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[发明专利]发光器件和发光装置-CN202280000310.6在审
发明人：梁轩;王飞;王明星;王灿;董学;齐琪;杨明坤 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种发光器件和发光装置，所述发光器件包括至少两个沿第一方向设置且串联的外延结构，相邻的两个外延结构之间设置有两层电流扩散层和透明粘胶层，并且相邻的两个外延结构中的每一个外延结构一侧均设置有一层电流扩散层，所述透明粘胶层设置在所述两层电流扩散层之间，所述透明粘胶层中设置有金属纳米颗粒。
发光器件装置

[发明专利]基于Nano-LED应用的外延结构、芯片及制备方法-CN202111036291.6有效
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;曲晓东;赵斌 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于Nano‑LED应用的外延结构、芯片及制备方法，通过：所述图形化衬底包括通过隔离柱相互隔离且呈阵列分布的多个凸起，所述凸起与对应隔离柱之间形成凹槽；形成于所述凹槽内并覆盖各所述凸起表面且通过所述隔离柱相互隔离的若干个外延叠层。从而，基于由隔离柱相互隔离且呈阵列分布的多个凸起所构成的图形化衬底，可在各所述凸起表面形成相互隔离的若干个外延叠层，也即每个凸起形成一个独立的发光单元；进而可很好地实现发光单元的外延材料的应力释放，获得高质量的外延材料，使得小电流下的Nano‑LED芯片拥有高的发光效率。
基于 nano led 应用外延结构芯片制备方法

[发明专利]一种洞穴外延结构的LED芯片及其制备方法-CN202310937984.5在审
发明人：葛明月;方士伟;王思维 -专利权人：星钥（珠海）半导体有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种洞穴外延结构的LED芯片及其制备方法，包括：衬底01以及位于所述衬底上方的外延层02；所述外延层包括发光层；所述发光层为圆柱结构，所述发光层从圆柱结构的中心，由里至外依次设置有红光外延层、绿光外延层、蓝光外延层和第一GaN层，所述第一GaN层的一侧为P型GaN，所述GaN层的另一侧为N型GaN或无掺杂GaN。本发明降低了外延片中衬底的成本占比，能够显著降低芯片后段巨量转移，同时洞穴外延式的结构能够减小单个LED芯片的面积，在确保与现有LED芯片相比，在相同的面积下，能够提高发光效率，并且由内往外依次设置的红光外延层、绿光外延层、蓝光外延层，能够防止电子外溢，提高LED芯片的使用寿命。
一种洞穴外延结构 led 芯片及其制备方法

[发明专利]发光元件和包括该发光元件的显示装置-CN202180094199.7在审
发明人：金范俊;姜锺赫;李元镐;任铉德;曺银我 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种发光元件包括芯结构，其中，所述芯结构包括：第一发光元件芯；第二发光元件芯，与第一发光元件芯分离；以及第一结合层，布置在第一发光元件芯与第二发光元件芯之间，第一发光元件芯和第二发光元件芯中的每个包括：第一半导体层；第二半导体层，与第一半导体层分离；以及元件活性层，布置在第一半导体层与第二半导体层之间，并且第一发光元件芯的第一半导体层、元件活性层和第二半导体层的堆积方向与第二发光元件芯的第一半导体层、元件活性层和第二半导体层的堆积方向相反。
发光元件包括显示装置

[发明专利]三色氮化物发光二极管的制造方法-CN202211655380.3有效
发明人：王新强;刘强;王琦;陶仁春 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层；通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层；对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层，电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层；分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明使一种芯片具有三种不同的发光区域，减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数，实现更小型的LED显示应用。
三色氮化物发光二极管制造方法

