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[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202010708073.1有效
发明人：单利军;康赐俊;刘宇;邱泰玮;王丹云;沈鼎瀛 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：位于半导体衬底上的底部电极金属层和顶部电极金属层；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的电介质层，所述电介质层的横向宽度小于所述底部电极金属层和顶部电极金属层的横向宽度；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层，所述阻变层覆盖所述电介质层的侧壁，所述阻变层具有可变电阻。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和液晶显示面板-CN201710428424.1有效
发明人：姜春生;武岳 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管的制备方法包括在一基板上形成金属氧化物半导体层，在该金属氧化物半导体层的沟道区上形成栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上形成栅极；通过金属刻蚀溶液对金属氧化物半导体层的源区和漏区进行刻蚀，以使所述源区和漏区处的金属氧化物半导体层转变为导体；再对对清除掉金属刻蚀溶液。本发明利用金属刻蚀溶液将金属氧化物半导体上中的一种金属元素刻蚀掉，保留其他的金属元素，使得金属氧化物半导体形成金属氧化物导体，能够提高转换后金属氧化物导体的稳定性，提高薄膜晶体管性能。
一种薄膜晶体管制备方法阵列液晶显示面板

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201910994673.6有效
发明人：叶柏良;吴振中;邓德彰;张家铭 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构配置于基板上，包括第一金属层设置于基板上、栅绝缘层设置于基板上、氧化物半导体层设置于栅绝缘层上、蚀刻阻挡图案设置于氧化物半导体层上以及第二金属层设置于蚀刻阻挡图案上第一金属层包括栅极线。栅绝缘层覆盖栅极线。氧化物半导体层的图案化定义出氧化物半导体图案。第二金属层包括源极与漏极电性连接至氧化物半导体图案。部分蚀刻阻挡图案位于第二金属层与氧化物半导体层之间。第二金属层还包括信号线设置于蚀刻阻挡图案上并电性连接氧化物半导体图案。一种半导体结构的制作方法亦被提出。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种平行双线芯漆包线及加工方法-CN201710905828.5在审
发明人：彭超;陈劲夫;刘明胜;肖松涛;郑建红 -专利权人：惠州市登高达电业有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种平行双线芯漆包线，其包括有第一金属导体和第二金属导体，所述第一金属导体和第二金属导体并行设置且二者之间存在预设距离，所述第一金属导体和第二金属导体的外侧包覆有绝缘漆层，且所述绝缘漆层灌注于第一金属导体和第二金属导体之间，所述绝缘漆层的外侧涂覆有自粘层。上述漆包线中，第一金属导体和第二金属导体之间的间隔是一体成型的，使得两根金属导体之间放线张力达到一致，避免绕制后的线材长度发生差异，防止电阻值、电感量出现变化，进而满足设计要求。
一种平行双线漆包线加工方法

[发明专利]半导体衬底-CN202111458990.X在审
发明人：陈昭丞;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体衬底，包括：互连件，互连件包括：第一金属层，位于半导体衬底的表面上；第二金属层，位于第一金属层上；附着层，位于第一金属层和第二金属层之间，附着层与第二金属层直接接触。本发明的目的在于提供一种半导体衬底，以至少实现提高半导体衬底的良率。
半导体衬底

[发明专利]一种微型发光芯片及其制作方法-CN202210376529.8在审
发明人：王涛;柴圆圆;朱小松;张偲;谷鹏军 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型发光芯片及其制作方法，包括：外延层，外延层包括第一半导体层，第二半导体层以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；还包括分别设于第一半导体层和第二半导体上第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；分别设于第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层，第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层具有抗蚀刻特性；以及分别设于第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层之上的第一电极和第二电极通过金属蚀刻阻挡层的阻挡作用，使得欧姆接触层及金属蚀刻阻挡层不会被蚀刻，金属与半导体层之间的欧姆接触良好，提高了芯片的发光效率。
一种微型发光芯片及其制作方法

[发明专利]具有晶体管的半导体元件及其制法-CN201110212960.0无效
发明人：冉晓雯;蔡娟娟;孟心飞;蔡武卫;陈家新 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开一种具有晶体管的半导体元件及其制法，包括：承载板；金属氧化物半导体层，设于该承载板上；介电层，设于该金属氧化物半导体层上，该介电层构成微奈米级线宽的图案，以外露部分该金属氧化物半导体层，该金属氧化物半导体层的外露表面的载子浓度大于该金属氧化物半导体层内部的载子浓度；图案化遮罩层，设于该介电层的顶面上；以及源极金属层与漏极金属层，设于外露的该金属氧化物半导体层上。本发明还提供一种具有晶体管的半导体元件的制法。
具有晶体管半导体元件及其制法

[实用新型]一种极高屏蔽效能的极薄屏蔽膜-CN201120449622.4有效
发明人：苏陟 -专利权人：广州方邦电子有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种极高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，最少包括第一金属导体层和第二金属导体层，所述第一金属导体层与第二金属导体层之间设置有间隔层；所述间隔层是具有孔隙的绝缘层，所述第一金属导体层与第二金属导体层通过具有孔隙的绝缘层中的孔隙相互接触实现电导通；或者所述间隔层是导电胶层。本实用新型具有如下优点：提供了两层极薄的完整金属导体层，能够两次反射高频干扰信号，同时将多余电荷导入接地层，实现极高屏蔽效能，经测试，在频率超过1GHz时，屏蔽效能能够达到82dB以上；同时极薄的金属导体层能够提供很好的弯曲性能
一种极高屏蔽效能

