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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]封装结构的制造方法-CN201911399348.1在审
发明人：宋月平;施林波 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种封装结构的制造方法，包括：提供器件晶圆和晶圆级覆盖基板，器件晶圆和晶圆级覆盖基板通过位于两者之间的键合层相结合，器件晶圆包括多个半导体芯片，半导体芯片包括有源区和输入/输出电极区，半导体芯片、键合层以及晶圆级覆盖基板在有源区位置处围成空腔，输入/输出电极位于空腔外侧，晶圆级覆盖基板的材料为铌酸锂或钽酸锂；利用软刀对相邻半导体芯片之间的晶圆级覆盖基板进行切割处理，形成与半导体芯片一一对应的芯片级覆盖基板，芯片级覆盖基板侧壁与芯片级覆盖基板背向器件晶圆的表面的夹角呈钝角；形成互连层，保形覆盖输入/输出电极表面、键合层和芯片级覆盖基板的侧壁和芯片级覆盖基板的部分顶面。本发明提高了封装结构的良率。
封装结构制造方法

[发明专利]芯片级封装方法、芯片级封装结构及光电装置-CN202010930585.2有效
发明人：汤为;黄洋 -专利权人：深圳市灵明光子科技有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片级封装方法，所述芯片级封装方法包括：提供胶层；提供膜层，所述膜层设置于所述胶层的一侧；对所述胶层进行多段切割，并取出所述胶层的至少部分，以形成多个间隔设置的胶块；提供光学元件，将所述光学元件设置于所述多个胶块背离所述膜层的一侧相对于传统的光学芯片封装流程，本申请提供的所述芯片级封装方法步骤较更加简洁，且由所述多个胶块支撑所述光学元件，所述胶块具有更好的缓冲作用，使得所述感光芯片及所述光学元件不易损坏。本申请提供了一种芯片级封装结构及光电装置。
芯片级封装方法结构光电装置

[发明专利]一种高光功率密度芯片级白光LED及其制备方法-CN202310046702.2在审
发明人：谢峰;杨国锋;曾玮;俞本立 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光功率密度芯片级白光LED及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。本发明用于解决将荧光玻璃用于芯片级白光LED并未考虑侧壁蓝光外泄问题，导致白光LED光热性能受限，且制备时封装集成度低、封装成本高的技术问题。该芯片级白光LED包括散热基板、倒装LED芯片、无机荧光体和反射围坝；倒装LED芯片贴装于散热基板的表面金属层上；无机荧光体含有荧光层和导热基片，且固定于倒装LED芯片顶面。本发明还公开了相应的芯片级白光LED制备方法。本发明有效改善了荧光层热稳定性，满足高功率密度LED芯片激发需求，且避免了芯片侧壁蓝光外泄、导热差等问题，提高了芯片级白光LED的光热性能。
一种功率密度芯片级白光 led 及其制备方法

[发明专利]一种芯片级LED封装体、封装方法及封装模具-CN201611151842.2有效
发明人：林丞;肖信武;王阳夏 -专利权人：厦门华联电子股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片级LED封装体，以及制备该芯片级LED封装体的封装方法及封装模具。本发明提供的芯片级LED封装体结构针对芯片三个出光段，分别在封装胶体的封装侧面上设计不同斜率、不同尺寸的第一封装侧面、第二封装侧面及第三封装侧面，使得LED芯片的侧面水平出光段、大角度出光段出射的光在封装胶体的封装侧面尽可能发生全发射，最终使得光线主要从封装胶体的正面发出，光线集中。本发明同时设计了相应的制造方法及封装模具，工艺步骤简单。
一种芯片级 led 封装方法模具

[发明专利]一种芯片级LED封装元件-CN202310793297.0在审
发明人：芦玲;黄静;陈锴 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片级LED封装元件，包括倒装LED芯片；波长转换层，覆盖在LED芯片的上表面；第一反射层，围设于所述LED芯片的侧壁四周，并暴露出LED芯片的电极；透光层，设置在所述波长转换层和第一反射层的上方本发明提供的芯片级封装元件的光分布角度达到180°，相对光强不小于50%，在实现芯片级封装的同时实验大角度出光，避免中心“亮点”，强化四周的出光强度。
一种芯片级 led 封装元件

