栅极介电层之上。无缝金属填充层位于功函数金属层之上。此半导体装置的形成方法的实施例包含：在短通道半导体鳍片之上形成高介电常数栅极电极层，在高介电常数栅极电极层之上形成功函数金属层，以及在功函数金属层之上顺应性地形成无缝的金属填充层。
高介电常数栅极功函数金属层半导体装置金属填充层介电层半导体鳍片栅极结构电极层短通道金属层成功

[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法-CN200910196203.1有效
发明人：杨瑞鹏;孔祥涛;聂佳相;胡宇慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-23 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；在所述半导体基底上形成至少两层金属层，所述至少两层金属层的溅射功率随形成各层金属层的次序依次增加；对所述半导体基底进行退火工艺，所述硅区域与所述至少两层金属层反应生成金属硅化物；刻蚀去除所述至少两层金属层中未发生反应的部分。本发明避免了金属层中合金元素分布不均匀的问题，防止了半导体基底中心区域的镍元素扩散侵入问题，提高了器件的可靠性。
对准金属硅形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210570430.1在审
发明人：王沛萌;郗宁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，采用该半导体结构的形成方法形成的半导体结构包括：衬底，所述衬底上形成有绝缘层；位于所述绝缘层上的金属导电层；位于相邻的所述金属导电层之间的隔离结构。一方面，该半导体结构中的副产物残留较少，因此相邻金属导电层之间发生短路的情况较少，从而该半导体结构的良率较高；另一方面，该半导体结构中的金属导电层损伤较少，金属导电层比较完整，从而可以提高金属导电层的导电性能
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310151573.3在审
发明人：曹万镐;权奇贤 -专利权人：三星电子株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成半导体层，该半导体层包括二维半导体材料；在半导体层上形成牺牲层；在牺牲层上形成金属接触层；以及去除牺牲层。在去除牺牲层之后，通过范德华键将半导体层和金属接触层彼此结合。
半导体装置及其制造方法