[发明专利]一种水平外延结构的LED芯片及制备方法-CN202310937998.7在审
发明人：葛明月;王思维;方士伟 -专利权人：星钥（珠海）半导体有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平外延结构的LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括：衬底；位于所述衬底上方的外延层；所述外延层包括蓝光外延结构单元、绿光外延结构单元和红光外延结构单元；所述蓝光外延结构单元、绿光外延结构单元和红光外延结构单元均生长在同一所述衬底的上方。本发明通过将现有至少三片芯片的衬底进行封装的方式，改进为采用一片芯片的衬底上进行外延生长的方式，能够大幅降低外延层的衬底的成本占比，同时采用一条芯片制程的流程即可完成，封装时不需要将多颗芯片封装到一起，而是单芯封装，提高了芯片制备的效率，简化了工艺难度，同时也降低了LED芯片成品体积，提高了对LED芯片的良品率，以及良品检测的效率。
一种水平外延结构 led 芯片制备方法

[发明专利]一种双侧外延结构的LED芯片及其制备方法-CN202310938003.9在审
发明人：葛明月;方士伟;王思维 -专利权人：星钥（珠海）半导体有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种双侧外延结构的LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括：衬底；位于所述衬底上方的第一外延层和位于所述衬底下方的第二外延层；所述第一外延层包括蓝光外延层和绿光外延层，所述绿光外延层位于所述蓝光外延层上方，所述蓝光外延层位于所述衬底的上方；所述第二外延层包括红光外延层，所述红光外延层位于所述衬底的下方。本发明通过在同一衬底的正面和反面进行不同颜色的外延生长，使得芯片的横向结构能够进一步缩小，以使LED芯片能够以更高分辨率的显示进行输出，同时能够避免LED芯片中将所有外延层设置于同一侧时导致的应力叠加的问题，从而提高LED芯片的良品率，避免后段制程窗口变窄甚至碎片的情况发生。
一种外延结构 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种多彩微型发光二极管及显示装置-CN202310571781.9在审
发明人：王彦钦;陈劲华;郭桓卲;彭钰仁 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种多彩微型发光二极管及显示装置。所述多彩微型发光二极管包括：基底；位于所述基底上的下部电极层；层叠于所述下部电极层上的若干发光外延结构；若干所述发光外延结构为红光外延结构、绿光外延结构、蓝光外延结构中的至少一种；若干透明导电层，每一发光外延结构上均层叠有所述透明导电层，且所述透明导电层与所述发光外延结构电连接；键合于相邻所述发光外延结构之间的若干连接层；位于至少一所述透明导电层上的上部电极层。通过上述层叠发光外延结构的方式实现多彩显示，不仅能够简化工艺过程、降低转移难度，还能增强亮度的同时提高多彩发光性能。
一种多彩微型发光二极管显示装置

[发明专利]发光二极管器件-CN202180093946.5在审
发明人： I·威尔德森;R·阿米塔奇 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：描述了在同一晶片中包括电致发光量子阱和光致发光有源区的组合的发光二极管(LED)器件。具有最短发射波长的第一组QW被放置在p‑n结的p型层和n型层之间。具有更长波长的其他组的QW被放置在LED结构的一部分中的p‑n结外部，在该部分中不发生少数载流子的电注入。由第一组QW发射的电致发光被(一个或多个)其他组吸收并作为更长波长的光重新发射。增加下转换效率的波长选择镜可以选择性地应用于期望更长波长发射的管芯。隧道结接触的使用有助于将波长选择镜集成到管芯的外表面，并避免了蚀刻的p‑GaN层上的导电类型转换问题。
发光二极管器件

[发明专利]发光二极管芯片和显示装置-CN202110961540.6有效
发明人：卢元达;岂林霞;杨山伟;赵加伟;熊志军;孙元浩;张方振 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;京东方晶芯科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种发光二极管芯片和显示装置。发光二极管芯片包括：基底；发光结构，位于基底的一侧；第一电极和第二电极，位于发光结构背离基底的一侧，第一电极和第二电极分别与发光结构连接，发光结构配置为在第一电极和第二电极的电压差作用下产生光线；发光二极管芯片的发光中心相对于基底的几何中心存在预设偏移量，发光二极管芯片的发光中心为发光结构的发光区域在基底上的正投影的几何中心。本公开实施例的技术方案，在将LED芯片设置在背板上时，可以使得像素内子像素的发光中心更加集中，使得像素发光面积更集中，减小目视的差异性，提高显示效果；另外，可以减小像素间距，提高显示装置的分辨率。
发光二极管芯片显示装置