[发明专利]半导体制造方法和半导体结构-CN202011025749.3在审
发明人：李南照;高建峰;刘卫兵;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制造方法和半导体结构，包括如下步骤：在半导体基板上形成金属层沟槽；在所述金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模；在所述金属层沟槽下形成金属层连接结构；去除旋涂硬掩模和金属保护层，填充金属，形成金属层。通过在金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模，使沉积金属保护层覆盖金属层沟槽；再在金属层沟槽下形成金属层连接结构，能够减少等离子处理工艺在金属层沟槽导致的介电常数变化，从而改善半导体元件的性能。
半导体制造方法结构

[实用新型]用于半导体器件的绝缘层结构、半导体器件和功率放大器PA芯片-CN202122140211.3有效
发明人：翟立伟;申中国;甘陈前;罗志耀 -专利权人：升新高科技（南京）有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于半导体器件的绝缘层结构、半导体器件和功率放大器PA芯片，所述绝缘层结构用于电性隔离所述半导体器件的顶层焊盘层和金属电路层，所述绝缘层结构包括N个金属过孔，所述N个金属过孔的上端分别于所述顶层焊盘相连，所述N个金属过孔的下端分别于所述金属电路层相连，其中，N为大于或等于4正整数。本申请在半导体器件的绝缘层结构中金属过孔，多个金属过孔形成的金属支撑柱对半导体器件中其它层结构施加的应力起到了支撑、平衡、缓冲的作用，增强了电路层金属和绝缘层在应力作用下抵抗失效的能力，从而改善了半导体器件电路的性能，提高半导体器件加工质量和半导体器件的可靠性。
用于半导体器件绝缘结构功率放大器 pa 芯片

[发明专利]一种功率半导体器件、封装结构及电子设备-CN202110347525.2在审
发明人：侯召政;高云斌;王弋宇;胡飞 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率半导体器件、封装结构及电子设备，用以减小功率半导体器件失效的风险。功率半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底掺杂有第一类型杂质；外延层，外延层掺杂有第一类型杂质，外延层设置于半导体衬底的一面，外延层背离半导体衬底的第一面设置有掺杂第二类型杂质的第一掺杂区，且外延层的第一面的周侧边缘具有划片道区；第一金属层，设置于外延层背离半导体衬底的一侧，第一金属层与外延层电性连接；第二金属层，设置于外延层背离半导体衬底的一侧，第二金属层位于第一金属层的边缘与划片道区之间的环形区域内；钝化层，钝化层为环形结构，钝化层覆盖第二金属层及部分第一金属层。
一种功率半导体器件封装结构电子设备

[实用新型]一种具有多个结的半导体基核电池-CN201921642308.0有效
发明人：韩天宇;张玲玲 -专利权人：无锡华普微电子有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有多个结的半导体基核电池。所述具有多个结的半导体基核电池包括：N型半导体衬底层，在所述N型半导体衬底层的上表面从下至上依次设有第一N型半导体层、半导体本征层、第二N型半导体层和P型半导体层；所述P型半导体层的周围和第二N型半导体层的上表面之间设有钝化保护层，所述P型半导体层上设有阳极金属层，所述阳极金属层、P型半导体层和钝化保护层上设有放射性同位素层；所述阳极金属层和P型半导体层之间欧姆接触；所述N型半导体衬底层的下表面上设有阴极金属层，所述阴极金属层与N型半导体衬底层之间欧姆接触。所述具有多个结的半导体基核电池能够增大了电池的短路电流，提高了核电池的转化效率。
一种具有多个结半导体核电

[发明专利]具有直流电压连接装置的功率半导体模块-CN202211192534.X在审
发明人：曼纽尔·诺德尔;于尔根·斯蒂格;亚历山大·魏纳 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及具有直流电压连接装置的功率半导体模块，具有基板、功率半导体器件以及直流电压连接装置，该连接装置具有第一和第二扁平导体连接元件和至少一个第一金属层连接元件和至少一个第二金属层连接元件，第二导体连接元件布置成在第一导体连接元件的法线方向上与第一导体连接元件间隔开，第一导体连接元件借助于第一金属层连接元件导电连接到金属层，第二导体连接元件借助于第二金属层连接元件导电连接到金属层，第一导体连接元件具有扁平导体端部和扁平导体连接部，该连接部布置在第一金属层连接元件和端部之间，在连接部的从第一金属层到端部的路线中，端部的宽度大于连接部的最小宽度，端部的至少一个区域不与第二导体连接元件重叠。
具有直流电压连接装置功率半导体模块

[发明专利]半导体器件、半导体器件的制造方法以及电源器件-CN201210031859.X有效
发明人：清水浩三;冈本圭史郎;今泉延弘;今田忠纮;渡部庆二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。
半导体器件制造方法以及电源器件

[实用新型]一种微型高温压力传感器结构-CN201120090922.8有效
发明人：郑志霞;黄国灿 -专利权人：福建省安特半导体有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微型高温压力传感器结构，包括有半导体衬底，为矩形；绝缘层，沉积在半导体衬底上；半导体，键合在绝缘层上；所述的半导体为梳齿状；阻挡层，溅射在半导体的中间梳齿上；金属层，溅射在阻挡层上；保护层，溅射在金属层上；绝缘层，沉积在保护层上；半导体敏感元件，键合在半导体的两端梳齿上；阻挡层，溅射在金属引线口上；金属层，溅射在阻挡层上；金属层，设于金属引线口上，并与右侧的半导体敏感元件相连接；所述的金属层上溅射有保护层
一种微型高温压力传感器结构