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[发明专利]在引线架结构上有倒装芯片的密封型芯片级封装及其方法-CN200610115603.1有效
发明人：乔斯弗·K·弗蒂;小詹姆斯·P·莱特蔓;戴尼斯·西恩泊特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：在一个实施例中，密封型电子封装包含装有在主表面上形成图形化可焊焊盘的半导体芯片。在组装过程期间，直接把图形化可焊焊盘安装到导电引线上。用例如MAP包覆成型工艺来密封组件，并且然后使组件通过分割加工而形成在引线架互连上装有倒装芯片的各个芯片级封装。
引线结构倒装芯片密封芯片级封装及其方法

[发明专利]光敏组合物-CN200610146456.4有效
发明人： M·R·温克尔;J·E·斯蒂珀;刘向前;J·奥卡达－科克利;S·A·伊比特森 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F7/028 文献下载
摘要：该光致抗蚀剂层特别适合用在芯片级封装中，例如，用于形成金属突起。
光敏组合

[发明专利]一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法-CN202110806106.0在审
发明人：虢晓双;杨靖;张新凯;熊亮;黎傲雪;彭健 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法，本发明MEMS惯性传感器芯片模组，包括壳体，所述壳体分别固定有PCB板和金属支撑柱，所述金属支撑柱上支承有MEMS惯性传感器芯片组件，所述MEMS惯性传感器芯片组件上的连接端子通过金属线与PCB板上的连接端子相互连接。本发明无需一级封装工艺，大幅度降低封装及集成成本，缩小集成体积，避免了表面安装涉入的热应力，也能实现快速热传导，可保有MEMS惯性传感器芯片级各项性能指标，能够改善现有技术对MEMS惯性传感器芯片的应用限制，避免一级封装或二级封装热应力的对系统集成应用的影响。
一种 mems 惯性传感器芯片模组及其制备方法

[发明专利]边发射激光器芯片级老化测试系统以及方法-CN202210095601.X有效
发明人：向欣;龙浩 -专利权人：武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及芯片老化技术领域，提供了一种边发射激光器芯片级老化测试系统，包括用于安置芯片的老化板以及供老化板安装的老化夹具，老化板有多个，各老化板叠层安装在老化夹具上；系统还包括用于驱使任一老化板靠近或远离其下方的老化板以完成定位的驱动机构还提供一种边发射激光器芯片级老化测试方法。本发明可以直接在非封装状态下的边发射激光器芯片上进行加电进行老化测试，避免封装成本的增加；不依靠MPD，可以直接检测在激光器芯片老化过程中箱体内不同时间下的激光器芯片的前、后实时的出光功率，排除MPD芯片是否不良的因素的干扰，从而能够得到真实、有效的激光器芯片的可靠数据，为分析不良品可靠性问题提供了极大的真实性和便利性。
发射激光器芯片级老化测试系统以及方法

[发明专利]微型电子元件及其封装结构和制造方法-CN200710085539.1无效
发明人：蔡聪明 -专利权人：诚佑科技股份有限公司
申请日： 2007-03-08 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种微型电子元件及其封装结构和制造方法，尤其是指在整片基板上制作而成的芯片型或芯片级封装的微小电子元件。本发明的元件构造更简洁，材料成本更低，制作程序更少，可以用低成本方式，以大片基板为载具，制造芯片级封装的微小元件。
微型电子元件及其封装结构制造方法

[发明专利]芯片级电磁干扰屏蔽结构及制造方法-CN201110021177.6有效
发明人：吴明哲 -专利权人：环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种芯片级电磁干扰屏蔽结构及制造方法，此芯片级电磁干扰屏蔽结构包括半导体基材、至少一接地导线、一接地层与一连接结构。此芯片级电磁干扰屏蔽结构可降低芯片体积与成本。
芯片级电磁干扰屏蔽结构制造方法

[发明专利]具有环形硅退耦电容器的集成电路芯片封装及其制造方法-CN200510120300.4无效
发明人：宋垠锡;李稀裼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-11-09 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装及其制造方法，其特征在于减小同时开关噪声的环形硅退耦电容器。该退耦电容器具有芯片级或低于芯片级的减小的厚度且代替传统电源/接地环。因此，该退耦电容器能够设置在封装内而不增加该封装的厚度和尺寸。
具有环形硅退耦电容器集成电路芯片封装及其制造方法

[实用新型]一种大功率芯片级封装器件-CN202120590628.7有效
发明人：徐晓丽;孙雷蒙;杨丹 -专利权人：华引芯（武汉）科技有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体光电子领域，提供了一种大功率芯片级封装器件，该器件包括生长衬底、发光元件阵列、白墙胶以及荧光膜层；发光元件阵列设于生长衬底上，荧光膜层覆盖生长衬底的远离发光元件阵列侧；发光元件阵列包括若干个相互间隔设置的发光元件本实用新型提供的芯片级封装器件通过阵列排设若干个相互间隔设置的发光元件，避免了切割封装时易漏电情况发生，实现大功率输出；通过设置加厚电极对，解决了易漏蓝光问题，实现高亮度输出。
一种大功率芯片级封装器件

