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[发明专利]一种射频集成电路及射频前端装置-CN202210263282.9在审
发明人：彭波华;彭彦豪;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03H9/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频集成电路，包括输入端、输出端、工作模块以及谐振器模块；输入端与工作模块连接，工作模块与谐振器模块连接，谐振器模块与输出端连接；谐振器模块包括至少一个并联式反串并单元，并联式反串并单元包括至少两路并联的支路；任一支路包括至少两个串联的体声波谐振器，相邻支路中相邻设置的体声波谐振器的压电薄膜电极性相反，使得由一个体声波谐振器产生的二次谐波抵消了另一个体声波谐振器的二次谐波发射。另外体声波谐振器的二次谐波发射，由于上述级联的结果，其能量密度也比较小，从而降低非线性的影响，使得射频集成电路具有较高的品质因子。本发明还提供了一种射频前端装置，同样具有上述有益效果。
一种射频集成电路前端装置

[发明专利]体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器-CN201811653727.4有效
发明人：李平;王伟;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本公开提出了一种体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器；其中，所述体声波谐振器，包括：衬底；在所述衬底上的声反射单元；在所述声反射单元上的压电堆叠结构；以及；在所述压电堆叠结构上的焊盘；其中，所述体声波谐振器还包括在所述压电堆叠结构上、和/或在所述压电堆叠结构内的三维质量负载结构。本公开体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器，工艺简单，成本较低，有利于性能优化。
声波谐振器及其制作方法滤波器双工器

[发明专利]体声波滤波器及其制备方法-CN201911424080.2有效
发明人：蒋将;杨金铭;李平;王伟;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波滤波器及其制备方法，该体声波滤波器包括：第一基体、键合部以及键合结构，键合部相对第一基体向外凸设于第一基体的正表面，与第一基体一体成型；键合结构设置于键合部的顶端的端面上。通过在键合部上设置键合结构，并合理配置键合结构的键合图案，在该体声波滤波器使用非金电极材料的情况下，提高了器件的键合强度和气密性，达到了金金电极材料键合的同样质量要求，极大降低了器件成本；另外，通过在键合结构的键合单元结构的底部设置保护层，减少了电极裸露面积和水气交换空间，增强器件可靠性；由于采用类似铜等电极材料，有效减少了器件插入损耗，同时大幅降低了材料成本。
声波滤波器及其制备方法

[发明专利]固态装配型谐振器及其制备方法-CN202010191951.7有效
发明人：王伟;杨金铭;李平;蒋将;彭波华;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本公开提供了一种固态装配型谐振器及其制备方法，该固态装配型谐振器包括：压电结构，压电结构包括：上电极层、下电极层和压电层，下电极层对应于压电结构的下方设置，下电极层包括：凸部，凸部对应于下电极层的下表面、向下凸出设置；压电层设置于下电极层的上表面上；上电极层设置于压电层的上表面上。凸部对应于形成于下电极层的下表面上，使得与压电层接触的下电极层的上表面可以形成平坦化表面，因此，压电层生长在平整的表面，更易于获得生长纹理较好的高c轴取向的晶体结构，以改善了压电层的压电性能，提升了谐振器的性能(例如Q值的提高)。
固态装配谐振器及其制备方法

[发明专利]一种电流调节电路-CN202111463268.5在审
发明人：曾真;张春栋;朱俊锋;陈晓哲;刘苗;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司;麦姆斯通信技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流调节电路，在第一PMOS的栅极与第二PMOS的栅极之间设置了第一控制模块，第一控制模块在接收到第一闭合指令时控制第二PMOS的栅极与所述第一PMOS的栅极连接，第二PMOS导通，第一PMOS与第二PMOS共栅共源构成电流镜并输出电流；在接收到第一断开指令时控制第二PMOS断开，第二PMOS无法输出电流。在第二PMOS导通时，第二PMOS的漏极输出的电流直接流入电流调节电路的输出端，避免了第二PMOS受到导通压降的影响，从而使得第二PMOS稳定工作在饱和区，满足第二PMOS作为电流镜稳定工作的工作条件，保证了电流调节电路的稳定性。
一种电流调节电路

[发明专利]一种调节电压值和电压温度系数的装置及电压偏置电路-CN202111333278.7在审
发明人：曾真;张春栋;朱俊锋;陈晓哲;刘苗;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司;麦姆斯通信技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节电压值和电压温度系数的装置及电压偏置电路，设置有基准电流转换模块和电流调节模块。由于基准电流转换模块是将带隙基准电路输出的电压温度系数为0的基准电压转换为基准电流，所以电流调节模块能够基于基准电流输出电压温度系数为0的大小和/或方向可调节的电流。低压差稳压电路的同相输入端连接电流调节模块的输出端以实现独立调节电压值的目的，低压差稳压电路的反相输入端与带隙基准电路的电压温度系数不为0的电压输出端连接以实现独立调节电压温度系数的目的，最终使得电压偏置电路能够独立调节电压值与电压温度系数。
一种调节电压温度系数装置偏置电路