[发明专利]芯片级封装发光装置及其制造方法-CN201610442517.5在审
发明人：周波;何至年;唐其勇 -专利权人：深圳市兆驰节能照明股份有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明芯片级封装发光装置包括芯片、五面包围芯片的透明胶质层，该透明胶质层内包含有荧光粉末，该芯片包括上部发光部分和底部电极。该芯片级封装发光装置的制造方法，包括步骤：(1)固定芯片；(2)将流体透明胶质与荧光粉末混合后，形成混合流体；(3)将混合流体与芯片压合固化，形成透明胶质层五面包围芯片的固体模块。本发明芯片级封装发光装置的整体亮度更高、可靠性高、制造成本低、工艺简单、良率高、发光角度广，制造方法工序大大简化。
芯片级封装发光装置及其制造方法

[发明专利]图像传感器的芯片级封装方法-CN201711130424.X有效
发明人：赵立新;许勇 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提出一种图像传感器的芯片级封装方法，先将图像传感器芯片级封装件粘合至封装基板的中央区域，使所述图像传感器芯片的光学中心与封装基板的中心重合，再将镜头组件装配至封装基板的上方，镜头组件以封装基板为基准进行光轴对准
图像传感器芯片级封装方法

[实用新型]一种基于导热基板的芯片级封装结构-CN201620782346.6有效
发明人：陈锦全 -专利权人：肇庆市欧迪明科技有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于导热基板的芯片级封装结构，包括热沉块和设置在热沉块上的导热基板，所述的导热基板上封装有芯片，芯片上设有热传感器，连接有金线，导热基板的外侧设有透明罩罩住芯片。本实用新型提供了一种基于导热基板的芯片级封装结构，解决了封装基板的导热的问题。
一种基于导热芯片级封装结构

[实用新型]一种基于芯片级封装的LED-CN201521121486.0有效
发明人：丁仁雄;敬鑫清;杨涛;朱其 -专利权人：宜昌惠科科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED光学领域，具体涉及一种基于芯片级封装的LED。一种基于芯片级封装的LED，包括LED芯片，所述LED芯片顶部设有荧光胶层，所述LED芯片侧面设有反光涂布层，所述LED芯片底部设有电极，所述LED外形为圆形或方形或菱形，所述圆形尺寸为0.2-8mm，本实用新型提供的基于芯片级封装的LED无载体方式封装降低物料成本；汇聚原四周发散光使其单面出光增加光效；发光角度可依据应用端需求进行调整。
一种基于芯片级封装 led

[发明专利]一种芯片级封装结构及其制备方法-CN201710428100.8在审
发明人：何军;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：安徽安努奇科技有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片级封装结构及其制备方法。所述芯片级封装结构的制备方法包括在衬底上形成多个集成电路，集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；在衬底远离集成电路的一侧切割衬底以划分多个集成电路；在衬底远离集成电路的一侧形成屏蔽金属层，屏蔽金属层经切割线露出的衬底侧壁延伸至金属互联层；沿切割线进行二次切割，以获取多个分立的芯片级封装结构。本发明实施例提供的技术方案，实现了芯片级屏蔽金属层的制备，避免了芯片之间的信号干扰，形成芯片模组后无需再制备模组级屏蔽金属层，达到了简化芯片模组构成工艺的有益效果，此外，芯片模组边缘也无需再设置模组级屏蔽金属层的接地过孔，进而减小了芯片模组的尺寸。
一种芯片级封装结构及其制备方法

