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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光二极体晶片-CN201611234809.6有效
发明人：吴俊德;罗玉云 -专利权人：英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极体晶片，包括P型半导体层、发光层、N型半导体层及第一金属电极。发光层配置于P型半导体层与N型半导体层之间。N型半导体层包括第一N型半导体子层、第二N型半导体子层及欧姆接触层，其中欧姆接触层配置于第一N型半导体子层与第二N型半导体子层之间。第一金属电极配置于第一N型半导体子层上，第一N型半导体子层的位于第一金属电极与欧姆接触层之间的区域中含有从第一金属电极扩散而来的金属原子，以使第一金属电极与欧姆接触层形成欧姆接触。
发光二极体晶片

[实用新型]芯片模块和3D芯片-CN202120258326.X有效
发明人：李晓骏;郭杏;麻乐 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种芯片模块和3D芯片，其中，芯片模块包括：衬底层；金属层，所述金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述金属层的所述第二表面设置在所述衬底层上；金属层穿孔组件，设置在所述金属层内，所述金属层穿孔组件包括：第一导体件、第二导体件和导体连接孔，所述第一导体件形成于所述金属层的所述第一表面，所述第二导体件形成于所述金属层的所述第二表面，所述导体连接孔形成于所述金属层内，所述第二导体件通过所述导体连接孔连接于所述第一导体件该芯片模块降低了刻蚀的工艺难度，降低了占用金属层的面积，降低了电阻寄生参数和电容寄生参数，缩短了芯片模块的制备周期，降低了生产成本。
芯片模块

[发明专利]包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件-CN201610149522.7有效
发明人：李珉贤;金海龙;申铉振;南胜杰;朴晟准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供包括金属‑二维材料‑半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。
包括金属二维材料半导体接触半导体器件

[发明专利]高密度和耐用的半导体器件互连-CN202211061177.3在审
发明人： M·S·布罗尔;A·塔克卡奇;B·艾兴格;A·赫布兰特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本文公开了高密度和耐用的半导体器件互连。一种形成半导体器件的方法，包括：提供包括管芯附接焊盘的载体；提供半导体管芯，该半导体管芯包括设置在半导体管芯的主表面上的接合焊盘；以及提供金属互连元件；将半导体管芯布置在管芯附接焊盘上，使得接合焊盘背离管芯附接焊盘；以及将金属互连元件熔焊到接合焊盘，其中，接合焊盘包括第一金属层和第二金属层，其中，第二金属层设置在第一金属层和半导体管芯的半导体本体之间，其中，第一金属层的厚度大于第二金属层的厚度，并且其中，第一金属层具有与第二金属层不同的金属成分
高密度耐用半导体器件互连

[发明专利]柔性半导体装置及其制造方法-CN200980102246.7有效
发明人：铃木武;保手浜健一;平野浩一;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性半导体装置。本发明的柔性半导体装置具有：金属层，其具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；金属氧化膜，其是构成金属层的金属的金属氧化膜，形成在金属层的表面区域；以及半导体层，其隔着金属氧化膜而形成在栅极电极之上。本发明的柔性半导体装置在金属层的表面区域局部形成未被金属氧化膜覆盖的非覆盖部位，经由非覆盖部位，源极电极和半导体层之间以及漏极电极和半导体层之间相互电连接。
柔性半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制作方法-CN201610758712.9有效
发明人：何安和;林素慧;彭康伟;洪灵愿;黄禹杰;夏章艮 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基发光二极管及其制作方法，提供一生长基板；在生长基板上制作发光外延层，其自下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；从第二半导体层蚀刻出开口结构，且延伸至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露；制作第一金属电极、第二金属电极层，分别覆盖于裸露的第一半导体层和第二半导体层之上；制作金属粘附层，并形成开口，分别形成于第一金属电极和第二金属电极层之上；在上述结构上沉积半导体保护层，并形成开口，露出部分金属粘附层以及金属电极层表面
一种氮化发光二极管及其制作方法

[发明专利]半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构-CN202010722652.1在审
发明人：颜孝璁;陈家源 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构。半导体装置设置于一电感器之下。半导体装置包含一金属氧化物半导体电容器结构以及一图案化屏蔽结构。金属氧化物半导体电容器结构包含一多晶硅层、一氧化定义层以及一第一金属层。第一金属层连接多晶硅层以及氧化定义层。图案化屏蔽结构设置于金属氧化物半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。
半导体装置以及金属氧化物电容器结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201010265952.8无效
发明人：吴坤泰;林青山;汪志昭 -专利权人：瑞鼎科技股份有限公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。此半导体结构包含半导体晶圆，半导体晶圆上具有多个半导体装置的晶粒结构，其中每个晶粒结构包含晶粒本体、金属线路层、凸块及金属层。金属线路层形成于晶粒本体，凸块于半导体前段工艺形成于金属线路层上而突出于晶粒本体，金属层设置于凸块相对于金属线路层的一侧上，其中金属层的活性小于凸块的活性。本发明半导体结构具有制造容易、节省成本等优点。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201911024597.2在审
发明人：康庭慈;丘世仰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体基板、屏蔽结构、接地端以及硅通孔。遮蔽结构位于半导体基板上，且屏蔽结构包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层。第一金属层位于半导体基板上。第二金属层位于第一金属层上。第三金属层位于第二金属层上。接地端电性连接第三金属层。硅通孔位于半导体基板上且与屏蔽结构相邻。上述的半导体结构可以减少与硅通孔相关联的杂讯，进而可以改善半导体结构的性能。
半导体结构及其制造方法

