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[发明专利]芯片级封装的声表面波器件锡金阻挡结构及其加工方法-CN202011561863.8在审
发明人：冷俊林;董加和;米佳;胡旭中;朱明 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片级封装的声表面波器件锡金阻挡结构及其加工方法，包括金属叉指换能器和金属汇流条，在金属汇流条上设有焊盘，在金属叉指换能器周围设有亲水性锡金阻挡层；在金属汇流条焊盘上分别设有锡金引流条；其加工方法包括如下步骤：1）制作金属叉指换能器、金属汇流条和带锡金引流条的焊盘；2）制作亲水性锡金阻挡层；3）植金属球；4）分割形成芯片；5）将芯片倒装到基板上；6）通过共晶焊方式完成芯片级声表面波器件器件的气密性封装本发明通过增设锡金引流条和阻挡层结构阻挡熔化后的锡金流动到芯片表面，能够防止熔化后的锡金进入声表面波器件的金属叉指换能器，从而保证产品的稳定性和可靠性。
芯片级封装表面波器件锡金阻挡结构及其加工方法

[发明专利]具凹形设计的芯片级封装发光装置及其制造方法-CN201610033392.0有效
发明人：陈杰;王琮玺;钟君炜 -专利权人：行家光电股份有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提出一具凹形设计的芯片级封装发光装置及其制造方法。该芯片级封装发光装置包含一覆晶式LED芯片及一包覆结构。包覆结构覆盖于LED芯片上，且其底面向上翘曲而形成一凹形。藉此，可避免或改善回流焊接或共晶接合等工艺中，因包覆结构受热膨胀而使LED芯片的电极组与基板的焊垫之间产生较大的间隙而造成发光装置与基板间的焊接接点品质不良，故可使电极组确实与基板固接。
凹形设计芯片级封装发光装置及其制造方法

[发明专利]一种LED封装结构及其制造方法-CN201810879405.5在审
发明人：潘科豪;周圣伟;蓝逸生;周嘉峰;谢忠全;潘人豪;杨皓宇;康桀侑;曾子伦 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明提供一种LED封装结构及其制造方法，LED封装结构包括：一芯片级封装CSP发光元件和一遮蔽层，所述CSP发光元件包括一发光芯片，所述发光芯片包括位于所述发光芯片的底面的电极组，所述遮蔽层设置在所述本实施例提供的LED封装结构，解决了现有CSP发光装置中由于LED芯片的底面漏蓝光而对发光装置的发光颜色造成干扰以及降低发光效率的问题。
发光芯片发光元件发光装置遮蔽层底面芯片级封装发光效率发光颜色电极组蓝光制造侧面

[实用新型]一种MEMS惯性传感器芯片模组以及MEMS传感器-CN202121621591.6有效
发明人：虢晓双;杨靖;张新凯;熊亮;黎傲雪;彭健 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MEMS惯性传感器芯片模组以及MEMS传感器，包括壳体，所述壳体分别固定有PCB板和金属支撑柱，所述金属支撑柱上支承有MEMS惯性传感器芯片组件，所述MEMS惯性传感器芯片组件上的连接端子通过金属线与本实用新型无需一级封装工艺，大幅度降低封装及集成成本，缩小集成体积，避免了表面安装涉入的热应力，也能实现快速热传导，可保有MEMS惯性传感器芯片级各项性能指标，能够改善现有技术对MEMS惯性传感器芯片的应用限制，避免一级封装或二级封装热应力的对系统集成应用的影响。
一种 mems 惯性传感器芯片模组以及

[实用新型]扩张均匀性高的扩晶机-CN201420252689.2有效
发明人：彭晖 -专利权人：佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体行业和LED行业使用的扩张均匀性高的扩晶机，沿互相垂直的两条芯片切割道方向扩张十字形蓝膜，使得粘贴在十字形蓝膜上已经切好的晶元均匀扩张、芯片互相分离，相邻芯片之间的距离相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨和定位时间，达到芯片级封装或晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。
扩张均匀扩晶机

