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[实用新型]半导体器件-CN201420044132.X有效
发明人：施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件，包括：印刷电路板和芯片级封装结构；所述芯片级封装结构具有凸点下金属层、以及设置在所述凸点下金属层上表面的金属柱；其中，所述印刷电路板与所述金属柱之间焊接。在凸点下金属层上设置金属柱，该金属柱能够缓解热应力，能够减少或消除因为热膨胀不均与而引起的凸点下金属层或电极的断裂，减少了半导体封装结构的失效率。
半导体器件

[实用新型]一种可降低出光面温度的芯片级封装的发光芯片结构-CN202120032920.7有效
发明人：李宛儒 -专利权人：李宛儒
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种可降低出光面温度的芯片级封装的发光芯片结构，是在芯片和基板的表面上以粉体涂布技术披覆发光粉层，该发光粉层是由荧光粉或任一可激发光的粉体所构成；在该发光粉层的表面上固化厚度小于0.01mm的透明胶层，使该发光粉层完全贴服在该芯片和基板的表面上，借此完成第一次封装，该透明胶层是由不含发光粉的透明胶水或树脂所构成，和在该透明胶层上再封装不产生热能的涂层，借由二次封装程序构成所述的可降低出光面温度的芯片级封装的发光芯片结构
一种降低光面温度芯片级封装发光芯片结构

[发明专利]电子元件与CMOS图像传感器的芯片级封装及制造方法-CN200710106516.4有效
发明人：林孜翰;林孜颖;刘芳昌;王凯芝 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种电子元件与CMOS图像传感器的芯片级封装及其制造方法。上述CMOS图像传感器包括一透明基板结构做为该芯片级封装的承载结构，且具有一第一切割断面及一第二切割断面。一电连接自该晶粒电路延伸至该芯片级封装于该封胶层上的多个接触终端，且该电连接的部分表面裸露于该第一切割断面。
电子元件 cmos 图像传感器芯片级封装制造方法

[实用新型]一种晶圆级芯片级CSP封装结构-CN201821674549.9有效
发明人：王书昶;范艾杰;孙智江 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆级芯片级CSP封装结构，包括一矩形芯片，在所述芯片出光面上设置有第一浓度荧光层，形成封装体A，且所述芯片出光面的侧面＜10％面积被第一浓度荧光层覆盖；在所述封装体A的顶面和侧面还设有呈半透明或透明状的第二浓度荧光层，形成封装体B；所述第一浓度荧光层中的荧光粉浓度记作w₁，第二浓度荧光层中的荧光粉浓度记作w₂，且w₁＞w₂；所述第一浓度荧光层位于芯片顶面的厚度一致，所述第二浓度荧光层位于芯片顶面的厚度一致，且所述封装体B呈矩形结构。本实用新型的优点在于：本实用新型晶圆级芯片级CSP封装结构，能够提高发光芯片散热性能、降低器件制备成本以及提高器件可靠性和均一性。
荧光层封装体本实用新型封装结构芯片荧光粉厚度一致芯片级种晶晶圆级芯片器件可靠性发光芯片降低器件矩形结构矩形芯片散热性能侧面半透明均一性透明状顶面制备覆盖

[发明专利]DMOS FET芯片级封装及其制造方法-CN202210128551.0在审
发明人：薛彦迅;王隆庆;薛宏勇;马督儿·博德;牛志强;鲁军 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种DMOS FET芯片级封装的制造方法，包括步骤：提供晶圆；应用再分布层，研磨晶圆的背面；沉积金属层；以及应用分离过程。还公开了一种DMOS FET芯片级封装，包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、再分布层和金属层。MOSFET包括源极、栅极、漏极和多个部分漏极塞。
dmos fet 芯片级封装及其制造方法

[发明专利]堆叠半导体管芯和芯片级封装单元-CN202211335420.6在审
发明人： A·K·辛格;冯志成;F·H·M·斯瓦特杰斯;A·J·莫尔 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及堆叠半导体管芯和芯片级封装单元。半导体封装组合件包括：基板，基板具有顶部基板表面和基板底部表面；第一半导体管芯，半导体管芯部分地在基板上方，并具有管芯底部表面，管芯底部表面在其上具有第一多个I/O焊盘和第二多个I/O焊盘；第一多个局部电连接组件第一多个局部电连接组件附连在管芯底部表面与基板顶部表面之间，并提供基板与第一多个I/O焊盘之间的电连接；第二多个LECC，第二多个LECC附连到基板底部表面，并用于提供基板与电路板之间的电连接；其中第二多个I/O焊盘经布置用于提供到芯片级封装单元的电连接，芯片级封装单元将通过第三多个LECC附连到第一半导体管芯，并将定位在与基板相同的水平平面中。
堆叠半导体管芯芯片级封装单元