[其他]多层布线基板-CN201890000877.2有效
发明人：佐藤贵子;大菅健圣;冈本真典 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：多层布线基板具备：第1绝缘层；第2绝缘层，层叠于第1绝缘层；第1导体布线层，设置于与第2绝缘层相反侧的第1绝缘层的表面；第2导体布线层，设置于第1绝缘层侧的第2绝缘层的表面；层间连接导体，在层叠方向上贯通第1绝缘层而设置为连接第1及第2导体布线层，包含金属间化合物；第1金属间化合物层，设置在第1导体布线层与层间连接导体之间，包含金属间化合物；和第2金属间化合物层，设置在第2导体布线层与层间连接导体之间，包含金属间化合物，第1及第2金属间化合物层包含的金属间化合物均具有与层间连接导体包含的金属间化合物不同的组成，第1金属间化合物层设置在层叠方向上高度与第1导体布线层和第1绝缘层的界面不同的位置。
多层布线

[发明专利]用于3D芯片的芯片单元、芯片组件和3D芯片-CN202110130017.9在审
发明人：李晓骏 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种用于3D芯片的芯片单元、芯片组件和3D芯片，其中，芯片单元包括：衬底层；金属层，金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，金属层的第二表面设置在衬底层上；金属层穿孔组件，设置在金属层内，金属层穿孔组件包括：第一导体件、第二导体件和导体连接孔，第一导体件形成于金属层的第一表面，第二导体件形成于金属层的第二表面，导体连接孔形成于金属层内，第二导体件通过导体连接孔连接于第一导体件，以使信号能够通过衬底层传输至第一表面；衬底通孔，开设在衬底层上，连通于第二导体件。该芯片单元降低了刻蚀的工艺难度，降低了占用金属层的面积，降低了电阻寄生参数和电容寄生参数，缩短了芯片单元的制备周期，降低了生产成本。
用于芯片单元组件

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510354360.6有效
发明人：伏广才;李志超 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有金属互连层、覆盖所述金属互连层表面的隔离层、覆盖所述隔离层表面的半导体层、以及贯穿所述半导体层、隔离层并暴露出金属互连层的开口；形成覆盖所述半导体层表面、开口的侧壁和底部的绝缘层；采用溅射工艺形成位于所述绝缘层表面的金属掩膜层，所述金属掩膜层暴露出开口底部的绝缘层；以所述金属掩膜层为掩膜刻蚀所述绝缘层形成侧墙层，所述侧墙层暴露出开口底部的金属互连层；形成侧墙层后，在所述开口内形成导电插塞，所述导电插塞的底部与金属互连层电连接。所述金属掩膜层可有效保护半导体层不被破坏，形成的半导体器件，例如惯性传感器的性能优越。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201410045162.7有效
发明人：陈俊良;张添昌;林建志 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括金属垫与第一特定金属层布线。金属垫位于半导体装置的第一金属层之上。第一特定金属层布线形成于半导体装置的第二金属层之上，并直接位于金属垫之下。本发明所提供的半导体装置，可有效缩小半导体装置的布线区域尺寸。
半导体装置

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202011134955.8有效
发明人：叶国梁 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，获取预处理半导体结构，预处理半导体结构包括具有第一暴露面的金属层，金属层第一暴露面具有凸起部；在金属层第一暴露面设置保护层，保护层至少覆盖金属层除凸起部以外的其它部分；去除凸起部以在金属层上形成金属层的第二暴露面；在第一暴露面的所在区域上形成介质层，且介质层完全覆盖第一暴露面的所在区域。本发明提供的半导体器件的制造方法通过在金属层除凸起部的其它部位上覆盖保护层保护金属层；蚀刻掉凸起部，对半导体器件的金属层表面进行修整，避免凸起部影响半导体器件的后续制程，在金属层上覆盖保护层，使得半导体器件的表面平整，更有利于半导体器件的后续制程，方法简单，便于实施。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510293278.7有效
发明人：刘继全;周鸣;汪民武 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层；在所述介质层中形成开口，开口底部暴露出所述半导体基底表面；形成填充满开口的金属层，且金属层还覆盖于介质层顶部表面；研磨去除高于介质层顶部表面的金属层，且研磨后的金属层顶部表面形成有金属氧化物层；去除金属氧化物层；在研磨后的金属层表面形成金属阻挡层，且金属阻挡层的厚度均匀性大于金属氧化物层的厚度均匀性，金属阻挡层的致密度大于金属氧化物层的致密度；向金属阻挡层表面通入硅源气体，将金属阻挡层转化为金属帽层。本发明在改善半导体结构抗电迁移能力的同时，避免金属层的电阻率升高，从而提高半导体结构的电学性能。
半导体结构形成方法

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