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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器-CN201911046188.2在审
发明人：马向超;吴瑞仁;王坤 -专利权人：北京新忆科技有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器，所述存储器为具有串行外设接口的阻变式存储器，包括：多个存储芯片、级联控制芯片和封装组件，其中，多个存储芯片之间级联；级联控制芯片与多个存储芯片键合连接，以根据输入确定多个存储芯片中目标存储芯片，并控制目标存储芯片执行相应动作；封装组件用于对多个存储芯片和级联控制芯片进行封装。根据本发明实施例的存储器，可以省去用户在系统级增加控制芯片和印刷电路板面积来实现存储芯片级联，并可以快速高效的由低容量存储芯片封装成大容量芯片，且可以实现由多颗封装好的芯片在系统电路板上进行级联，进而增加系统存储可扩张性及系统灵活性
存储器

[发明专利]制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法-CN201310553600.6有效
发明人：李璟;王国宏;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，对多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与衬底接触的P电极和N电极；步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。采用本发明方法制备的倒装集成LED芯片级光源具有散热好、可大电流驱动、光效高等优点。
制作倒装集成 led 芯片级光源模组方法

[发明专利]一种封装结构及其应用-CN201610463337.5在审
发明人：赵继聪;袁泉;杨晋玲;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种封装结构，包括：封装盖片，配置为覆盖欲封装的器件；封装环，设置在封装盖片欲进行封装的一侧，用于实现欲封装的器件的气密性封装；平面引线和/或垂直引线，用于实现欲封装的器件内外电学互连：当设置平面引线时，平面引线设置在封装环与封装盖片之间，且平面引线和封装环之间设置有平面绝缘层；当设置垂直引线时，垂直引线设置为贯穿所述封装盖片。本发明公开的封装结构电学损耗低，能有效抑制寄生效应对射频微弱信号的干扰，实现各种RF MEMS器件的圆片级或芯片级真空封装。
一种封装结构及其应用

[实用新型]一种柱状凸点封装结构-CN201220020942.2有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种柱状凸点封装结构，包括：包括芯片、凸点下金属层、铜柱、氧化层和焊料凸点；所述芯片的上表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层覆于芯片焊盘开口以外的上表面，所述焊盘上设有凸点下金属层，所述凸点下金属层上设有铜柱本实用新型提高了焊料凸点的电性能和可靠性，适用于焊盘密间距、输出功能多的芯片级封装。
一种柱状封装结构

[发明专利]高密度mini LED模组用于医疗和美容领域-CN202210390158.9在审
发明人：黄大玮;刘彬 -专利权人：深圳市稳耀半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，包括：模组本体，所述模组本体包括若干LED芯片，相邻的两所述LED芯片在纵向的中心间距的在0.2mm～0.6mm之间，相邻的两所述LED芯片在横向的中心间距在本发明通过采用芯片级的封装，最大限度保留了LED芯片的发光角度，同时LED芯片的密度更高，LED模组发光面的光分布更加均匀。
高密度 mini led 模组用于医疗美容领域

[发明专利]一种LGA器件印刷贴片辅助装置-CN201811154302.9在审
发明人：程霄;史静云;曹凯;梁颖;张锐 -专利权人：西安北方光电科技防务有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明属于现代电子装联工程表面贴装技术(SMT)技术领域，具体涉及一种LGA器件印刷贴片辅助装置，包括芯片、刮刀片和芯片级钢网，所述LGA器件印刷贴片辅助装置至少还包括辅助钢片、芯片X轴方向连接件、芯片Y轴方向连接件、基座、Z轴方向调节连接件、多个上支撑座和多个下支撑座，解决了原芯片级钢网工装每次设计制作，需要的原材料较多、制作周期长、制作工艺难度高，锡膏印刷成功率低的问题，本发明简化了原有芯片级钢网的设计和制作，使操作更为便捷，同时大大的提高了该类型芯片局部锡膏印刷和局部贴装的成功率。
辅助装置连接件芯片级芯片钢网贴片锡膏印刷印刷贴装成功率设计和制作方向调节工程表面上支撑座下支撑座制作工艺制作周期刮刀片工装钢片制作

[实用新型]一种印刷贴片辅助装置-CN201821608945.1有效
发明人：程霄;史静云;曹凯;梁颖;张锐 -专利权人：西安北方光电科技防务有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本实用新型属于现代电子装联工程表面贴装技术(SMT)技术领域，具体涉及一种印刷贴片辅助装置，包括芯片、刮刀片和芯片级钢网，所述印刷贴片辅助装置至少还包括辅助钢片、芯片X轴方向连接件、芯片Y轴方向连接件、基座、Z轴方向调节连接件、多个上支撑座和多个下支撑座，解决了原芯片级钢网工装每次设计制作，需要的原材料较多、制作周期长、制作工艺难度高，锡膏印刷成功率低的问题，本实用新型简化了原有芯片级钢网的设计和制作，使操作更为便捷，同时大大的提高了该类型芯片局部锡膏印刷和局部贴装的成功率。
辅助装置连接件芯片级芯片钢网贴片本实用新型锡膏印刷印刷贴装成功率设计和制作方向调节工程表面上支撑座下支撑座制作工艺制作周期刮刀片工装钢片制作