[发明专利]一种体声波谐振器、制备方法及滤波器-CN202111312838.0在审
发明人：彭波华;李平;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器，包括位于衬底一侧表面的反射功能层；反射功能层设置有空腔以及DBR反射区；DBR反射区中沿厚度方向设置有交替分布的低声阻抗层以及高声阻抗层；位于反射功能层背向衬底一侧表面的底电极；底电极遮蔽空腔；位于底电极背向衬底一侧表面的压电薄膜以及顶电极；沿厚度方向顶电极与底电极重叠未与空腔重叠的区域为无效电容区；DBR反射区与无效电容区之间相互交叠。通过在功能反射层中设置至少与无效电容区交叠的DBR反射区抑制声波能量从无效电容区向反射功能层泄露，可以有效减少衍生模式的产生，从而有效增加体声波谐振器整体的Q值。本发明还提供了一种制备方法以及滤波器，同样具有上述有益效果。
一种声波谐振器制备方法滤波器

[发明专利]一种优化电容形状的MEMS压电换能器-CN201780089773.3有效
发明人：冯端;胡念楚;贾斌 -专利权人：锐迪科微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N30/30 文献下载
摘要：本发明提供一种优化电容形状的MEMS压电换能器，表面覆盖有m组电容(101,102,103,104,109)，m为≥2的自然数。当所述MEMS压电换能器加载一定载荷时，第一组电容中的任意一个所覆盖区域的应力＞第二组电容中的任意一个所覆盖区域的应力＞……＞第m‑1组电容中的任意一个所覆盖区域的应力＞第m电容中的任意一个所覆盖区域的应力。同一组电容之间进行串联和/或并联；不同组电容之间进行串联。根据MEMS压电换能器在加载一定载荷时的应力分布情况，对电容形状、位置、数量进行了优化设计。这可以显著减少压电换能器上因为应力分布不均而引起的电荷流动，增强压电换能器整体的机电换能系数，提高换能器的电信号输出。
一种优化电容形状 mems 压电换能器

[发明专利]一种监控空气隙型体声波谐振器空腔释放过程的方法-CN201811652697.5有效
发明人：王伟;李平;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本公开提出了一种监控空气隙型体声波谐振器空腔释放过程的方法，包括以下步骤：S1，在衬底上同时形成空气隙型体声波谐振器凹坑和监控图形凹坑；S2，在形成有凹坑的所述衬底上形成牺牲层；S3，使所述牺牲层的表面与所述衬底的上表面齐平；S4，在形成有牺牲层的所述衬底上形成下电极层，刻蚀该下电极层以形成下电极图形并暴露出监控图形区域；S5，在形成有下电极层的所述衬底上形成透明压电层；S6，在形成有压电层的所述衬底上形成上电极层，刻蚀形成上电极图形并暴露出监控图形区域上的压电层；利用所述监控图形对所述空气隙型体声波谐振器空腔释放过程进行监控。本公开方法实现了可视及量化的释放过程监控。
一种监控空气隙型体声波谐振器空腔释放过程方法

[实用新型]模组芯片结构、集成电路装置和电子设备-CN202221651414.7有效
发明人：陈永聪;操瑞鑫;刘苗;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种模组芯片结构、集成电路装置和电子设备。其中，该模组芯片结构包括基板、待屏蔽区域、多个连接焊盘、多个屏蔽线。基板为所述模组芯片结构的支撑结构；待屏蔽区域设置于所述基板上；多个连接焊盘设置于所述待屏蔽区域上，沿所述待屏蔽区域之内的内边缘分布；以及多个屏蔽线对应连接所述多个连接焊盘的每个连接焊盘，用于形成屏蔽网，实现对所述待屏蔽区域的干扰屏蔽效果。因此，相对于现有技术中局限于基板连线的设计方案，可以实现在待屏蔽区域内进行连线实现特定区域的干扰屏蔽效果，同时借此可以极大地降低基板焊盘使用面积，更有利于在上述屏蔽结构基础上实现基板尺寸小型化，同时还能保证相应的屏蔽效果。
模组芯片结构集成电路装置电子设备

