“H01L33/14”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果1070个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310920395.6在审
发明人：尹涛涛 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、绝缘阻挡层和金属保护层，半导体叠层沿下表面到上表面的方向依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，绝缘阻挡层设置在半导体叠层的下表面，绝缘阻挡层具有对应于第一半导体层下方的第一开孔，金属保护层设置在半导体叠层的下表面并连接绝缘阻挡层，部分的金属保护层填充于第一开孔，其中，绝缘阻挡层的上表面的边缘端点在水平面的垂直投影点分布在金属保护层的上表面的边缘端点在水平面的垂直投影第一连线段内。借此设置，可以解决在制备过程中绝缘阻挡层易脱落的问题，保证发光二极管的品质。
发光二极管发光装置

[发明专利]改善内量子效率的发光二极管及其制备方法-CN202310815336.2在审
发明人：肖和平;汪洋;黄彪彪 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善内量子效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括发光二极管包括层叠的衬底、n型层、多量子阱层、电子阻挡层和p型层；所述电子阻挡层包括层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，所述第一电子阻挡层的Al组分含量高于所述第三电子阻挡层的Al组分含量。本公开实施例能降低极化效应，实现抑制电子泄漏和提高空穴注入的目的，提升内量子效率。
改善量子效率发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311188712.6在审
发明人：印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P‑GaN层、P‑InGaN层，P‑GaN层中Mg的掺杂浓度＜P‑InGaN层中Mg的掺杂浓度；Mg3N2层的生长温度＜P‑GaN层的生长温度＜P‑InGaN层的生长温度；Mg3N2层的生长压力＞P‑GaN层的生长压力＞P‑InGaN层的生长压力。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、降低工作电压。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片-CN202311204129.X在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，该外延片包括衬底，还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层与P型半导体层；其中，所述P型半导体层包括依次层叠于所述多量子阱层上的漏电屏蔽SiN层、周期性交叠结构层与高掺Mg‑BInGaN层，周期性交叠结构层包括周期性交叠的二维空穴气InGaN层与低掺Mg‑AlN层。本发明解决了现有技术中P型半导体层漏电，光电性能下降，且由于空穴的有效的质量远大于电子，其传递速度也低于电子，空穴注入到量子效率也低于电子，从而影响了发光效率的提升的技术问题。
一种发光二极管外延制备方法 led 芯片

[发明专利]一种半导体发光元件-CN202310838502.0在审
发明人：蔡鑫;王星河;刘紫涵;张江勇;陈婉君;张会康;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件，该半导体发元件包括从下到上依次层叠设置的衬底、第一n型半导体、第二n型半导体、第一调控层、第一量子阱、第二调控层、第二量子阱、第三量子阱、第三调控层、电子阻挡层、第四调控层和p型半导体；其中，第一调控层、第二调控层、第三调控层和第四调控层共同构成热态冷态效率比例调控层。采用本发明实施例，实现对半导体发光元件在热态和冷态下的发光效率的调节，提升热态下的辐射复合，从而提升半导体发光元件的发光效率。
一种半导体发光元件

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310865027.6在审
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层包括依次层叠于所述P型AlGaN层上的P‑AlInN层、第一MoO3层、P‑AlInGaN层和P‑GaN层。实施本发明，可提升发光二极管外延片的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310868291.5在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；电子阻挡层包括：阵列分布于所述多量子阱层上的多个AlN纳米柱；生长于所述AlN纳米柱上的三维AlN层；所述三维AlN层的底部一一对应生长于所述AlN纳米柱上，其顶部生长合并，以形成多个纳米孔洞；生长于所述三维AlN层上的二维BGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]GaN基LED外延片及其制备方法、LED-CN202311133326.7在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种GaN基LED外延片及其制备方法、LED，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上沉积外延层；所述外延层包括沿外延方向依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合位错阻挡层、N型GaN层及多量子阱层；所述复合位错阻挡层包括沿外延方向依次设置的位错阻挡基层、位错扭转层及晶格扭转层，所述位错阻挡基层为掺杂Mg的AlN层，所述位错扭转层为Si3N4层，所述晶格扭转层为掺杂Cr、Mg的GaN共掺层。
gan led 外延及其制备方法