[发明专利]发光二极管芯片级封装结构-CN201710417494.7有效
发明人：黄哲瑄;张书修;苏信纶;林志豪;蔡宗良 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管芯片级封装结构。发光二极管芯片级封装结构包括发光二极管芯片及透镜。透镜覆盖发光二极管芯片。透镜的外表面的剖面的曲线实质上符合多项式：对应发光二极管芯片的曲线的中心点为y‑z座标轴的原点
发光二极管芯片级封装结构

[发明专利]一种深紫外LED芯片级封装器件及其制备方法-CN202111242377.4在审
发明人：万垂铭;王洪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外LED芯片级封装器件及其制备方法。所述深紫外LED芯片级封装器件包括深紫外LED芯片、侧壁导光结构、石英透镜、透明层；所述深紫外LED芯片为倒装结构，设置于石英透镜镜下方，通过透明层连接深紫外LED芯片和石英透镜；所述侧壁导光结构设置于倒装的深紫外LED芯片外围，侧壁导光结构顶部贴于石英透镜下方。本发明所述的深紫外LED封装器件，不仅出光效率高，产品的耐深紫外的能力及可靠性及使用寿命得以显著提高，而且封装结构简单，有利于降低制备成本；而对于其制备方法，工艺简单易行，适合流水线工作，制备效率高。
一种深紫 led 芯片级封装器件及其制备方法

[发明专利]用于芯片级封装的凸块-CN201210041605.6有效
发明人：林俊宏;陈玉芬;林宗澍;普翰屏;陈宪伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：芯片级半导体器件包括半导体管芯、第一凸块和第二凸块。具有第一直径和第一高度的第一凸块形成在半导体管芯的外部区域上。具有第二直径和第二高度的第二凸块形成在半导体管芯的内部区域上。因此，提高了芯片级半导体器件的热循环可靠性。本发明还提供了一种用于芯片级封装的凸块。
用于芯片级封装

[发明专利]芯片级封装的倒装LED白光芯片的制备方法-CN201510245273.7有效
发明人：谭晓华;韩颖;冯亚凯 -专利权人：天津德高化成新材料股份有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片级封装的倒装LED白光芯片的制备方法，包括如下步骤在固晶定位光罩(1)的上表面临时固定UV固化胶带(2‑1)，在UV固化胶带的上表面按固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片(3)，用荧光胶膜(4)覆盖住倒装芯片，抽真空、加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，再进行UV照射使UV固化胶带固化，去除固化后的UV固化胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片(5)。完全避免了荧光粉沉降，使得倒装LED白光芯片的批次稳定性高，色温一致。
芯片级封装倒装 led 白光芯片制备方法

[发明专利]芯片级气液分离器及其控制系统-CN201410619361.4有效
发明人：廖红华;方芳;廖宇;张应团;吴长坤;袁海林;吴少尉 -专利权人：湖北民族学院
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片级气液分离器及其控制系统，包括芯片级气液分离器及其组件、控制接口电路以及基于FPGA+DSP的芯片级气液分离器控制系统；其中，芯片级气液分离器及组件用于实现微体积条件下的液-液流体体系微混合、微反应、气-液分离；接口电路连接在芯片级气液分离器控制系统和芯片级气液分离器及组件之间；芯片级气液分离器控制系统用于产生芯片级气液分离器有效分离所需的各种控制信号、实时监测微反应沟道内气液间隔形态，以实现最佳气液分离效果本发明提供的芯片级气液分离器及其控制系统能够实现用于痕量元素检测的微流控芯片-原子荧光在线联用系统中反应液的有效混合、反应，气态产物富集以及气液有效分离。
芯片级分离器及其控制系统

[发明专利]芯片级封装件-CN202310041217.6在审
发明人：雷格纳斯·赫尔曼努斯·波尔玛;哈特穆特·宾宁;斯特凡·伯格伦德;汉斯-于尔根·芬克;约翰内斯·乔西斯科·伊珀斯;琼普·斯托克曼斯;沃尔夫冈·施尼特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开的各方面涉及诸如芯片级封装件的半导体装置。本公开的各方面还涉及一种用于制造这种装置的方法。
芯片级封装

[发明专利]芯片级封装方法-CN201410426336.4有效
发明人：丁万春 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片级封装方法，包括步骤在从晶圆的钝化层露出的铝垫上形成凸点下金属层；蚀刻所述凸点下金属层，使所述凸点下金属层与所述钝化层之间蚀刻形成间隙；在所述间隙中形成保护介面层。
芯片级封装方法

[发明专利]芯片级封装方法-CN201410426337.9有效
发明人：王自台 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片级封装方法，包括步骤：烘烤形成保护层的晶圆，烘烤温度为120-150℃，烘烤时间为大于3小时；为烘烤后的晶圆形成凸点下金属层。
芯片级封装方法

[发明专利]芯片级封装件-CN201410060688.2有效
发明人：绢笠幸久;古泽俊洋;蒲谷美辉;东堤良仁 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种芯片级封装件（CSP），包括：用于无线通信的天线，该天线被用于与外部基板进行信号的传输和接收，该天线形成为再配线层的配线，该再配线层被安置在硅层与焊料凸块之间。
芯片级封装