[发明专利]芯片扇出封装结构、多芯片集成模块及晶圆级封装方法-CN201710656254.2有效
发明人：王腾 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种带天线的芯片扇出封装结构、多芯片集成模块及晶圆级封装方法，通过将天线形成于载板上用于容置射频芯片的第一凹槽内，并延伸至载板第一表面，然后在射频芯片及载板第一表面上形成第一金属重布线层，实现了天线与芯片间的互联，从而达到了在芯片级集成天线的功能，不占用芯片中金属互连层面积，制作成本大大降低。多芯片集成模块，同时实现了功能芯片的电磁干扰屏蔽和射频芯片的天线集成，相比传统方法，生产工艺简单，不耗时，且成本较低，且不存在封装后封装体表面较粗糙，较难保证电磁干扰屏蔽结构的连续性的问题，还更容易制作接地连接晶圆级封装方法，低成本高效率同时集成了电磁干扰屏蔽结构和天线，制作成本大大降低。
芯片封装结构集成模块晶圆级方法

[发明专利]一种加速芯片级电路时序分析方法-CN201910757658.X有效
发明人：吴玉平;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本发明提供了一种加速芯片级电路时序分析方法，通过划分芯片级电路得到路径，检查路径之间的同构或准同构关系，检查路径之间的覆盖关系，根据路径之间的覆盖关系构建多叉树，基于多叉树的层次关系检查路径时序，在多叉数父节点上路径满足时序要求的情况下省略其子节点及其以下节点上路径的时序检查，从而加速芯片级电路时序检查。
一种加速芯片级电路时序分析方法

[发明专利]充电器件模型抗静电测试机台及应用于其的测试板-CN202011561893.9有效
发明人：毕寒;尹彬锋;周柯;高金德 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及LQFP封装级芯片的充电器件模型抗静电测试机台，涉及半导体集成电路制造技术，通过在测试板上同时设置多个LQFP封装芯片插座，每个插座的插槽内供一个LQFP封装芯片插座置于其中，则可使一个测试板上同时承载多个LQFP封装芯片插座，而在充电器件模型抗静电测试时节省测试时间，另通过使每个LQFP封装芯片插座包括芯片插槽和环绕插槽而形成的插槽侧壁，可使将LQFP封装芯片置于芯片插槽内时，芯片的引脚从芯片的本体伸出并承载于插槽侧壁的第一面上以支撑芯片的引脚，而在测试过程中对芯片的引脚提供支撑，也即LQFP封装芯片的引脚不再悬空，从而在测试过程中保证准确无损的抗静电性能测试和后续功能性及参数测试，提高芯片级测试的准确度和测试效率。
充电器件模型抗静电测试机台应用于

[发明专利]用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件-CN200580028538.2无效
发明人： J·伊贝森;B·凯勒;P·帕里克 -专利权人：克里公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：封装的发光器件包括具有上表面和下表面的载体衬底(20)、从衬底(20)上表面延伸到衬底下表面的第一和第二导电通孔(22S、B)以及在衬底上表面与第一导电通孔(22A)电接触的焊盘(24)。封装发光器件的方法包括提供包括生长衬底和生长衬底上外延结构的外延片，将载体衬底焊接到外延片的外延结构，形成通过载体衬底的多个导电通孔，在外延结构中限定多个隔离的二极管，以及将至少一个导电通孔电连接到多个隔离的二极管中相应的二极管
用于封装发光器件芯片级方法

[发明专利]一种基于芯片级封装的可自调色温的LED柔性灯丝制备方法-CN202210057393.4在审
发明人：胡溢文 -专利权人：苏州工业园区客临和鑫电器有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于芯片级封装的可自调色温的LED柔性灯丝制备方法，涉及LED柔性灯丝制备技术领域，为解决现有LED柔性灯丝安装在灯泡中进行使用时，不具备自调色温度的作用，只是具有单一的发光效果，无法根据环境来进色温的更换的比例混合后，再将混合后的荧光粉按硅胶重量的66.7％加入硅胶中，然后搅拌均匀并用真空设备抽尽胶体内因搅拌而混入的空气，完成荧光胶体的配置，同时还要保持荧光胶体处于未固化的状态；步骤二：然后制备不同色温的芯片级封装倒装芯片
一种基于芯片级封装自调色温 led 柔性灯丝制备方法

[发明专利]晶圆级扇出型LED的封装结构及封装方法-CN201910211667.9在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级扇出型LED的封装结构及封装方法，封装结构包括：重新布线层，包括第一面及第二面；LED模块，其电极与重新布线层的第二面连接；金属引线柱，与重新布线层连接；封装层；金属凸块，形成于封装层上并与金属引线柱连接本发明提供了一种新型的晶圆级扇出型的LED的封装结构及封装方法，通过在封装后的LED晶圆上制作重新布线层以及金属凸块，实现LED晶圆的扇出封装，本发明可以满足Micro LED超高分辨率封装需求，实现小线宽封装以及满足系统式的LED封装。本发明相比芯片级的封装来说，可有利于重新布线层的对准，避免LED芯片转移时造成的误差，并且，晶圆级封装可有效降低封装成本。
封装重新布线层封装结构扇出型金属引线柱金属凸块封装层晶圆级超高分辨率晶圆级封装电极第二面芯片级扇出小线种晶对准制作

[发明专利]圆片级柱状凸点封装结构-CN201110428755.8无效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种圆片级柱状凸点封装结构，包括：芯片、连接层和焊料凸点；所述芯片的上表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层覆于芯片焊盘以外的上表面；所述连接层的底部置于芯片的焊盘上，连接层的顶部设有焊料凸点；所述连接层自底部往上依次包括耐热金属层本发明提高了产品的电性能和可靠性，适用于焊盘密间距、输出功能多的芯片级封装。
圆片级柱状封装结构