[发明专利]一种芯片级LED封装装置及其制作工艺-CN201610003555.0在审
发明人：李俊东;王鹏辉;柳欢;张仲元;张建敏 -专利权人：深圳市斯迈得半导体有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片级LED封装装置及其制作工艺，它涉及LED技术领域。基板是由LED引线架和树脂通过模压成型制成，树脂在引线架上表面设计成凸起部分，所述的凸起部分呈碗杯状，基板的表面焊接有倒装芯片，且所述的基板上方覆盖有荧光胶。它只需要模压成型工艺制得基板，然后使用EMC封装工艺便可实现芯片级LED的封装。荧光胶的涂布使用业界EMC封装工艺中的点胶技术，操作简单，设备投入成本少，可灵活调控荧光胶层的厚度及均匀性。
一种芯片级 led 封装装置及其制作工艺

[发明专利]基于芯片级原子钟的导航卫星长码信号接收机处理方法-CN201710724561.X有效
发明人：左启耀;王强;李育龙;洪诗聘;付晶晶;胡文涛;何子君;祖秉法;陈赟;尹真;徐晓松;李峰;邹志勤 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01S19/30 文献下载
摘要：本发明属于数据处理方法，具体涉及一种基于芯片级原子钟的导航卫星长码信号接收机处理方法。它包括：步骤1、卫星信号捕获，卫星信号捕获可能从下述三个状态中的任意一个开始：冷启动、热启动、失锁重定位；步骤2、卫星信号跟踪，(2.1)缩小跟踪环路等效噪声带宽，采用芯片级原子钟，以减小误差，提高精度；(2.2)增长跟踪环路相干积分时间，采用芯片级原子钟，积分时间从1ms增加到1s；步骤3、导航定位。本发明的有益效果是：在卫星接收机设计中采用芯片级原子钟代替传统晶振，如温补晶振或者恒温晶振，芯片级原子钟具有体积小、功耗低的特性，可作为板级时钟为便携设备配备高精度时钟。
基于芯片级原子钟导航卫星信号接收机处理方法

[实用新型]吊装式可释放应力的MEMS器件封装结构-CN201820549705.2有效
发明人：周铭;黄艳辉;乔伟 -专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种吊装式可释放应力的MEMS器件封装结构，MEMS芯片由管壳基座和管壳盖板密封在其中，包含一U形板架，U形板架的开口朝向侧面，使U形板架下方粘接在管壳基座内部的底面上，MEMS芯片顶部粘接悬挂在本实用新型提供的吊装式可释放应力的MEMS器件封装结构，其芯片级封装采用了衬底背面环形沟槽应力释放设计，其管壳级封装采用了基于U形板架吊装MEMS芯片的应力释放设计，独特的两级应力释放设计实现了对敏感结构很好的应力隔离该封装结构不显著增加MEMS器件的封装难度，易于实现。
封装结构管壳应力释放吊装式可释放本实用新型粘接封装芯片级封装衬底背面盖板密封环形沟槽基座内部开口空间敏感结构应力隔离两级吊装开口悬挂侧面

[发明专利]晶圆重组和裸片拼接-CN201980078992.0在审
发明人： S·达布拉尔;翟军;K-Y·赖;胡坤忠;V·拉马钱德兰 -专利权人：苹果公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：描述了拼接式裸片封装技术和结构，其中使用晶圆重组和裸片拼接技术形成重组芯片。在一个实施方案中，芯片包括重组的芯片级后道工艺(BEOL)积层结构(310)，以连接嵌入在无机间隙填充材料(130)中的裸片集(110,110)。
重组拼接

[发明专利]分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件-CN200710144470.5无效
发明人：吴群;朱淮城;贺训军;徐颖;傅佳辉;徐国兵;孟繁义;颜覃睿;唐恺 -专利权人：哈尔滨工业大学;北京遥感设备研究所
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： B81C5/00 文献下载
摘要：分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔，密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层，密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体的厚度(t)为5－20μm。
分布式微机电系统移相器芯片级封装构件