[实用新型]一种芯片级白光LED封装结构-CN201621116596.2有效
发明人：梁田静;于浩;关青;童华南 -专利权人：陕西光电科技有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片级白光LED封装结构，包括底面设有电极的LED倒装芯片，及封装在LED倒装芯片上的若干层由内至外折射率依次降低的封装胶体层，在封装胶体层的底部设有反光层。封装胶体层设有三层，相互粘接。封装胶体层为透明胶或荧光胶。封装胶体层包绕覆盖在所述LED倒装芯片的上表面和侧面。芯片级LED封装结构在芯片上表面及侧面采用多层封装胶涂覆工艺，封装胶的折射率由内至外依次由高至低，降低芯片和空气之间的折射率差，有效的减少了全反射现象，提高了出光效率。芯片级LED封装结构在芯片四周、封装胶体底部设有反光层，使芯片四周发出的光汇聚后被有效反射出去，提高了芯片的光萃取效率，封装产品亮度更高。
一种芯片级白光 led 封装结构

[发明专利]一种单面出光的晶圆级芯片级CSP封装结构及其制备方法-CN201810474108.2有效
发明人：杨刚;王书昶;孙智江 -专利权人：江苏如高第三代半导体产业研究院有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种单面出光的晶圆级芯片级CSP封装结构及其制备方法，包括一芯片，在芯片出光面上设置第一浓度荧光层，形成封装体A；在封装体A四个侧面设有由绝缘颗粒汇聚形成的反光墙形成封装体B；在封装体B的顶面和侧面设有第二浓度荧光层，形成单面出光的晶圆级芯片级封装结构；第一浓度荧光层中的荧光粉浓度记作w1，第二浓度荧光层中的荧光粉浓度记作w2，则w本发明的优点在于：本发明中的单面出光晶圆级芯片级CSP封装结构，引出芯片侧面出光从而提高产品光效，工艺相对简单，可以提高发光芯片散热性能、降低器件制备成本以及提高器件可靠性和均一性。
一种单面晶圆级芯片级 csp 封装结构及其制备方法

[发明专利]一种用于芯片级封装的密闭结构及其制造方法-CN201510650216.7在审
发明人：祝明国;胡念楚;贾斌 -专利权人：锐迪科微电子（上海）有限公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于芯片级封装的密闭结构，将基底芯片单元倒装在封装基板上，并在基底芯片单元与封装基板之间采用粘合剂进行环形密封以形成密闭结构；封装基板切割后得到基板封装单元，所述密闭结构由基底芯片单元、基板封装单元和粘合剂构成。与现有的采用晶圆级封装技术的密闭结构相比，本申请的密闭结构采用芯片级封装技术实现，省略了晶圆刻蚀、晶圆键合、硅通孔技术，从而显著地降低了工艺成本，缩短了工艺周期。
一种用于芯片级封装密闭结构及其制造方法

[发明专利]光电装置与互补式金属氧化物半导体影像感测器的芯片级封装-CN200710109026.X无效
发明人：李孝文;翁瑞坪 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种光电装置与互补式金属氧化物半导体影像感测器的芯片级封装。该光电装置的芯片级封装包含：基板，该基板用于芯片级封装，作为支撑基板；具有导线的半导体装置，固定于该基板之上；玻璃封装盖，用以封装该半导体装置，其中该玻璃封装盖具有环绕开口的围堤结构；以及，封装层，配置于该围堤结构与该基板之间，以将该基板及该玻璃封装盖结合在一起。本发明能够减少工艺步骤，降低工艺复杂度及成本，并提升成品率，此外还可减少封装结构尺寸，增加工艺稳定性。
光电装置互补金属氧化物半导体影像感测器芯片级封装

[发明专利]具有穿通电极的半导体封装及其制造方法-CN201410290157.2有效
发明人：郑显秀;金钟延;李仁荣;赵泰济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供具有穿通电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括形成包括堆叠在第二半导体芯片上的第一半导体芯片的晶片级封装；形成包括堆叠在第三半导体芯片上的第四半导体芯片的芯片级封装；在晶片级封装的第二半导体基板的后表面上堆叠多个芯片级封装，抛光晶片级封装的第一模层和第一半导体芯片以暴露第一半导体芯片的第一穿通电极，和在被抛光的第一半导体芯片上形成外部电极以分别连接到第一穿通电极。
具有通电半导体封装及其制造方法

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