[发明专利]一种具有N型电流拓展层的发光二极管外延结构-CN202210294401.7有效
发明人：刘康;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有N型电流拓展层结构的发光二极管外延结构，包括由下耳上生长的衬底、缓冲层、U型半导体层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，N型半导体层包括由下而上生长的N型半导体层一、N型电流拓展层、N型半导体层二，N型电流拓展层包括由下而上生长的轻掺杂Si的AlxGa1‑xN层、超重掺杂Si的N型GaN层、低掺杂Si的AlxInyGa(1‑x‑y)N/GaN超晶格层。通过加入轻掺杂Si的AlxGa1‑xN层，使此层中Al的高能级的屏障作用约束电子的流动方向，促使其横向扩展。解决了N型半导体层在做芯片电极的存在电流扩展不足，电压偏高，漏电偏大的问题。起到了增加电流扩展，降低电压的效果。
一种具有电流拓展发光二极管外延结构

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311007337.0有效
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述电子阻挡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的Mg掺InN形核层、复合包覆层和AlScN填平层；所述复合包覆层包括依次层叠于所述Mg掺InN形核层上的AlInN层、AlGaN层和AlN层；所述Mg掺InN形核层包括多个分布在所述多量子阱层上的形核点，所述复合包覆层包覆所述形核点。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率和抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310826996.0有效
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征半导体层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；P型半导体层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的第一子层、第二子层和第三子层；第一子层为P‑BInGaN层，所述第二子层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InN层和P‑GaN层，所述第三子层为P‑InGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力、表面平整度，降低其工作电压。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制作方法-CN202180003207.2在审
发明人：王瑜;史志结;常安;师修磊;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及氮化物半导体发光元件及其制作方法，其中氮化物半导体发光元件包括N型半导体层；P型半导体层；有源层，所述有源层位于所述N型半导体层和P型半导体层之间；盖层，所述盖层位于有源层和P型半导体层之间；空穴注入层，所述空穴注入层位于所述盖层和P型半导体层之间；电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述空穴注入层和P型半导体层之间；其特征在于：所述空穴注入层包括第一含铝层、第二含铝层以及第三含铝层，所述第二含铝层的铝含量高于第一含铝层的铝含量，且高于第三含铝层的铝含量。本发明在空穴注入层内插入高铝含量的第二含铝层，可以阻挡电子溢流以及改善电子阻挡层的极化电场。
氮化物半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED-CN202310927826.1有效
发明人：郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。基于硅衬底的LED外延片包括硅衬底和依次设于硅衬底上的缓冲层、电阻层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；电阻层为周期性结构，周期数≥2，每个周期的电阻层均包括依次层叠的三元共掺GaN层、P型InAlN层和C掺AlN层；其中三元共掺GaN层中的掺杂元素为Y、Mg和C。实施本发明，可提升基于该LED外延片的LED器件的可靠性、发光效率。
基于衬底 led 外延及其制备方法

[发明专利]电子阻挡层的生长方法及含此电子阻挡层的紫外LED外延片-CN202310876822.5在审
发明人：贾晓龙;张童;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安半导体技术研究院有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体外延片制备技术领域，涉及一种电子阻挡层的生长方法及含此电子阻挡层的外延片，所述电子阻挡层(6)的生长方法包括以下步骤：1)、在反应室温度为1000℃‑1200℃、反应室压力为30mbar‑200mbar的条件下生长Al组分渐变的电子阻挡层(6.1)；2)、在反应室温度为900℃‑1150℃，反应室压力为50mbar‑150mbar的条件下在所述Al组分渐变的电子阻挡层(6.1)上生长多量子垒电子阻挡层(6.2)。其可改善现有紫外LED的p型电子阻挡层对电子溢出阻挡效果不足的问题，提高紫外LED的发光效率。
电子阻挡生长方法紫外 led 外延

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310928394.6有效
发明人：周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括依次叠置的衬底、外延层、电流阻挡层、导电层和电极，所述导电层包括第一子层、第二子层和夹层，所述第一子层位于所述电流阻挡层的一侧，所述夹层位于所述第一子层上，所述第二子层覆盖于所述第一子层和所述电流阻挡层上，且包裹所述夹层，所述夹层为氧化硅层，所述夹层用于调节所述导电层的电流密度。该LED芯片通过本申请，利用第一子层增大电流密度，然后通过夹层调整电流通道，使其由宽变窄，进一步增大电流密度，以增强产品的发光强度，保证其聚集性，实现缩小发光角度，还有利于增强光亮。
一种 led 芯片及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 1070 条