专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种PbNb2-CN202310180379.8在审
  • 刘浩天;刘成;赵学明;黄达;张岱南;李元勋;张怀武 - 电子科技大学
  • 2023-02-28 - 2023-09-19 - C04B35/499
  • 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域,提供一种PbNb2O6基压电陶瓷材料及其制备方法,用以解决PbNb2O6基压电陶瓷难于烧结的问题。本发明压电陶瓷材料主体由PbNb2O6相构成,其分子式为:Pb0.97La0.02(Nb0.936‑xTi0.08Sn1.25x)2O6,x的取值范围为:0.00≤x≤0.10;该材料在Pb0.97La0.02(Nb0.936Ti0.08)2O6的基础上,通过Sn4+离子掺杂改性,使得PbNb2O6基压电陶瓷材料具有致密性好、居里温度高、介电损耗低等特点,为压电元器件向耐高温化、转化效率高化发展提供了一种有效解决方案;同时,该PbNb2O6基压电陶瓷材料的制备方法具有工艺简单、成本低等优点,利用工业化生产。
  • 一种pbnbbasesub
  • [发明专利]一种高Q值Li6-CN202310528910.6在审
  • 刘奎;张岱南;刘浩天;雷奕达;李颉;刘成;廖宇龙;张怀武 - 电子科技大学
  • 2023-05-11 - 2023-09-19 - C04B35/462
  • 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域,具体提供一种高Q值Li6Zn7Ti11O32基微波介质陶瓷材料及其制备方法,用以优化Li6Zn7Ti11O32微波介质陶瓷的微波介电性能、尤其品质因数Q×f。本发明中微波介质陶瓷材料的化学通式为:Li(1+x)6Zn7Ti11‑x(Li1/4Nb3/4)xO32、0.00x≤0.05,其一、采用添加过量锂来抑制锂挥发,其二、采用Li1/4Nb3/4复合离子取代Ti离子来改善四价钛离子被还原成三价钛离子的问题,最终有效优化材料的介电性能、尤其是品质因数Q×f;同时,其制备工艺简单,并且原料丰富、成本低廉、密度较小,有利于工业化应用,可作为天线、介质谐振器、滤波器、微带线等电子器件基板材料,在微波通信、雷达系统、卫星通信等领域具有重要应用前景。
  • 一种libasesub
  • [发明专利]ZnZrTa2-CN202310478091.9在审
  • 刘浩天;刘成;刘奎;张怀武 - 电子科技大学
  • 2023-04-28 - 2023-09-08 - C04B35/495
  • 一种ZnZrTa2O8基微波介质陶瓷材料及其制备方法,属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述陶瓷材料的分子式为ZnZr1‑xGexTa2O8;其中,0.02≤x≤0.1。本发明的一种ZnZrTa2O8基微波介质陶瓷材料,具有中低介电常数、高品质因数、低谐振温度系数等特点,能够很好的满足当前移动通信技术领域高频化的发展趋势,适合用作微波谐振器、天线及相关电子线路基板材料。
  • znzrtabasesub
  • [发明专利]一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法-CN202210792212.2有效
  • 杨青慧;俞靖彦;张鼎;张元婧;李涵;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-07-05 - 2023-08-29 - C30B19/00
  • 一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法,属于光通讯器件技术领域。包括:在非磁性石榴石基片背面依次制备黏附金属层、应力金属层和隔绝金属层;将非磁性石榴石基片正面浸入熔体中,采用液相外延法在非磁性石榴石基片正面生长Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜。本发明提出的一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法,在基片的背面设置热膨胀系数大于基片的应力层,抵抗在生长和降温过程中薄膜与基片之间热膨胀系数差异带来的应力,平衡晶片在生长过程中产生的翘曲;在基片和应力层之间设置黏附金属层,提高应力层的黏附性;在应力层上设置隔绝金属层,用于隔离应力层和高温熔体,防止熔体中的熔融氧化铅腐蚀应力层。