[发明专利]引线键合芯片级封装方法-CN200810033895.3有效
发明人：谭小春;郭俊 -专利权人：上海凯虹科技电子有限公司
申请日： 2008-02-26 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种引线键合芯片级封装方法，包括如下步骤：提供带有若干半导体器件的晶圆；将第一个半导体器件的表面的焊盘与相邻的半导体器件的表面的焊盘通过引线相连接，形成若干个由第一个半导体器件与相邻半导体器件相连接构成的半导体器件组；在晶圆的上表面涂覆绝缘胶；对晶圆进行第二次切割；在晶圆的第二次切割表面涂覆绝缘胶；在露出来的硅层上生长导电层；沿着半导体器件组的边界进行切割形成独立的封装器件。本发明还提供了另外一种引线键合芯片级封装方法。本发明的优点在于不需要特殊的先进工艺设备和特殊芯片布局，降低制造成本；封装器件被绝缘胶包裹，充分的保护芯片不受诸如湿气等环境因素的损害，提高器件的使用寿命。
引线芯片级封装方法

[发明专利]集成的多芯片芯片级封装-CN200410002598.4有效
发明人：葛维沪;孔言;许胜漳 -专利权人：金士顿科技公司
申请日： 2004-02-02 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种集成的芯片级封装(CSP)(55)，其布置在垂直堆叠中并且包括两个或多个单一芯片封装子组件，该子组件具有直接叠放在下一级CSP子组件(50)上的上一级CSP子组件(20)。通过使用从位于上一级衬底延伸部(24)上的周界线接合焊盘(40)到位于下一级衬底延伸部(24)上的匹配的周界线接合焊盘(40－1)的线接合实现在上一级和下一级封装子组件(20，50)之间的垂直电气连接，其中下一级衬底延伸部(24)在长度上比上一级衬底延伸部要长。装配的垂直堆叠具有单一的CSP的外观但是在高度上比两个单独的封装要小，其中单独封装以位于它们之间的焊球互联堆叠在一起。
集成芯片芯片级封装

[发明专利]芯片级封装LED的封装方法-CN201510286106.7有效
发明人：熊毅;杜金晟;王跃飞;吕天刚;李国平 -专利权人：广州市鸿利光电股份有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种芯片级封装LED的封装方法，包括以下步骤：（1）在载板上设置一层用于固定LED芯片位置的固定膜；（2）在所述固定膜表面分布若干LED芯片，且所述LED芯片呈阵列分布，相邻LED芯片之间留有间隙；（3）在LED芯片覆盖一层荧光胶，荧光胶能够填充满相邻LED芯片之间的间隙，LED芯片的顶面和四个侧面均有荧光胶包裹；（4）荧光胶固化后，在荧光胶层表面贴一层保护膜；（5）在相邻LED芯片之间的间隙处进行切割，并且相邻LED芯片之间形成沟槽，沟槽能将荧光胶层和保护膜切断；（6）在沟槽内填充挡光胶；（7）挡光胶固化后，对挡光胶层进行切割，切割深度至固定膜；（8）将单个LED芯片从固定膜和保护膜中分离出来形成单颗成品
芯片级封装 led 方法

[发明专利]异常监测方法、协处理器及计算设备-CN202210109088.5在审
发明人：沈振凯;严利根;周超超 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：一种异常监测方法，该方法应用于包括主处理器以及协处理器的主板，该主处理器与协处理器之间通过总线进行耦合，在进行异常监测过程中，协处理器对主板进行芯片级的异常监测，该芯片级的异常监测包括对主板中的主处理器或者主处理器与协处理器耦合的总线中的至少一种进行异常监测，并且，当检测到主板出现芯片级的异常时，协处理器生成主板出现芯片级异常。如此，不仅可以实现异常监测，而且，由于协处理器对主板进行芯片级的异常监测，这可以使得协处理器在异常监测过程中通常不会受到网络传输时延或者主板运行负载的影响，以此可以提高异常监测的准确性以及可靠性。
异常监测方法处理器计算设备

[发明专利]基片的喷射分割-CN03824998.7无效
发明人： S·塞奥;S·蒋;S·泰 -专利权人：东和－英特康科技公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：该技术特别适用于分割表面安装元件，例如芯片级封装件、球栅阵列(BGA)、倒装芯片、无引脚封装件(QFN)以及类似元件。该技术也适用于光子元件的分割。
喷射分割