[实用新型]一种LED封装结构-CN202223040540.1有效
发明人：周文;梁国军 -专利权人：东莞市福日源磊科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED封装结构，包括：碗杯支架、暖白LED芯片、自然白LED芯片、正白LED芯片与透镜。所述暖白LED芯片、自然白LED芯片和正白LED芯片间隔设置在所述碗杯支架内。其中，所述暖白LED芯片、自然白LED芯片和正白LED芯片为芯片尺寸封装的LED芯片，所述透镜设置在所述暖白LED芯片、自然白LED芯片和正白LED芯片上。通过采用暖白、自然白和正白三种色温的芯片级封装LED，将其固焊在一个碗杯支架内，能够有效减小三色温LED产品的尺寸，方便应用端的设计，而且实施工艺简单，提高了良品率和生产效率。
一种 led 封装结构

[发明专利]一种氮化镓场效应晶体管及其封装技术-CN202111569995.X在审
发明人：孙化;杨立峰;陈瑜 -专利权人：深圳市怡海能达有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化镓场效应晶体管及其封装技术，包括一芯片，所述芯片的外侧包裹有绝缘保护层，所述芯片的一面为电极面，所述电极面的对立面为背面，所述电极面上设有Pad位及电极，所述绝缘保护层接近所述电极面的一侧挖空并露出所述Pad位及电极，所述绝缘保护层、Pad位及电极的外侧均覆盖有导电金属层；取消了传统芯片封装的框架结构，键合技术，塑封技术；利用芯片本体的电极与外界形成导通，并采用更加先进的真空溅镀以及激光镭射工艺完成封装；并在原有封装基础上，进一步缩小封装尺寸，实现芯片级封装(CSP)，让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，甚至接近1:1。
一种氮化场效应晶体管及其封装技术

[发明专利]蒸气室原子钟物理封装-CN201210178951.9有效
发明人： J·A·里德利;R·坎普顿;M·K·萨利特;J·克里斯 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：本发明涉及蒸气室原子钟物理封装。在一个示例中，提供了一种芯片级原子钟物理封装。该芯片级原子钟物理封装包括限定腔的主体以及安装在腔内的第一台架。激光器安装在第一台架的第一表面上。第二台架也安装在腔内。
蒸气原子钟物理封装

[发明专利]芯片级微型塑封摄像模组底座的制作方法及摄像模组底座-CN201810765973.2在审
发明人：韦有兴;李建华 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种芯片级微型塑封摄像模组底座的制作方法及摄像模组底座，解决了现有技术中，采用塑封工艺制作的COB模组，因裸芯片脆弱，容易被污染，导致的制程非常难控制，生产良率低，所以目前很难真正实现批量生产的技术问题，而采用CSP工艺的感光芯片是在裸芯片上增加了封装玻璃和底部焊接锡球，由于光线穿透封装玻璃的时候会造成轻微折射、反射和能量损失，导致的其影像效果没有直接用裸芯片的COB工艺模组效果好的技术问题。
摄像模组底座裸芯片封装玻璃芯片级塑封制作感光芯片光线穿透焊接锡球能量损失塑封工艺影像效果良率模组制程反射折射生产污染

[发明专利]一种双芯片的芯片级LED封装结构及其制作方法-CN201810663241.2有效
发明人：罗雪方;瞿澄;陈文娟;罗子杰 -专利权人：江苏罗化新材料有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种双芯片的芯片级LED封装结构及其制作方法，本发明利用双芯片发射不同的光去激发不同的荧光层，再将相邻的光进行混合出光，可以实现色温的灵活调整；具有焊料层的铜柱实现了焊接的便捷性，且同时提高了固化板的强度
一种芯片芯片级 led 封装结构及其制作方法

[发明专利]用于芯片级封装的电连接-CN201210020437.2有效
发明人：游明志;林文益;李福仁;林柏尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：实施例包括穿过后钝化层的开口，该开口具有第一尺寸和第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸，其中，第一尺寸垂直于芯片的热膨胀系数失配方向进行对准。本发明还提供了用于芯片级封装的电连接。
用于芯片级封装连接

[发明专利]用于芯片级封装的电连接-CN201210020209.5有效
发明人：游明志;李福仁;林柏尧;郑嘉仁;游秀美 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-21 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明还提供了一种用于芯片级封装的电连接。
用于芯片级封装连接

[发明专利]芯片级电子封装的穿孔结构-CN200710140454.9有效
发明人：黄忠谔;黄建渝 -专利权人：海华科技股份有限公司
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种芯片级电子封装的穿孔结构，其特征在于包括：一芯片，其设有至少一个射频路径，其中该射频路径穿设于该芯片中；以及一穿孔结构，其周设于该射频路径外侧；其中该穿孔结构可为数个填入金属材料的穿孔、或数个内表面镀上金属的穿孔
芯片级电子封装穿孔结构

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