[发明专利]一种声波器件晶圆级封装结构及其制备方法-CN201811372060.0有效
发明人：祝明国;孙成龙;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种声波器件晶圆级封装结构及其制备方法，方法包括：将声波器件设置在载体晶圆的上表面，在载体晶圆的上表面覆盖第一膜层，并刻蚀掉预设位置处的第一膜层，以形成墙体结构，预设位置包括第一预设位置和第二预设位置，第一预设位置为声波器件所在的位置、第二预设位置为用于引出声波器件的焊盘的位置；在墙体结构的上方覆盖第二膜层，并刻蚀掉第二预设位置处的第二膜层，以形成屋顶结构；在第二预设位置填充导电层，以得到声波器件的焊盘引出部分，并在焊盘引出部分的上方设置金属焊盘，以得到声波器件晶圆级封装结构。本申请公开的上述技术方案，可以简化声波器件晶圆级封装结构的制备工艺，降低声波器件晶圆级封装结构的制备成本。
一种声波器件晶圆级封装结构及其制备方法

[发明专利]一种延时装置-CN202110982895.3在审
发明人：曾真;陈晓哲;张春栋;朱俊锋;刘苗;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司;麦姆斯通信技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03K5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种延时装置，包括延时电路和控制电路，控制电路检测信号输出装置输出的信号中的上升沿和下降沿，在只需要对上升沿进行延时时，通过延时电路延时预设时间再输出高电平，也即，在信号为上升沿后的预设时间才输出上升沿，从而实现对上升沿的延时，对于下降沿不作处理，直接输出，从而实现只对上升沿的延时。同样，在只需要对下降沿进行延时时，通过延时电路延时预设时间再输出低电平，也即，在信号为下降沿后的预设时间才输出下降沿，从而实现对下降沿的延时，对于上升沿不做处理，直接输出，从而实现只对下降沿的延时。可见本申请可以实现只对上升沿或只对下降沿进行延时，从而可应用需求为单独对上升沿或下降沿进行延迟的场景。
一种延时装置

[发明专利]一种声波器件制备方法-CN202110749096.1在审
发明人：彭波华;李平;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司;麦姆斯通信技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种声波器件制备方法，包括通过生长工艺制备包括衬底的第一键合层；将包括压电层的第二键合层与第一键合层相互键合；在将第一键合层与第二键合层相互键合之后，剥离第二键合层直至与第一键合层键合的压电层厚度达到预设厚度；在预设厚度的压电层表面设置叉指电极，以制成声波器件。通过层转移技术直接将完整的压电层与衬底相互键合，可以避免直接生长例如LiNbO3和LiTaO3等成分复杂的压电层时导致的压电层品质因子较低的问题。同时层转移技术不会对压电层的晶向进行限制，从而便于声波器件在设计时进行多种切角设计考虑，从而最大程度发挥压电层性能。
一种声波器件制备方法

[发明专利]一种芯片封装结构及封装方法-CN201910454084.9有效
发明人：王伟;李平;彭彦豪;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种芯片封装结构及封装方法，结构包括：晶圆(1)，晶圆(1)中设置有凹槽(2)；第一金属线(3)，设置在凹槽(2)和晶圆(1)的表面；金属焊球(4)，设置在第一金属线(3)或芯片的金属pad上，用于将芯片的金属pad焊接至第一金属线(3)，以将芯片倒装至凹槽(2)中；第一塑封膜(5)，覆盖在晶圆(1)、芯片、第一金属线(3)的上表面，并进入芯片功能区四周与第一金属线(3)之间的缝隙中，以在晶圆(1)、凹槽(2)和芯片之间形成密闭空腔；电感结构(6)，设置在第一塑封膜(5)的上表面和/或晶圆(1)的下表面，并通过第一金属线(3)连接至芯片；焊盘(7)，设置在电感结构(6)上。
一种芯片封装结构方法

[实用新型]滤波器-CN202221311567.7有效
发明人：蒋将;李平;彭彦豪;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种滤波器。其中，该滤波器包括支撑部和封装部，支撑部用于作为所述滤波器的支撑结构；封装部位于所述支撑部上，在所述支撑部和所述封装部之间具有封装空间；其中，所述封装部包括钝化层和有机层，钝化层位于所述支撑部上，与所述支撑部之间具有封装空间；有机层位于所述钝化层上，作为所述封装部的主体结构。因此，可以利用有机材料的有机层替代传统的硅基或者金属作为封装空间(空腔)的密封结构，相对于现有技术中有机材料挥发物出现的情况，有效克服了有机材料的使用过程中给滤波器器件所带来的劣势，从而极大地提高了器件可靠性。
滤波器

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