专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]图像传感芯片用检测设备-CN202320150908.5有效
  • 李建明;卢群;周松 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2023-01-17 - 2023-10-27 - G01N21/95
  • 本实用新型提供一种图像传感芯片用检测设备,测试模块包括设于承载平台的测试治具以及位于所述测试治具上方的第一相机;其中,传输模块传送所述图像传感芯片至所述测试治具以进行图像功能测试的同时,所述第一相机对所述图像传感芯片进行至少一面的外观检测。通过将图像功能测试及自动光学检测集成于一台检测设备,以共享上料模块、下料模块、传输模块、传拣模块、承载平台及控制模块等,从而有效降低设备成本。而且,所述检测设备大大节省车间占用面积,节省运营成本。人工对若干图像传感芯片进行上料前擦拭,仅需要一次上料至检测设备以完成图像功能测试及自动光学检测,以及一次下料,从而节省搬运时间,并简化检测流程。
  • 图像传感芯片检测设备
  • [发明专利]一种图像传感器-CN202011157513.5有效
  • 赵立新;李怀兆 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2020-10-26 - 2023-10-20 - H04N25/70
  • 一种图像传感器,包括:像素单元阵列,所述像素单元阵列被划分为若干像素单元子阵列,其中,所述像素单元子阵列被划分为具有有效像素的像素矩阵区域以及冗余区域;其中,每个冗余区域具有一个或多个功能电路单元,所述功能电路单元用于实现一种或多种电子线路功能,并且包括电路模块的至少一部分和/或电子器件。本发明可以有效提高芯片的空间利用率,有助于降低成本。
  • 一种图像传感器
  • [发明专利]光学指纹器件及其制造方法-CN202010442708.8有效
  • 夏欢;赵立新 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2020-05-22 - 2023-09-22 - H01L27/146
  • 本发明提供一种光学指纹器件及其制造方法,该方法包括如下步骤:提供形成有若干图像传感器的第一晶圆;在第一晶圆上设置挡光结构;采用透光材料形成位于图像传感器感光单元上方的透光结构并在所述透光结构上形成微透镜;从而形成所述光学指纹器件。本发明通过采用透光材料形成位于图像传感器感光单元上方的透光结构,代替现有技术中的透光层,提高结构可靠性,改善入射光线的均匀性,提高像素单元接收光学信号的准确性,改善光学指纹器件的识别性能,由于采用机械切割或激光切割方式去除覆盖层,相比现有技术的刻蚀工艺,节省了工艺时间,提高了生产效率,增加了产能,降低了制造成本。
  • 光学指纹器件及其制造方法
  • [发明专利]一种电荷泵装置及其反馈控制方法-CN201611217667.2有效
  • 孟晨;王富中 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2016-12-26 - 2023-09-19 - H02M3/07
  • 本发明涉及一种电荷泵装置的反馈控制方法。所述电荷泵装置包括:电荷泵电路,用于根据多个输入变量,产生输出电压;比较电路,用于根据所述输出电压及参考电压,产生比较结果;控制电路,用于根据所述比较结果及一采样时钟信号,产生多位控制信号;调节电路,用于根据所述多位控制信号,调节所述输入变量中的一个或多个。本发明中,在以比较器进行控制的架构下,通过控制电路根据比较电路的比较结果产生多位控制信号,用于调节电荷泵电路的一个或多个输入变量,使得这些输入变量根据比较结果缓慢变化,避免电荷泵的输出电压产生突变,既能够保证稳定度,又能够减小输出电压的周期性涟波和消除音频噪声,以及一切因状态突变引起的问题。
  • 一种电荷装置及其反馈控制方法
  • [发明专利]摄像头模组、终端-CN202110435498.4有效
  • 杜智勇;许勇 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2021-04-22 - 2023-09-05 - H04N23/50
  • 一种摄像头模组、终端、摄像头模组的防抖方法及控制单元,包括:摄像头单元;图像传感器,与所述摄像头单元适配;所述摄像头模组还包括:控制单元,用于获取所述摄像头模组的抖动信息,并根据所述抖动信息生成控制信号,其中,所述抖动信息包括所述摄像头模组抖动的方向和位移量;传动单元,用于接收所述控制信号,并根据所述控制信号产生移动;移动单元,用于承载所述图像传感器,所述移动单元在所述传动单元的驱动下移动,移动的方向与所述摄像头模组抖动的方向相反,移动的位移量与所述摄像头模组抖动的位移量相同。通过本发明的方案,可以补偿摄像头模组的抖动,实现防抖效果。
  • 摄像头模组终端
  • [发明专利]半导体结构及制作方法-CN202210155893.1在审