  • 一种改善磁性石榴石外延生长过程晶片碎裂方法
  • [发明专利]一种基于MXene与笼状结构三维泡沫的超疏水太赫兹吸波器-CN202211326169.7有效
  • 罗敏;文岐业;税文超;杨青慧;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-10-27 - 2023-08-15 - H01Q17/00
  • 本发明属于电磁功能材料技术领域,具体提供一种基于MXene与笼状结构三维泡沫的超疏水太赫兹吸波器,以满足多孔吸收器需要保持干燥及自清洁能力的应用需求。本发明采用疏水处理的技术路线,首先创新的设计一种正十二面体为基本单元、周期性互连排列形成类富勒烯的笼状结构三维泡沫,其孔径形状规则、孔径尺寸均匀,使得Ti3C2Tx纳米片在包覆三维泡沫的骨架的同时、于骨架之间快速自组装为Ti3C2Tx微米薄片;然后将Ti3C2Tx微米薄片作为疏水纳米颗粒的承载平台,在三维泡沫的骨架与Ti3C2Tx微米薄片表面形成疏水涂层;最终,使得太赫兹吸波器具有超疏水表面,不仅具有极高的吸收性能,而且还具有高效的拒液、自清洁性能。
  • 一种基于mxene结构三维泡沫疏水赫兹吸波器
  • [实用新型]一种薄膜铁磁共振线宽测试夹具-CN202320671537.5有效
  • 张怀武;臧百斐;金立川;傅橙辉;岳华伟 - 电子科技大学
  • 2023-03-30 - 2023-08-04 - B25B11/00
  • 本实用新型提供一种薄膜铁磁共振线宽测试夹具,包括中心支撑杆,固定波导的测试台以及外壳;中心支撑杆包括中心探针台、中心探针支架、控制闩和杆;中心探针台设置在杆的最上部;中心探针支架用于从测试台的中心位置将其托起并固定;控制闩用于固定中心探针支架的位置并控制其在杆上的升降;测试台为中心开孔的圆盘型;外壳包括外壳主体、边缘探针台和边缘探针支架;外壳主体为带有卡槽的圆筒型,用于从测试台的外缘位置对其进行固定;边缘探针支架固定在外壳主体外缘,用于支撑边缘探针台;边缘探针台设置在边缘探针支架上方。本实用新型结构简单,易于固定,可自由升降,不仅保证了测试样品易更换,节省测试者时间,有效减低样品掉落的概率。
  • 一种薄膜磁共振测试夹具
  • [发明专利]一种高精确度的铁磁共振线宽测量方法-CN202310406153.5在审
  • 张怀武;岳华伟;金立川;傅橙辉;臧百斐 - 电子科技大学
  • 2023-04-17 - 2023-07-25 - G01R33/12
  • 本发明属于微波、毫米波段磁性材料参数测量领域,具体提供一种高精确度的铁磁共振线宽测量方法,用以解决现有微波铁氧体材料的铁磁共振线宽测量方法因测量磁场精度较大导致误差增大的问题。本发明以矢量网络分析仪为信号收发源,采用扫场步进依次递减的粗扫、第一次细扫及第二次细扫的测量流程,并且基于第一次细扫的拟合参数对第二次细扫的测试数据进行插值作为精度补偿,使测量数据更收敛,显著提高测量结果的精确度;同时,插值实现精度补偿能够有效解决磁场精度不足的问题,减小测量带来的误差,使测量数据得到更好的拟合效果,进而提高铁磁共振线宽测量的精确度;另外,本发明的测量方式对于常见谐振腔法与共面波导法等都适用。
  • 一种精确度磁共振测量方法
  • [发明专利]一种反型Cs8-CN202211248904.7有效
  • 周涛;向全军;廖宇龙;李元勋;文天龙;李颉;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-10-12 - 2023-07-18 - C01G19/00
  • 本发明属于有机‑无机杂化半导体材料技术领域,具体为一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法;本发明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料的形貌为纳米立方体构成的薄膜结构,由Ga3+和In3+离子联合调控能级形成反型Cs2SnI6结构,晶型为面心立方结构,表面形貌为纳米立方体且表面分布有中空结构;本发明制备得杂化薄膜表面均一、致密,同时具有良好晶体学特性和光电性能,在太阳能光伏器件、发光二极管、传感器等领域具备良好的应用前景;并且,其制备方法无需高温煅烧,生产工艺简单、生产效率好、合成成本低且环保节能,适合大规模工业化制造。
  • 一种csbasesub

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