[发明专利]一种倒装高压发光二极管-CN202210834610.6有效
发明人：李冬梅;蒋从康;王思博;廖汉忠;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种倒装高压发光二极管。本发明通过在其中一发光单元上设计具有朝向倒装高压发光二极管中心位置的凸起部，避免顶针顶在隔离槽的薄弱处，同时避免了因膜层断裂导致的漏电情况，从而提高了可靠性。
一种倒装高压发光二极管

[发明专利]一种多彩微型发光二极管及显示装置-CN202310729103.0在审
发明人：王彦钦;陈劲华;郭桓卲;彭钰仁 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种多彩微型发光二极管及显示装置。所述多彩微型发光二极管包括：基底；位于所述基底上的下部电极层；层叠于所述下部电极层上的若干发光外延结构；若干所述发光外延结构为红光外延结构、绿光外延结构、蓝光外延结构中的至少两种；发光外延结构的至少部分区域包含有离子布植区；若干透明导电层，每一发光外延结构上均层叠有所述透明导电层，且所述透明导电层与所述发光外延结构电连接；键合于相邻所述发光外延结构之间的若干连接层；位于至少一所述透明导电层上的上部电极层。通过上述设置方式可有效实现多彩显示，不仅能够简化工艺过程、提升制作良率，还能增强亮度的同时提高多彩发光性能。
一种多彩微型发光二极管显示装置

[发明专利]一种基于量子点光致发光红光谐振腔Micro-LED及其制备方法-CN202310873171.4在审
发明人：汪炼成;曹鹏;林蕴;冯佩 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于量子点光致发光的红光谐振腔Micro‑LED及其制备方法，其Micro‑LED包括由下至上依次布置的衬底、第三键合金属层、第一反射层和电流扩展层，在电流扩展层上设有凸台状的氮化镓外延层，所述氮化镓外延层包括由上至下依次布置的n‑GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层和p‑GaN层，在电流扩展层上沉积有向n‑GaN层顶部延伸布置的绝缘层，在绝缘层上设有与电流扩展层和n‑GaN层相对接的电极层，在n‑GaN层上由下至上依次设有量子点薄膜层、第二反射层和蓝光吸收层。本发明所产生的红光发光效率和亮度得到提升；可对红光进行出光角度及光谱宽度的调制，从而实现高效率、高光效、极窄光谱半峰宽以及小的光分布角。
一种基于量子光致发光红光谐振腔 micro led 及其制备方法

[发明专利]LED结构、LED器件及LED结构的制备方法-CN202210204271.3在审
发明人：刘慰华 -专利权人：无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开提供的LED结构、LED器件及LED结构的制备方法，一方面包括衬底结构，衬底结构包括衬底以及间隔设置于衬底上的多个第一应力调制层；位于衬底结构上的发光单元；衬底结构包括上表面为第一应力调制层的第一区域和上表面为衬底的第二区域，位于第一区域上的发光单元和位于第二区域上的发光单元的发光波长不同，实现了在同一衬底上同时具有两种主发光波长的发光单元；另一方面通过本公开LED结构封装制备的LED器件，有效解决了传统LED背光芯片色域偏低的问题，且简化了LED背光芯片的制作步骤，降低LED背光芯片的制备成本。
led 结构器件制备方法

[发明专利]氮化物发光二极管及发光装置-CN202310752116.X在审
发明人：李家安;李君杰;戴志祥;黄文宾;朱振强;蔡吉明;李政鸿;林兓兓;黄少华 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及氮化物发光二极管及发光装置，所述氮化物发光二极管至少包括：外延结构，包括n个外延层（n≥2），各外延层均包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述有源层至少包括InGaN阱层，各外延层中有源层的InGaN阱层具有不同In组分含量，使得各外延层激发后辐射不同的出光波长；隧穿层，位于相邻的两个外延层之间；电极结构，位于所述外延结构上，且与外延结构之间形成电连接。本发明的氮化物发光二极管具有较小的尺寸面积，且能实现控制单个发光二极管即可获得不同颜色的出光源。
氮化物发光二极管发光装置

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