  • 徐屹东;许乐;付文 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2022-02-21 - 2023-08-29 - H01L23/538
  • 本发明提供一种半导体结构及制作方法,所述半导体结构包括:衬底,具有相对的第一/第二面;导电通孔结构,自所述第一面延伸至所述衬底内,且包括自下而上叠设的金属通孔及导电介质叠层;所述导电介质叠层包括第一/第二导电介质层,且第一导电介质层还设于所述第一面上。本发明适于根据不同应用场景的背照式图像传感器,合理选择适用的导电介质叠层,防止金属通孔与金属互连层扩散,同时增强与相邻的像素单元的隔离效果,同时进一步简化制作方法,确保产品良率。
  • 半导体结构制作方法
  • [发明专利]前照式图像传感器及其形成方法-CN202210146486.4在审
  • 冒伟伟;徐涛;郑展;付文;赵立新 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2022-02-17 - 2023-08-29 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种前照式图像传感器及其形成方法,该方法包括:在衬底内形成第一N型掺杂区;其中,所述衬底包括像素阵列区;在所述衬底内形成将像素阵列区包围的第二N型掺杂区;其中,所述第二N型掺杂区与所述第一N型掺杂区相连接,并接某一电位的正电压;其中,所述第一N型掺杂区与所述第二N型掺杂区构成将像素阵列区产生的过量电荷排出的排出路径。本发明在重掺杂P型衬底和感光单元底部之间,增加一层N型埋层,接高电势,吸走溢出电子,实现“高光溢出保护功能”;同时,在像素阵列区和外围的逻辑电路区之间增加N型掺杂区以连接N型埋层,接高电势以实现吸走溢出电子,防止衬底电子和外围电路电子对读出信号的影响,实现高信噪比。
  • 前照式图像传感器及其形成方法
  • [发明专利]降低图像传感器多列串扰的方法-CN202010171472.9有效
  • 赵立新;乔劲轩;董小英 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2020-03-12 - 2023-08-11 - H04N25/70
  • 本发明提供了一种降低图像传感器多列串扰的方法,所述图像传感器包括:至少一列驱动电路单元、负载电路单元和采样电路单元;所述驱动电路单元适于驱动负载电路单元,且所述驱动电路单元连接至少一采样电路单元;所述采样电路单元包括电荷存储器,所述电荷存储器的两级分别施加不同的参考电压;所述采样电路适于在所述驱动电路驱动所述负载电路前,进行采样,以在所述电荷存储器中存储足够电荷,使得在所述驱动电路驱动负载电路单元时,能从所述电荷存储器中获得驱动能量。本发明提供的方法可以减小多列驱动电路相互之间的串扰。
  • 降低图像传感器多列串扰方法
  • [发明专利]前照式CMOS图像传感器的形成方法-CN201910106605.1有效
  • 徐涛;李杰;郑展;付文 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2019-02-02 - 2023-08-11 - H01L27/146
  • 本发明提供一种前照式CMOS图像传感器的形成方法,包括:依次形成器件层、多层金属层,所述器件层包括感光区域和非感光区域;形成顶层金属层,刻蚀顶层金属层形成预设图案;在感光区域和非感光区域上方依次形成第一阻挡层和介质层;研磨所述介质层,停止至所述非感光区域的第一阻挡层区域表面;在所述研磨后的表面上形成第二阻挡层;刻蚀所述感光区域的第二阻挡层、介质层至暴露出第一阻挡层表面;其中,通过第一阻挡层的阻挡,可以提高研磨和刻蚀工艺的均匀性,并在保证感光区域表面与非感光区域表面相对较低高度差的同时可以获得感光区域相对较短的光程。
  • 前照式cmos图像传感器形成方法
  • [发明专利]一种图像传感器形成方法及图像传感器-CN202210094961.8在审
  • 赵立新;黄琨;彭文冰 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2022-01-26 - 2023-08-04 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器形成方法,包括:在栅极形成之前,根据预设的硬掩模层,刻蚀半导体衬底形成阵列排布的半导体岛状结构,各所述半导体岛状结构至少上部之间通过连接结构与至少一个另外的半导体岛状结构连接,所述半导体岛状结构之间形成互相连通的第一沟槽;在所述第一沟槽内填充多晶硅,形成多晶硅栅极,作为所述半导体岛状结构侧壁的钉扎层。本方案相比于已有的图像传感器形成方案,可以在无需增加额外光罩的前提下,明显降低像素对工艺质量的要求,提高生产产率,同时大幅降低暗电流水平,并提供更好的像素读出能力。
  • 一种图像传感器形成方法

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